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Reduction of internal stress in SU-8 photoresist layer by ultrasonic treatment 被引量:2
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作者 DU LiQun WANG QiJia ZHANG XiaoLei 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2010年第11期3006-3013,共8页
At present, high internal stress in SU-8 photoresist layer has become one of the most primary problems and restricted structure stability and higher aspect ratio of SU-8 photoresist. However, the existing studies all ... At present, high internal stress in SU-8 photoresist layer has become one of the most primary problems and restricted structure stability and higher aspect ratio of SU-8 photoresist. However, the existing studies all focused on optimizing the process pa-rameters or mask design, and could not be popularized. The purpose of this paper is to reduce the internal stress in cured SU-8 photoresist layer by ultrasonic stress relief technology. The ultrasonic stress relief mechanism in SU-8 photoresist layer was presented. Based on improved Stoney’s formula, the profile mothod calculation model for SU-8 internal stress was proposed. The effect of ultrasonic stress relief on SU-8 layers was studied by experiments. Some important factors, such as amplitude of vibration, power input and relief time, were discussed. The values of internal stress before and after the ultrasonic stress relief process were compared. The research results show that the internal stress in cured SU-8 layer can be reduced effectively if the proper experimental parameters are chosen, and ultrasonic stress relief technology in nonmetal field has some practical value. 展开更多
关键词 ultrasonic stress relief su-8 photoresist layer internal stress profile method
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移动焦平面正反面曝光制备SU-8微结构及PDMS浓度梯度产生器
2
作者 陈启明 傅仁轩 +3 位作者 徐勇军 刘益标 周金运 宋显文 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期415-422,共8页
针对芯片实验室对浓度梯度产生器(CGG)的需求,为制作侧壁垂直的CGG,提出了一种移动焦平面正反面曝光制备SU-8光刻胶微结构的方法。该方法根据焦深将SU-8厚度分成多层,每曝光一次焦面向下移动一层,当曝光层数达到总层数一半时将样品翻转... 针对芯片实验室对浓度梯度产生器(CGG)的需求,为制作侧壁垂直的CGG,提出了一种移动焦平面正反面曝光制备SU-8光刻胶微结构的方法。该方法根据焦深将SU-8厚度分成多层,每曝光一次焦面向下移动一层,当曝光层数达到总层数一半时将样品翻转,同样采用移动焦面重复曝光的方式使SU-8内部形成光化学反应通道,得到充分曝光。最终利用SU-8微结构制作出聚二甲基硅氧烷(PDMS)CGG。测试结果表明:SU-8微结构实际轮廓侧壁垂直,没有出现“T”形结构,沟道高度为49.4μm;PDMS CGG侧壁垂直,沟道深度为49.3μm,满足CGG侧壁垂直要求。 展开更多
关键词 光电子学 浓度梯度产生器 焦面移动正反面曝光 su-8 聚二甲基硅氧烷
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光刻与化学机械抛光技术原位集成制备SU-8微透镜阵列
3
作者 张清泽 吴永进 +3 位作者 马闯北 石现 孙云娜 丁桂甫 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期305-312,共8页
垂直腔面发射激光器通常与微光学元件组合使用,以改善激光束的聚焦或准直效果。研究了一种光刻和化学机械抛光技术相结合的新工艺方法,用于原位制备SU-8微透镜阵列。通过调控光刻参数,可以精确控制微透镜的直径与高度。实验制备了不同... 垂直腔面发射激光器通常与微光学元件组合使用,以改善激光束的聚焦或准直效果。研究了一种光刻和化学机械抛光技术相结合的新工艺方法,用于原位制备SU-8微透镜阵列。通过调控光刻参数,可以精确控制微透镜的直径与高度。实验制备了不同尺寸的SU-8微透镜阵列,它们具有光滑的表面,分辨率可达12.7 lp/mm,展示出良好的光学特性与高稳定性。这是一种低成本和高良率的微透镜制备方法,适用于在已成型的垂直腔面发射激光器表面原位集成制备高精度定位的微透镜,无需额外的光学对准、转移和键合步骤。 展开更多
关键词 微透镜阵列 su-8 原位 化学机械抛光 垂直腔面发射激光器
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基于405nm LED光源DMD无掩模光刻SU-8的特征尺寸研究
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作者 陈启明 宋显文 +2 位作者 傅仁轩 周金运 胡益铭 《中国科技期刊数据库 工业A》 2023年第4期0166-0169,共4页
SU-8光刻胶具有良好的机械性能、耐化学腐蚀性和高的热稳定性,已成为制作高纵横比聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片阳模的首选材料。本文突破了SU-8光致抗蚀剂在365 nm-400 nm波长范围内感光区的限制,通过多次曝光积累曝光强度,达到SU-8... SU-8光刻胶具有良好的机械性能、耐化学腐蚀性和高的热稳定性,已成为制作高纵横比聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片阳模的首选材料。本文突破了SU-8光致抗蚀剂在365 nm-400 nm波长范围内感光区的限制,通过多次曝光积累曝光强度,达到SU-8光阻的曝光强度。我们介绍了一种使用DMD数字无掩模光刻的倾斜扫描在相同位置重复曝光(ISPRE)来制造SU-8模具的方法。与传统方法的不同之处在于,所提出的具有405 nm紫外(UV)发光二极管(LED)的曝光光源不是大多数制造工艺使用波长为365nm的高功率UV光源。在本实验中,讨论了SU-8光刻胶的不同特征尺寸。结果表明,该方法可以得到最小5 µm特征尺寸的SU-8模具。 展开更多
关键词 su-8 PDMS DMD 无掩模光刻 特征尺寸
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Two-photon polymerization fabrication and Raman spectroscopy research of SU-8 photoresist using the femtosecond laser 被引量:1
5
作者 陈子坚 姚吉 +1 位作者 徐庆继 王振华 《Optoelectronics Letters》 EI 2017年第3期210-213,共4页
In this work, a two-photon polymerization(2PP) processing device was built using the femtosecond laser, and femtosecond laser direct writing was performed on SU-8 photoresist. Due to the 2PP effect of the photoresist ... In this work, a two-photon polymerization(2PP) processing device was built using the femtosecond laser, and femtosecond laser direct writing was performed on SU-8 photoresist. Due to the 2PP effect of the photoresist caused by the femtosecond laser, the polymeric line with size less than the focal spot size is obtained. Based on the Raman spectroscopy characterization of SU-8 polymer before and after 2PP, we research the dynamic process of femtosecond laser induced 2PP. In Raman spectra, some scattering peaks with large intensity variation, such as 1 108 cm^(-1) and 1 183 cm^(-1), indicate that the asymmetric stretching vibration of C-O-C bond in SU-8 polymer is increased. By comparison, we can find that 2PP only affects the light absorption of initiator, but does not affect the monomer polymerization. It is helpful to understand the interaction of photoresist and femtosecond laser, and plays an important role in quantitatively controlling the polymerization degree of SU-8 polymer and improving the processing resolution of 2PP. 展开更多
关键词 su-8光刻胶 双光子聚合 飞秒激光 拉曼光谱 制备 焦斑尺寸 光致抗蚀剂 聚合物
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SU-8胶及其在MEMS中的应用 被引量:17
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作者 刘景全 蔡炳初 +3 位作者 陈迪 朱军 赵小林 杨春生 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期132-136,共5页
SU 8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构。SU 8胶在近紫外光范围内光吸收度低 ,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致 ,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形 ;它还具有良好的力学性能... SU 8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构。SU 8胶在近紫外光范围内光吸收度低 ,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致 ,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形 ;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性 ;SU 8胶不导电 ,在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点 ,被逐渐应用于MEMS的多个研究领域。本文主要分析SU 8胶的特点 ,介绍其在MEMS的一些主要应用 ,总结了我们研究的经验 ,以及面临的一些问题 。 展开更多
关键词 su-8 MEMS 厚胶技术 微机电系统 近紫外线光刻胶
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SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究 被引量:6
7
作者 杜立群 秦江 +2 位作者 刘冲 朱神渺 李园园 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期447-452,共6页
研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型,预测微结构的尺寸,分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较,以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验... 研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型,预测微结构的尺寸,分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较,以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验分四组,实验中掩模的特征宽度分别取50μm、100μm、200μm和400μm,SU-8胶表面的曝光剂量取400 mJ/cm2。用扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度,用MATLAB软件对紫外曝光过程中SU-8胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟,数值模拟结果与实验结果基本吻合。数值模拟结果为进一步的实验研究提供了光刻参数的参考值。 展开更多
关键词 su-8 菲涅耳衍射 紫外光刻 尺寸精度 MATLAB
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超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响 被引量:5
8
作者 杜立群 刘亚萍 +1 位作者 李永辉 李成斌 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2006-2013,共8页
首次将超声处理引入UV-LIGA工艺中,研究了超声处理对SU-8胶模溶胀的影响,并探讨了其影响机理,从而获得了减小胶模溶胀及提高电铸微器件尺寸精度的方法。试验研究了超声处理对显影过程及电铸过程中SU-8胶模溶胀的影响,分析了不同超声时间... 首次将超声处理引入UV-LIGA工艺中,研究了超声处理对SU-8胶模溶胀的影响,并探讨了其影响机理,从而获得了减小胶模溶胀及提高电铸微器件尺寸精度的方法。试验研究了超声处理对显影过程及电铸过程中SU-8胶模溶胀的影响,分析了不同超声时间下SU-8胶表面亲水性的变化趋势,并计算了不同超声时间下胶模的溶胀去除率。讨论了超声处理对不同结构微器件尺寸精度的影响。试验结果表明:SU-8胶模在显影过程中的溶胀不明显,并且超声处理对显影过程中胶模的溶胀影响很小,其主要影响SU-8胶模在电铸过程中的溶胀。随着超声时间的增加,胶模溶胀及其表面亲水性均呈现先减小后增大的趋势。当超声时间为10min时,胶模溶胀最小,其溶胀去除率α值可高达70%,并且超声处理后电铸微器件的尺寸误差与结构尺寸无关。根据超声波的机械断键作用与聚合物吸水机理,从亲水性和内应力两个方面,探究了SU-8胶模溶胀随超声时间的增加而变化的原因。文中提出的减小SU-8胶溶胀的方法不依赖于工艺参数也不会增加掩模图形设计的复杂性,是一种实用的减小SU-8胶溶胀的新方法。 展开更多
关键词 超声处理 su-8光刻胶 溶胀 电铸 UV-LIGA
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SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文) 被引量:4
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作者 郑津津 陈有梅 +4 位作者 周洪军 田杨超 刘刚 李晓光 沈连婠 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1926-1931,共6页
在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究... 在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素:衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率。 展开更多
关键词 su-8光刻胶 紫外深度光刻 掩模 图形转移 误差修正
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基于SU-8厚胶光刻工艺的微电铸铸层尺寸精度控制新方法 被引量:4
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作者 刘冲 李苗苗 +2 位作者 施维枝 杜立群 王立鼎 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期179-185,共7页
以SU-8胶为微电铸母模制作镍模具时,胶模的热溶胀性使胶模变形,导致铸层线宽缩小,这是影响微电铸铸层尺寸精度的主要因素。针对密集蛇形沟道图形的镍模具微电铸工艺,以200.0μm厚SU-8胶为胶模,研究微电铸铸层尺寸精度的控制方法,提出基... 以SU-8胶为微电铸母模制作镍模具时,胶模的热溶胀性使胶模变形,导致铸层线宽缩小,这是影响微电铸铸层尺寸精度的主要因素。针对密集蛇形沟道图形的镍模具微电铸工艺,以200.0μm厚SU-8胶为胶模,研究微电铸铸层尺寸精度的控制方法,提出基于SU-8厚胶光刻工艺的微电铸铸层尺寸精度控制新方法,即在图形四周增设一条封闭等间距的隔离带,用隔离带减少影响图形区域的SU-8胶模的体积,阻止电铸时该处胶模的热溶胀对图形区域的影响,进而减小铸层尺寸变化。结果表明,采用增设隔离带方法制作的镍模具,胶模线宽变化量最大值由61μm减小到31.4μm,铸层尺寸相对误差的最大值由31.3%减小到16.7%,这种方法显著提高微电铸铸层的尺寸精度。 展开更多
关键词 微电铸 su-8 热溶胀性 隔离带 尺寸精度
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后烘温度对SU-8光刻胶热溶胀性及内应力的影响 被引量:8
11
作者 杜立群 朱神渺 喻立川 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期500-504,共5页
SU-8光刻胶层内应力会使胶体结构开裂变形,而其在电铸液中的热溶胀效应则是造成微电铸结构线宽减小的主要因素,SU-8胶的内应力和溶胀性还严重地影响所制作图形的深宽比和尺寸精确性。本文研究了不同后烘温度下SU-8胶在电铸液中的热溶胀... SU-8光刻胶层内应力会使胶体结构开裂变形,而其在电铸液中的热溶胀效应则是造成微电铸结构线宽减小的主要因素,SU-8胶的内应力和溶胀性还严重地影响所制作图形的深宽比和尺寸精确性。本文研究了不同后烘温度下SU-8胶在电铸液中的热溶胀性及胶层的内应力,在其他工艺参数相同的情况下,测量了SU-8胶微通道线宽随溶胀时间的变化。溶胀实验结果表明,后烘温度越低,SU-8胶的溶胀变形越大,且热溶胀现象主要发生在前30 min;其后,溶胀速率逐渐减缓而趋于稳定。在对SU-8胶后烘后,利用基片曲率法测量了胶层内应力的大小。实验数据表明,采用较低的后烘温度可以降低SU-8胶层的内应力。因此,在工艺过程中,应该综合考虑热溶胀性及胶层内应力的影响,根据实际加工器件的要求适当选取后烘工艺参数。 展开更多
关键词 su-8光刻胶 微电铸 热溶胀性 内应力
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SU-8胶制备三维微电极结构研究 被引量:4
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作者 文春明 尤政 +2 位作者 温志渝 王晓峰 陈李 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期681-684,共4页
为了增大MEMS超级电容器电极结构的表面积,提高MEMS超级电容器的电荷存储能力,研究了利用SU-8胶制备高深宽比三维电极微结构。经过基片清洗、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜等过程,制备了深宽比为6的微结构。分析讨论了微结构制备... 为了增大MEMS超级电容器电极结构的表面积,提高MEMS超级电容器的电荷存储能力,研究了利用SU-8胶制备高深宽比三维电极微结构。经过基片清洗、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜等过程,制备了深宽比为6的微结构。分析讨论了微结构制备过程中基底洁净度和升降温速度及曝光、显影时间等因素对结构制备的影响。实验结果表明,用SU-8胶制备高深宽三维电极微结构,能在相同底面积的基础上有效增加电极结构的表面积,提高单位底面积的电容器储能密度。 展开更多
关键词 三维微结构 su-8光刻胶 高深宽比 超级电容器 MEMS
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聚合物SU-8光刻胶超声时效实验研究 被引量:5
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作者 杜立群 王煜 +1 位作者 王启佳 陈莉 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期907-911,共5页
利用超声时效技术减小聚合物SU-8光刻胶的内应力,讨论了其机理.以基片曲率法为基础,建立了轮廓法测量SU-8胶层内应力的计算模型.实验研究了超声时效技术在减小聚合物SU-8胶层内应力方面的作用.对比分析了超声时效实验前、后SU-8胶层的... 利用超声时效技术减小聚合物SU-8光刻胶的内应力,讨论了其机理.以基片曲率法为基础,建立了轮廓法测量SU-8胶层内应力的计算模型.实验研究了超声时效技术在减小聚合物SU-8胶层内应力方面的作用.对比分析了超声时效实验前、后SU-8胶层的内应力值.实验结果显示,在超声时效10min时,聚合物SU-8胶内应力减小2MPa,消除率约为23.17%.这表明,在合适的实验参数下利用超声时效技术可以有效减小聚合物SU-8胶内应力. 展开更多
关键词 超声时效 su-8光刻胶 内应力测量
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基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备 被引量:3
14
作者 李刚 李大维 +6 位作者 赵清华 菅傲群 王开鹰 胡杰 桑胜波 程再军 孙伟 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期660-664,共5页
利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,。首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距。实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均... 利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,。首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距。实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500 r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20μm,阵列间距为30μm,光刻角度为20°。最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的"X"型三维微阵列结构。 展开更多
关键词 三维微阵列 斜光刻技术 su-8光刻胶 比表面积
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UV-LIGA工艺中SU-8光刻胶的热溶胀性研究 被引量:5
15
作者 杜立群 朱神渺 刘冲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期621-623,共3页
对SU-8胶的热溶胀效应及其机理进行了研究,在现有微模具的UV-LIGA工艺的基础上,利用AN-SYS对SU-8胶的热溶胀性规律进行了仿真分析。通过SU-8胶模的溶胀实验,建立了热溶胀变形的速率模型,并计算了不同电铸时间下微模具的顶部线宽,计算结... 对SU-8胶的热溶胀效应及其机理进行了研究,在现有微模具的UV-LIGA工艺的基础上,利用AN-SYS对SU-8胶的热溶胀性规律进行了仿真分析。通过SU-8胶模的溶胀实验,建立了热溶胀变形的速率模型,并计算了不同电铸时间下微模具的顶部线宽,计算结果与实验值基本吻合。仿真结果可用来优化掩模图形的设计及预测电铸后微模具的尺寸。 展开更多
关键词 UV-LIGA su-8 微电铸 热溶胀性
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SU-8光刻胶与Ni基底结合性的分子模拟 被引量:4
16
作者 杜立群 郭照沛 张晓蕾 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期168-171,共4页
运用分子动力学模拟软件Materials Studio针对SU-8胶与Ni基底的结合性进行模拟分析,计算了不同前烘温度下SU-8胶与Ni(100)面的结合能,发现在343K的前烘温度下,光刻胶与基底的界面结合能达到最大,说明此时界面结合最好。通过对SU-8胶与N... 运用分子动力学模拟软件Materials Studio针对SU-8胶与Ni基底的结合性进行模拟分析,计算了不同前烘温度下SU-8胶与Ni(100)面的结合能,发现在343K的前烘温度下,光刻胶与基底的界面结合能达到最大,说明此时界面结合最好。通过对SU-8胶与Ni基底的相互作用能分析,发现影响结合能的主要因素是两种分子之间的范德华力,其中色散力起主要作用,其值是排斥力的近两倍。 展开更多
关键词 su-8光刻胶 Ni基底 结合能 分子动力学模拟
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SU-8胶光刻工艺研究 被引量:48
17
作者 张立国 陈迪 +1 位作者 杨帆 李以贵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2002年第3期266-270,共5页
SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间... SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究 ,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数。随后给出了 2 0 0 μm厚SU - 8光刻胶的建议工艺条件 :2 0 0 μm/s甩胶 ,1h的 95°C前烘 ,近紫外光 (40 0nm)接触式曝光 ,95°C的中烘 30min ,PGMEA中显影 2 0min。另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨 ,给出了合理化建议 :对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低 ,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成 4~ 8小片、适当的设计掩模板 ;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合 。 展开更多
关键词 su-8 高深宽比 光刻
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SU-8胶光刻工艺参数优化研究 被引量:7
18
作者 张晔 陈迪 +3 位作者 张金娅 倪智萍 朱军 刘景全 《微细加工技术》 EI 2005年第3期36-41,80,共7页
对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及... 对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64°正角的300μm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98°近似垂直的500μm厚光刻胶微结构。 展开更多
关键词 UV-LIGA技术 su-8 高深宽比 微结构
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SU-8光刻胶制作三维光子晶体 被引量:2
19
作者 张晓玉 高洪涛 +3 位作者 周崇喜 刘强 邢廷文 姚汉民 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期28-31,共4页
针对SU-8光刻胶应用于三维光子晶体的制作研究,本文提出并实现了对SU-8光刻胶的重要成分SU-8环氧树脂采用柱层析和高压液相色谱-尺寸排阻色谱法进行分离,分离结果表明SU-8环氧树脂分子量分布范围很大,从大约100~100000,包括SU-1、SU-2... 针对SU-8光刻胶应用于三维光子晶体的制作研究,本文提出并实现了对SU-8光刻胶的重要成分SU-8环氧树脂采用柱层析和高压液相色谱-尺寸排阻色谱法进行分离,分离结果表明SU-8环氧树脂分子量分布范围很大,从大约100~100000,包括SU-1、SU-2、SU-4、SU-6、SU-8多种组分及其混合物.采用分离后的SU-8和SU-6纯组分配制了性能优化的SU-8光刻胶,并总结了其最佳光刻工艺,结合干涉光刻技术制作了晶格常数为922nm的三维面心立方光子晶体结构. 展开更多
关键词 su-8光刻胶 三维光子晶体 柱层析 尺寸排阻色谱法
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SU-8胶微结构的尺寸公差研究 被引量:2
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作者 秦江 杜立群 +1 位作者 刘冲 朱神渺 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1523-1526,共4页
对SU-8胶微结构的尺寸及其公差进行了定量研究.在考虑了SU-8的吸收系数和折射系数对紫外光刻尺寸精度影响的基础上,根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型和尺寸公差模型,对SU-8微结构的尺寸及其公差进行数值模拟.以硅为基底,进行了... 对SU-8胶微结构的尺寸及其公差进行了定量研究.在考虑了SU-8的吸收系数和折射系数对紫外光刻尺寸精度影响的基础上,根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型和尺寸公差模型,对SU-8微结构的尺寸及其公差进行数值模拟.以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究.实验中掩模的特征宽度分别取50μm、100μm、200μm和400μm,SU-8胶表面的曝光剂量分别取400mJ/cm2和800mJ/cm2,测量了SU-8胶微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度,数值模拟结果与实验结果基本吻合.可以用本文的模型来预测SU-8微结构的尺寸及其公差. 展开更多
关键词 su-8 菲涅耳衍射 尺寸公差 紫外光刻
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