期刊文献+
共找到33篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究 被引量:9
1
作者 伊福廷 张菊芳 +1 位作者 彭良强 韩勇 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期126-128,141,共4页
SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶... SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。 展开更多
关键词 紫外光刻 su8光刻胶 MEMS技术 微结构
下载PDF
A New Method for Fabrication of SU8 Structures with a High Aspect Ratio Using a Mask-Back Exposure Technique
2
作者 伊福廷 缪鹏 +2 位作者 彭良强 张菊芳 韩勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期26-29,共4页
A new method is presented,which can obtain high aspect ratio in SU8 structures.Instead that the top of the photo resist layers are exposed to UV light through masks in conventional lithography,the new method utilizes ... A new method is presented,which can obtain high aspect ratio in SU8 structures.Instead that the top of the photo resist layers are exposed to UV light through masks in conventional lithography,the new method utilizes a mask-back exposure technique,i.e.the SU8 resist layer coated on a mask surface (metal patterns on a glass plate),is irradiated by UV light through the back of the mask.So a desired exposure dose on the bottom of the resist layer can be easily achieved without over-exposing from its top.This has a two-fold effect,i.e.proper dose on the bottom of the resist and less internal stress.Initial experimental results show that compared to an aspect ratio of 18 obtained by conventional method,a higher aspect ratio of 32 in the SU8 structures can be achieved by this new method. 展开更多
关键词 MEMS su8 resist MICROFABRICATION back-exposure.
下载PDF
基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真 被引量:2
3
作者 刘韧 郑津津 +3 位作者 沈连婠 田扬超 刘刚 周洪军 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期32-39,共8页
基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适... 基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。 展开更多
关键词 光刻模拟 su8 厚胶轮廓 曝光模型
下载PDF
全聚合物SU8光波导制备工艺及其特性研究 被引量:1
4
作者 孔光明 鄂书林 +2 位作者 邓文渊 赵虎旦 郭洪波 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期662-665,共4页
对一种全聚合物SU8光波导的制备工艺和波导特性进行了研究。测试结果显示,所制备光波导在1550 nm的传输损耗为2.01 dB/cm,且具有高的侧壁陡直度。详细研究了光波导制备工艺过程中前烘温度和时间、光刻时间、后烘温度和时间以及显影时间... 对一种全聚合物SU8光波导的制备工艺和波导特性进行了研究。测试结果显示,所制备光波导在1550 nm的传输损耗为2.01 dB/cm,且具有高的侧壁陡直度。详细研究了光波导制备工艺过程中前烘温度和时间、光刻时间、后烘温度和时间以及显影时间等工艺参数对波导质量的影响,给出了4.5μm×4.0μm尺寸单模波导制备的优化工艺。讨论了采用稀释后的SU8材料所制备的光波导出现侧蚀的原因以及改进的方法。 展开更多
关键词 聚合物 su8光波导 光刻 工艺参数
下载PDF
铜绿假单胞菌SU8发酵液与乙蒜素混配对草莓灰霉病的防效 被引量:3
5
作者 楚文琢 彭双强 +1 位作者 廖晓兰 马文月 《江苏农业科学》 北大核心 2017年第6期79-83,共5页
用拮抗细菌铜绿假单胞菌SU8的发酵液和乙蒜素乳油进行混配以期达到有效防治草莓灰霉病的目的,分别从SU8发酵液与乙蒜素乳油混配的室内毒力、孢子萌发抑制率和盆栽防效试验等3个方面进行研究。结果表明,SU8发酵液对草莓灰霉病菌的最小抑... 用拮抗细菌铜绿假单胞菌SU8的发酵液和乙蒜素乳油进行混配以期达到有效防治草莓灰霉病的目的,分别从SU8发酵液与乙蒜素乳油混配的室内毒力、孢子萌发抑制率和盆栽防效试验等3个方面进行研究。结果表明,SU8发酵液对草莓灰霉病菌的最小抑菌浓度(MIC)为12.50 mg/L,EC50为1 696.4 mg/L,乙蒜素乳油对草霉灰霉病菌的MIC为6.25 mg/L,EC50为143.4 mg/L;当两者以质量比1∶9混配时,增效系数为1.04,表现为协同作用,当两者分别以质量比1∶4、1∶1、4:1、9∶1混配时,增效系数分别达到了1.53、2.33、5.41、8.41,均表现出明显的增效作用;在对病菌孢子萌发抑制方面,在12、24、36 h内,乙蒜素乳油的抑制率分别为60.9%、58.4%、47.0%,低于两者质量比4∶1、9∶1混合组配;在盆载试验中,乙蒜素乳油的防病效果也比两者质量比4∶1、9∶1混合组配低。由结果可知,与SU8发酵液混配,能极显著增强乙蒜素对草莓灰霉病的防治效果。 展开更多
关键词 su8发酵液 乙蒜素乳油 混配 增效作用 草霉灰霉病菌 防治
下载PDF
基于SU8厚胶制备折叠波导的工艺研究 被引量:5
6
作者 马天军 郝保良 刘濮鲲 《电加工与模具》 2014年第A01期45-46,49,共3页
随着太赫兹(THz)技术的发展,真空电子器件越来越小型化,作为核心部件的折叠波导由于具有独特的优点,在高频结构中必将得到广泛的应用。开展了基于SU8厚胶,采用嵌丝式UVLIGA工艺制备折叠波导(FWG)互作用结构的工艺实验,主要包括无氧铜基... 随着太赫兹(THz)技术的发展,真空电子器件越来越小型化,作为核心部件的折叠波导由于具有独特的优点,在高频结构中必将得到广泛的应用。开展了基于SU8厚胶,采用嵌丝式UVLIGA工艺制备折叠波导(FWG)互作用结构的工艺实验,主要包括无氧铜基体的制备、SU8厚胶的匀胶、烘胶、光刻、后烘、显影等工艺参数的摸索。 展开更多
关键词 su8 UV-LIGA 折叠波导
下载PDF
基于SU8的远红外超材料完美吸收器理论研究(英文)
7
作者 胡之厅 程纪伟 +5 位作者 杜磊 朱钰方 张家振 徐煌 刘锋 陈刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期21-26,共6页
设计了一种基于SU8介质材料的工作波段为20-30微米范围内的的多层超材料吸收器.该吸收器由金属颗粒周期阵列、介质间隔层和金属底层组成.利用LC模型和FDTD数值模拟方法,通过对SU8介质层厚度、金属颗粒阵列周期、金属颗粒尺寸等参数的优... 设计了一种基于SU8介质材料的工作波段为20-30微米范围内的的多层超材料吸收器.该吸收器由金属颗粒周期阵列、介质间隔层和金属底层组成.利用LC模型和FDTD数值模拟方法,通过对SU8介质层厚度、金属颗粒阵列周期、金属颗粒尺寸等参数的优化,实现了对20-30微米波段范围内入射波的接近100%的完美吸收.并在上述研究基础上进一步设计了具有双层谐振腔的双模完美吸收器.通过数值模拟发现,由于SU8介质间隔层厚度的增加,上下两个谐振吸收器可以分别独立实现对特定波长的完美吸收.相应的特征共振吸收波长符合LC模型的预测.同时,数值模拟结果进一步证实了共振吸收频率与入射角度无关.该完美吸收机制可以归因于入射光在金属底层-SU8介质层-金属颗粒层所组成的谐振腔内多次反射吸收. 展开更多
关键词 超材料 完美吸收器 远红外 su8
下载PDF
光刻胶掩膜材料超光滑表面切削
8
作者 李秋怡 周天丰 +2 位作者 周佳 胡君剑 赵斌 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期1909-1921,共13页
鉴于以光刻胶为代表的高分子材料的切削特性决定了掩膜微细结构的加工质量,以SU8为研究对象,结合实验和仿真分析研究了光刻胶掩膜的切削特性。通过纳米压痕法测试了光刻胶SU8的应力-应变关系,建立了基于能量法的SU8切削仿真模型,然后采... 鉴于以光刻胶为代表的高分子材料的切削特性决定了掩膜微细结构的加工质量,以SU8为研究对象,结合实验和仿真分析研究了光刻胶掩膜的切削特性。通过纳米压痕法测试了光刻胶SU8的应力-应变关系,建立了基于能量法的SU8切削仿真模型,然后采用AdvantEdge FEM模拟了不同切削参数下光刻胶SU8的切削过程,最后开展了光刻胶SU8的超精密加工实验。结合仿真与实验结果,分析了切削参数和刀具前角对表面质量的影响规律,优化了光刻胶SU8的切削加工参数。结果表明:表面粗糙度随着切削速度的增大呈现减小的趋势,随着进给速度和切削深度的增加呈现增大的趋势;当切削速度为2.09 m/s、进给速度为1 mm/min、切削深度为2μm、刀具前角为0°时,光刻胶掩膜的表面粗糙度Ra达到最优为7.4 nm,无微裂纹等微观缺陷。基于切削仿真与实验结果对加工参数进行优化,并在光刻胶SU8掩膜上实现了高精度微透镜阵列结构的加工。 展开更多
关键词 超精密切削 掩膜加工 切削仿真 光刻胶su8 微透镜阵列
下载PDF
采用UV-LIGA技术制作340GHz折叠波导慢波结构 被引量:5
9
作者 李含雁 白国栋 +2 位作者 李兴辉 唐烨 冯进军 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第4期527-530,共4页
紫外光刻、电铸和注塑(UV-LIGA)技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔、电子注通道和输出波导等)的重要方法。采用UV-LIGA技术制作340 GHz折叠波导慢波结构,研究前烘、曝光量、后烘对SU8胶模的影响,着重讨论了曝光量的影响并分析其... 紫外光刻、电铸和注塑(UV-LIGA)技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔、电子注通道和输出波导等)的重要方法。采用UV-LIGA技术制作340 GHz折叠波导慢波结构,研究前烘、曝光量、后烘对SU8胶模的影响,着重讨论了曝光量的影响并分析其原因,得出最佳工艺。另外,本文还对去胶进行了初步研究,获得了全铜的340 GHz的折叠波导结构。 展开更多
关键词 紫外光刻 电铸和注塑技术 su8胶模 曝光量 340 GHz折叠波导
下载PDF
基于介电泳诱捕与阻抗测量的三维网格型生物传感器的研究 被引量:2
10
作者 许静 赵湛 +3 位作者 方震 刘泳宏 杜利东 耿道渠 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期295-299,共5页
微粒分离与检测的集成,一直是微全分析系统亟待解决的难题。结合介电泳与生物阻抗谱测量,设计了一种三维介电泳芯片。以SU8胶为材料的绝缘夹层以及其上方和下方网格状交叉的电极阵列,构成了芯片的关键区域,且在SU8绝缘夹层中利用光刻技... 微粒分离与检测的集成,一直是微全分析系统亟待解决的难题。结合介电泳与生物阻抗谱测量,设计了一种三维介电泳芯片。以SU8胶为材料的绝缘夹层以及其上方和下方网格状交叉的电极阵列,构成了芯片的关键区域,且在SU8绝缘夹层中利用光刻技术形成了圆柱状小势阱。三维的网格状阵列结构及具有束缚电场功能的SU8电介质,共同形成了其独特的电场极值分布,使得微粒诱捕电压降低的同时,更能将微粒诱捕到SU8阱中,便于阻抗谱测量。三维电极结构解决了平面电极电场分散的难题,具有更高的灵敏度。更为重要的是同一电极的介电泳诱捕与阻抗谱测试的切换使用,降低了制作复杂度,并使测试更加快捷。 展开更多
关键词 介电泳 su8 阻抗 生物传感器
下载PDF
集成阻抗识别的介电泳芯片设计及其关键工艺 被引量:2
11
作者 许静 赵湛 刘泳宏 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第11期1-3,共3页
以微粒的阻抗识别为目的,设计出一种三维网格阵列微电极传感器。传感器将介电泳分离与阻抗识别集成在同一芯片上。首先通过介电泳将微粒中的一种分离至测试区域,再通过阻抗信号描述微粒特性。针对芯片关键区域,提出了调节SU8曝光时间以... 以微粒的阻抗识别为目的,设计出一种三维网格阵列微电极传感器。传感器将介电泳分离与阻抗识别集成在同一芯片上。首先通过介电泳将微粒中的一种分离至测试区域,再通过阻抗信号描述微粒特性。针对芯片关键区域,提出了调节SU8曝光时间以提高阻抗测试有效信号的工艺解决方案。实验表明,SU8最佳曝光时间为70 s.对芯片性能的相关实验表明,芯片可对不同直径的乳胶微粒进行介电泳分离与阻抗识别。 展开更多
关键词 介电泳 阻抗识别 三维 su8
下载PDF
多尺度微纳米流道光刻压印工艺及关键技术研究 被引量:3
12
作者 陈建刚 舒林森 +1 位作者 赵知辛 李建刚 《制造业自动化》 CSCD 2020年第11期6-10,共5页
光刻压印是多尺度微纳米流道工艺设计的关键技术,依据SU8-2025光刻胶与波长为350nm^400nm之间紫外激光光化学作用产生强酸的原理,选用黏度2500cSt、最大复型高度25的SU8-2025负性光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA... 光刻压印是多尺度微纳米流道工艺设计的关键技术,依据SU8-2025光刻胶与波长为350nm^400nm之间紫外激光光化学作用产生强酸的原理,选用黏度2500cSt、最大复型高度25的SU8-2025负性光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)正性光刻胶,通过微纳米套刻工艺的优化,实现了多尺度微纳米流道复型压印光刻,解决了涂胶、套刻、温控、显影以及微纳米结构光学测量等关键的技术问题,提高了微纳米流道内表面的质量,为可降解血管支架的性能检测提供了新的研究思路,也为多尺度复杂异形体的复型制造研究和发展提供必要的科学依据。 展开更多
关键词 紫外激光 su8-2025 光刻工艺 微纳流道
下载PDF
基于SU-8的微流沟道的设计和制作 被引量:1
13
作者 李向红 张斌珍 +1 位作者 孟祥娇 范新磊 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第10期94-96,共3页
以SU—8作为结构材料,采用紫外光刻工艺,尤以斜曝光工艺为主,制造一种新型的、小型化的、低成本的、三维的、高深宽比的微流沟道,微流沟道的高度约为1100μm。初步确定出加工此微流沟道结构所需要的曝光计量、前烘时间、后烘时间和显影... 以SU—8作为结构材料,采用紫外光刻工艺,尤以斜曝光工艺为主,制造一种新型的、小型化的、低成本的、三维的、高深宽比的微流沟道,微流沟道的高度约为1100μm。初步确定出加工此微流沟道结构所需要的曝光计量、前烘时间、后烘时间和显影时间以及工艺方法,为加工其他尺寸的微流沟道提供参考。基于此方法加工的微流沟道可以应用在微型流式细胞仪上,来提供红细胞计数、血色素浓度、血小板计数和红细胞单元指数等参数。 展开更多
关键词 微流沟道 SU—8 光刻工艺 斜曝光 三维 高深宽比
下载PDF
采用SU—8胶制作模具的工艺研究 被引量:1
14
作者 吴元庆 鲁继 刘春梅 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第4期51-53,共3页
主要描述了SU—8胶制造微流体芯片用模具的工艺研究。讨论了各工艺流程主要包括有前烘、中烘、光刻、显影等因素对模具的影响。提出了一个可供参考的模具制作工艺流程,对抗粘层工艺进行了讨论。另外,在模具制造过程中加入反应离子刻蚀(R... 主要描述了SU—8胶制造微流体芯片用模具的工艺研究。讨论了各工艺流程主要包括有前烘、中烘、光刻、显影等因素对模具的影响。提出了一个可供参考的模具制作工艺流程,对抗粘层工艺进行了讨论。另外,在模具制造过程中加入反应离子刻蚀(RIE)来提高SU—8与硅基底的粘附性。最终通过上述的工艺研究,成功制作出了应用于流体的模具,并制造成了微流控芯片。 展开更多
关键词 SU—8胶 模具 工艺
下载PDF
微网气体探测器微结构SPACER的研制
15
作者 侯凤杰 伊福廷 +4 位作者 樊瑞睿 张菊芳 廖元勋 陈元柏 欧阳群 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期419-423,共5页
在多丝正比室(MWPC)受到严重挑战的形势下,微网气体探测器(micromegas)以其响应时间快、计数能力高的优势而从各种新型的气体探测器中脱颖而出。本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测器微结构的工艺,一种是利用准LIGA工艺,以SU8胶为... 在多丝正比室(MWPC)受到严重挑战的形势下,微网气体探测器(micromegas)以其响应时间快、计数能力高的优势而从各种新型的气体探测器中脱颖而出。本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测器微结构的工艺,一种是利用准LIGA工艺,以SU8胶为绝缘层;另一种是利用干膜做绝缘层来制作微网气体探测器。对比分析了SU8胶和干膜对于制作微网气体探测器的优劣。实验证明,利用干膜制作的微网气体探测器性能更好。使用放射源55Fe对其能量分辨本领进行了实验研究,结果利用干膜制作的微网气体探测器得到了有效增益,测出了逃逸峰。另外,还分析了使用编织丝网和电铸镍网对微网气体探测器的影响,实验证明,电铸镍网更适合于微网气体探测器的性能要求。 展开更多
关键词 多丝正比室 微网气体探测器 su8 干膜 丝网
下载PDF
SU(8)大统一理论中的规范对称性破缺和耦合常数重正化
16
作者 李铜忠 王雪华 +2 位作者 胡其图 艾宝琴 刘健恒 《郑州轻工业学院学报》 1994年第4期63-70,共8页
研究了SU(8)大统一模型中的规范对称性自发性破缺及耦合常数重正化问题。利用属于规范群su(8)不同表示的Higgs场,Φab和H(i=1,2,3,4),构造了具有su(8)不变性的Higgs作用势;根据Higgs势... 研究了SU(8)大统一模型中的规范对称性自发性破缺及耦合常数重正化问题。利用属于规范群su(8)不同表示的Higgs场,Φab和H(i=1,2,3,4),构造了具有su(8)不变性的Higgs作用势;根据Higgs势,通过调整参数的办法使Higgs场具有不同的真空期望值,从而实现所期望的三步对称性破缺,对好的破缺方式对耦合常数a1,a2,a3的重正化作了详尽讨论,通过参数调整得到一些有趣结果:大统一质量标度MG(SU(8))=1.07x10(15)GeV及第三次破缺标度M3~O(1600Gev),稍大于弱电标度Mw,这将导致新的物理现象;Weinberg角sin2θw(mw)=0.215±0.009及最大质子寿命5.12x10(32)年,远大于现行实验值。 展开更多
关键词 对称性破坏 重正化 耦合常数 SU(8) 大统一理论
下载PDF
一种用于有机磷农药检测的微流控传感器 被引量:5
17
作者 郭红斌 陈国平 +2 位作者 兰文升 陆冰睿 刘冉 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2011年第6期84-86,共3页
成功制作出一种用于检测有机磷农药的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控传感器,该传感器集成了光纤和用于固定有机磷水解酶的SU—8圆柱。检测原理基于反应产物对光的吸收,不同浓度有机磷农药的实验结果显示:该传感器的线性相关系数为0.9934。... 成功制作出一种用于检测有机磷农药的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控传感器,该传感器集成了光纤和用于固定有机磷水解酶的SU—8圆柱。检测原理基于反应产物对光的吸收,不同浓度有机磷农药的实验结果显示:该传感器的线性相关系数为0.9934。实验结果展示了一种将酶固定在微流沟道的简单方法。简单的制备工艺和便携式的器件为集成化的有机磷农药检测装置提供了低成本和大批量生产的选择途径。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷 微流控 SU—8 有机磷农药
下载PDF
一种新型FBAR结构的设计 被引量:1
18
作者 张浩 张志杰 +2 位作者 翟宇鹏 程皓 吴永盛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期50-55,61,共7页
针对传统FBAR(Film Buck Acoustic Resonator)制备困难、成品率低的问题,提出一种新型FBAR结构(SU8-FBAR)。利用高分子聚合物材料SU8薄膜代替传统FBAR的支撑层和声波限制结构,增加了FBAR器件的机械强度,且易于制备,成品率较高。采用AlN... 针对传统FBAR(Film Buck Acoustic Resonator)制备困难、成品率低的问题,提出一种新型FBAR结构(SU8-FBAR)。利用高分子聚合物材料SU8薄膜代替传统FBAR的支撑层和声波限制结构,增加了FBAR器件的机械强度,且易于制备,成品率较高。采用AlN作压电薄膜,分别以Mo、Pt、CNT、Al作为电极,利用Comsol Multiphysics仿真软件对SU8-FBAR的结构参数进行仿真优化。结果显示,当电极材料为CNT、上电极厚度为0.1μm、SU8薄膜厚度为5μm时,SU8-FBAR的综合性能最优:SU8-FBAR的品质因数(Q)值达到1210,几乎为传统FBAR Q值的3倍;机电耦合系数为0.063,高于传统FBAR的0.0425。该器件能检测到极小谐振频率的变化,可用于微生物传感领域。 展开更多
关键词 新型薄膜体声波谐振器结构 su8薄膜替代声波限制结构 有限元仿真 易于制备
下载PDF
拮抗细菌发酵提取物与井冈霉素混配对水稻纹枯病的毒力研究 被引量:2
19
作者 彭双强 张亚 +2 位作者 廖晓兰 楚文琢 冯游滔 《湖南农业科学》 2015年第9期20-23,共4页
利用菌丝生长速率法分别测定了拮抗细菌SU8发酵提取物、井冈霉素及其5种不同质量比的混配剂对水稻纹枯病菌的抑制效果,并进行盆栽防病试验。结果表明,SU8发酵提取物抑制水稻纹枯病菌的EC50为4 120.17 mg/L,60%井冈霉素可溶性粉剂的EC50... 利用菌丝生长速率法分别测定了拮抗细菌SU8发酵提取物、井冈霉素及其5种不同质量比的混配剂对水稻纹枯病菌的抑制效果,并进行盆栽防病试验。结果表明,SU8发酵提取物抑制水稻纹枯病菌的EC50为4 120.17 mg/L,60%井冈霉素可溶性粉剂的EC50是404.8 mg/L;当两者分别以质量比9︰1、4︰1、1︰1和1︰9进行混配时,增效系数分别达到了7.53、3.68、3.31和1.81,均表现出明显的增效作用;当两者以质量比1︰4进行混配时,增效系数为1.01,表现为协同作用;两者质量比9︰1和4︰1的混配剂在盆载试验中防病效果高于单一的井冈霉素。这表明,与SU8发酵提取物混配,能显著增强井冈霉素对水稻纹枯病的防治效果。 展开更多
关键词 su8发酵提取物 井冈霉素 纹枯病 混配 增效作用
下载PDF
电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
20
作者 张圣 焦继伟 +3 位作者 葛道晗 顾佳晔 严培力 张颖 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第10期49-51,共3页
多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性。在n型和p型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔... 多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性。在n型和p型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔硅边缘效应,分析了边缘效应的产生机制,分别使用SU8光刻胶掩模法和边缘区域施加压力法对边缘效应进行了有效的抑制。并在不同类型的硅晶片上,使用压力法制备出了无边缘效应的宏孔多孔硅膜,p型多孔硅膜厚达到250μm。 展开更多
关键词 边缘效应 电化学腐蚀 机械应力 su8光刻胶
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部