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放电等离子烧结制备的Bi2Te3/Sb2Te3复合材料的热电性能
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作者 曹一琦 朱铁军 赵新兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1341-1344,共4页
研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的Bi2Te3和sb挪e3颗粒,并通过透射电镜观察其微观形貌。Bi2Te3粉末的微观形貌为直径在30-50n之间的片状小颗粒,而sb2Te3颗粒的微观形貌为薄带状,直径约为70nm,长度则为从150-300nm不等,并... 研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的Bi2Te3和sb挪e3颗粒,并通过透射电镜观察其微观形貌。Bi2Te3粉末的微观形貌为直径在30-50n之间的片状小颗粒,而sb2Te3颗粒的微观形貌为薄带状,直径约为70nm,长度则为从150-300nm不等,并对其晶体的形核和长大机理进行了讨论。认为,纳米小颗粒状的Bi2Te3晶体可能是通过“表面形核和侧向生长”形成的产物,而薄带状的sb2Te3晶体可能是在Te块解体形成的条带状碎屑基础上形成的。用放电等离子烧结法(spark plasma sintering)制备不同比例的Bi2Te3/Sb2Te3块状复合材料,测量并比较了其热电性能。通过改变Bi2Te3的量,可以提高复合材料的电性能。成分不同的层片间的散射,能更有效地降低块体材料的热导率。在500K的温度下,Bi2Te3和sb2Te3以摩尔比为1:1复合烧结的试样的热导率低达0.7W/(m·K)。进一步优化Bi2Te3和sb2Te3的复合比例,其热电性能可能会有进一步的提高。 展开更多
关键词 低温湿化学法 水热法 纳米颗粒 Bi2Te3/sb2te3复合 热电性能
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Sb2Te3纳米片的水热合成与表征 被引量:4
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作者 柴臻臻 郑文君 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期435-441,共7页
在水热条件下,以乙醇胺为还原剂,实现了亚碲酸根(TeO^(2-)_3)的分步还原,并以新生成的单质Te纳米棒为碲源,原位一步法合成出六方相Sb_2Te_3纳米片.采用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)等对产... 在水热条件下,以乙醇胺为还原剂,实现了亚碲酸根(TeO^(2-)_3)的分步还原,并以新生成的单质Te纳米棒为碲源,原位一步法合成出六方相Sb_2Te_3纳米片.采用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)等对产物的物相、形貌及组成进行了表征.结果表明,产物Sb_2Te_3为六方纳米片,厚度约为100~200 nm,直径约为0.6~1.5μm,形貌均一,分散性良好.适宜的合成条件是水/乙醇胺体积比为8∶12,180℃下反应24 h.依据部分实验结果以及单质Te和六方相Sb_2Te_3晶体结构的比较,证明了Sb_2Te_3主要以外延方式在单质Te纳米棒表面生长,且两者的晶面取向为(003)Te//(003)Sb_2Te_3,[110]Te//[110]Sb_2Te_3. 展开更多
关键词 水热合成 sb2te3纳米片 形貌 反应机制
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Calculating the Phase Transformation Kinetics Using Impedance Spectroscopy for Sb2Te3
3
作者 Carlos Rivera-Rodríguez Juan Aspiazu Fabián Raúl Díaz Godoy 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2014年第2期111-121,共11页
This paper describes a simple form, the theory to determine the crystallization fraction during the phase transformation of a solid, at a constant heating rate, from data obtained by impedance spectroscopy, where the ... This paper describes a simple form, the theory to determine the crystallization fraction during the phase transformation of a solid, at a constant heating rate, from data obtained by impedance spectroscopy, where the change of the applied alternating voltage and measured current are proportional to the microstructural changes at the sample, corresponding to the volume fraction of a series layer model of two phases. To determine the volume fraction of each phase present in the sample, electrical data are obtained: conductivity and permittivity at DC, which are modeled by an electrical circuit composed by 2-RC, taking into that the permittivity and the occupied volume correspond to the filling fraction of each phase. By Cathodic Ersion or Sputtering, samples were obtained in film form of about 500 in thickness, composed of an alloy of Sb2Te3, in amorphous phase. To ensure the existence of the phase transformation in the sample, phase transition tests are performed by changes in: Reflection Optics, Electrical Resistivity and X-Ray Diffraction, showing clearly the presence of such a transformation. In the final part of this work, it completely shows the experimental results, giving a clear and precise idea of the kinetics of phase transformation of Sb2Te3 alloy, by impedance spectroscopy technique, which proves to be a simple and practical calculation tool. 展开更多
关键词 PHASE TRANSFORMATION sb2te3 IMPEDANCE SPECTROSCOPY
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氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究 被引量:1
4
作者 秋沉沉 张昕 +1 位作者 周乾飞 吴晓京 《物理》 CAS 北大核心 2013年第12期873-880,共8页
Sb2Te3(ST)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点,但由于复位电压过高,无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜(AFM)对此薄膜进行测试... Sb2Te3(ST)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点,但由于复位电压过高,无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜(AFM)对此薄膜进行测试的结果表明,脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0,12nm和0.58nm,表面较为平整。研究表明,PLD法制备的氮掺杂sT薄膜具有更好的组分稳定性,可显著提高薄膜低阻态电阻值,降低复位功耗,氮掺杂量在6at%的ST薄膜的置位电压和复位电压适中,显示出较好的综合性能。 展开更多
关键词 相变材料 脉冲激光沉积 N掺杂sb2te3 低功耗
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Al0.7Sb2Te3合金靶的制备及性能研究 被引量:2
5
作者 孙川希 周增林 +1 位作者 谢元锋 夏扬 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期727-732,共6页
Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶... Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶材,通过X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)及金相显微镜(OM)、能谱仪(EDS)分别表征粉体物相、靶材显微组织及元素分布等。结果表明:Al0.7Sb2Te3合成粉的主相为Sb2Te3相,且与Sb2Te3二元合金粉相比, Al原子的掺杂使Sb2Te3主相的晶格常数与晶胞体积均减小,具体表现为:晶格常数a,c从Sb2Te3二元合金粉的0.4267, 3.0443 nm减小到Al0.7Sb2Te3合成粉的0.4258, 3.0423 nm,且晶胞体积减小0.486%;再用Al0.7Sb2Te3合成粉为原料,制备出的三元靶材相对密度达到99.5%,且其平面与截面显微组织基本一致,均形成明显的Al0.1Sb2Te3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密,界面处存在宽度2~3μm的过渡区域。所制备的近全致密两相Al0.7Sb2Te3合金靶材,有望改进磁控溅射法制备Al-Sb-Te系列薄膜的工艺和效果。 展开更多
关键词 Al0.7sb2te3 合金靶 两相组成 近全致密
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基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究
6
作者 张祖发 张胤 +5 位作者 冯洁 蔡燕飞 林殷茵 蔡炳初 汤庭鳌 Bomy Chen 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4224-4228,共5页
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及... 采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作. 展开更多
关键词 相变存储器 硫系化合物 Si掺杂sb2te3 薄膜 SET/RESET转变
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Direct observation of metastable face-centered cubic Sb2Te3 crystal 被引量:7
7
作者 Yonghui Zheng Mengjiao Xia +6 位作者 Yan Cheng Feng Rao Keyuan Ding Weili Liu Yu Jia Zhitang Song Songlin Feng 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第11期3453-3462,共10页
Although phase change memory technology has developed drastically in the past two decades, the cognition of the key switching materials still ignores an important member, the face-centered cubic Sb2Te3. Apart from the... Although phase change memory technology has developed drastically in the past two decades, the cognition of the key switching materials still ignores an important member, the face-centered cubic Sb2Te3. Apart from the well-known equilibrium hexagonal Sb2Te3 crystal, we prove the metastable face-centered cubic Sb2Te3 phase does exist. Such a metastable crystal contains a large concentration of vacancies randomly occupying the cationic lattice sites. The face-centered cubic to hexagonal phase transformation of Sb2Te3, accompanied by vacancy aggregation, occurs at a quite lower temperature compared to that of Ge2Sb2Te5 alloy. We prove that the covalent-like bonds prevail in the metastable Sb2Te3 crystal, deviating from the ideal resonant features. If a proper doping technique is adopted, the metastable Sb2Te3 phase could be promising for realizing reversibly swift and low-energy phase change memory applications. Our study may offer a new insight into commercialized Ge-Sb-Te systems and help in the design of novel phase change materials to boost the performances of the phase change memorv device. 展开更多
关键词 phase change memory sb2te3 face-centered cubic TEM ab initio theoretical simulation
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Sb2Te3 topological insulator for 52 nm wideband tunable Yb-doped passively Q-switched fiber laser
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作者 Tao WANG Qiang YU +6 位作者 Kun GUO Xinyao SHI Xuefen KAN Yijun XU Jian WU Kai ZHANG Pu ZHOU 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2021年第3期287-295,共9页
Topological insulator Sb2Te3 has the advantage of broadband saturable absorption from the visible to the infrared bands.Herein,the two-dimensional material Sb2Te3 saturable absorber(SA)of the topological insulator fam... Topological insulator Sb2Te3 has the advantage of broadband saturable absorption from the visible to the infrared bands.Herein,the two-dimensional material Sb2Te3 saturable absorber(SA)of the topological insulator family was first applied experimentally in a wideband tunable passively Q-switched Yb-doped fiber laser.High-quality Sb2Te3 crystals were synthesized by the flux zone method.The Sb2Te3 SA with fewer layers was further prepared via a modified mechanical exfoliation procedure.Meanwhile,stable wavelength-tunable passive Q-switching pulse operation was obtained in a Yb-doped fiber ring cavity based on the Sb2Te3 SA,where the central wavelength can be continuously tuned from 1040.89 to 1092.85 nm.Results suggest that Sb2Te3 has wideband saturable absorption properties,and that the tunable pulse laser can provide a convenient and simple source for practical applications. 展开更多
关键词 Topological insulator sb2te3 Fiber laser Passive Q-switching laser Wavelength-tunable laser
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Al0.7Sb2Te3三元靶材的结构性能表征
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作者 孙川希 周增林 +1 位作者 谢元锋 夏扬 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2203-2207,共5页
以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混和粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al0.7Sb2Te3三元靶材,通过XRD、FESEM、EDS、XPS等手段表征其性能,且重点采用XPS研究Al在Al0.7Sb2Te3三元靶材的存在状态。结果表明:Al掺杂后,靶材主相Sb2Te... 以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混和粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al0.7Sb2Te3三元靶材,通过XRD、FESEM、EDS、XPS等手段表征其性能,且重点采用XPS研究Al在Al0.7Sb2Te3三元靶材的存在状态。结果表明:Al掺杂后,靶材主相Sb2Te3的晶格常数变化,且单质Al弥散相与Al0.1Sb2Te3基体相共存,表明掺杂对靶材的组织结构确有影响;刻蚀深度从0 nm增加至405.9 nm,Al价态从以Al2O3的化合态为主逐渐过渡至以单质态为主,且Al以Al2O3形态为主的区域深度约90 nm;刻蚀深度为405.9 nm的XPS分析表明,Al0.1Sb2Te3中的Al通过有效化合形成AlSb影响着靶材的组织结构。 展开更多
关键词 Al0.7sb2te3 XPS 化学价态 有效化合
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热压烧结制备Sb_2Te_3热电材料的微结构研究 被引量:3
10
作者 胡孔刚 段兴凯 +3 位作者 满达虎 丁时锋 张汪年 林伟民 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2013年第10期42-44,共3页
采用石英管真空封装高纯度的Sb和Te粉末,在800℃熔炼12h,炉冷后研磨制备Sb2Te3粉末,真空热压烧结(480℃,20MPa,保温1h),制备出Sb2Te3块体材料。用XRD、SEM和EDS对材料的物相、形貌和成分进行表征。XRD分析表明,真空熔炼合成粉末和热压... 采用石英管真空封装高纯度的Sb和Te粉末,在800℃熔炼12h,炉冷后研磨制备Sb2Te3粉末,真空热压烧结(480℃,20MPa,保温1h),制备出Sb2Te3块体材料。用XRD、SEM和EDS对材料的物相、形貌和成分进行表征。XRD分析表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Sb2Te3的标准衍射图谱相对应。Sb2Te3热压块体材料在平行于热压方向的断面上分布有大量层片状结构,层片厚度均小于1μm,在层片状结构之间均匀分布着短的片状结构。与热压方向垂直的断面上也是层片状结构,层片状较短且分布较均匀,层片厚度大多在1μm左右。材料中Sb和Te的原子百分数分别为38.2%、61.8%,接近2∶3的原子百分比。 展开更多
关键词 真空熔炼 热压烧结 sb2te3 热电材料 微观结构
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高温高压下掺杂N型PbTe的热电性能 被引量:3
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作者 宿太超 朱品文 +4 位作者 马红安 任国仲 郭建刚 今井义雄 贾晓鹏 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期55-58,共4页
以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe。在常温下对其热电性能的测试结果表明:掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克系数绝对值和电阻率大幅度下降,热导率随掺杂浓度的增加缓慢升高。掺杂后PbTe的品质因子先大幅度增加,... 以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe。在常温下对其热电性能的测试结果表明:掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克系数绝对值和电阻率大幅度下降,热导率随掺杂浓度的增加缓慢升高。掺杂后PbTe的品质因子先大幅度增加,后逐渐降低,最高达到8.7×10-4K-1,它比常压合成的PbTe掺杂PbI2高一倍以上。结果表明,将高温高压方法与掺杂相结合,能有效地改善PbTe的热电性能。 展开更多
关键词 PBTE sb2te3 高温高压 热电材料
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Sb_2Te_3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究 被引量:2
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作者 张涛 仇怀利 +3 位作者 王军 杜洪洋 徐伟 李中军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1216-1219,共4页
文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X-ray diffraction)、SEM(scanning electron microscope)等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析,... 文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X-ray diffraction)、SEM(scanning electron microscope)等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析,研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。 展开更多
关键词 sb2te3薄膜 超高真空 分子束外延 拓扑绝缘体 制备
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量:1
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作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (Bi2Te3)0.90(sb2te3)0.05(Sb2Se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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电弧工艺参数对合成Sb_2Te_3热电粉末材料的影响 被引量:1
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作者 段兴凯 江跃珍 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第12期28-30,共3页
以单质Sb,Te粉末为原材料,采用真空电弧等离子体蒸发法对原材料进行加热、蒸发、气化并在收集体表面进行化学反应形成粉末,从而合成Sb2Te3热电粉末材料。研究了电弧电流和氩气压力对合成Sb2Te3热电粉末材料的平均粒径和生产率的影响,并... 以单质Sb,Te粉末为原材料,采用真空电弧等离子体蒸发法对原材料进行加热、蒸发、气化并在收集体表面进行化学反应形成粉末,从而合成Sb2Te3热电粉末材料。研究了电弧电流和氩气压力对合成Sb2Te3热电粉末材料的平均粒径和生产率的影响,并通过场发射扫描电镜表征了Sb2Te3热电粉末材料的微观结构。结果表明,在100~175 A,随着电弧电流增大,粉末的平均粒径和生产率增加。在2~8 kPa的氩气压力下,随着气体压力增大,粉末的平均粒径和生产率增大,粉末团聚较明显。 展开更多
关键词 sb2te3 电弧电流 氩气压力 电弧等离子体 热电材料
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Sb_2Te_3热电薄膜磁控溅射制备工艺 被引量:1
15
作者 杭春进 付明亮 +2 位作者 孙少鹏 王树峰 王春青 《电子工艺技术》 2013年第2期103-107,共5页
Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料。将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值。通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方法对薄膜的成分、薄膜表面以及原子偏析进行表征。通过退火工... Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料。将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值。通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方法对薄膜的成分、薄膜表面以及原子偏析进行表征。通过退火工艺去除薄膜应力,观察退火工艺前后薄膜表面形貌的变化以及退火温度对薄膜表面质量的影响。试验结果表明通过磁控溅射工艺所制备出的Sb2Te3薄膜为非晶态,随着溅射功率增大,薄膜的表面粗糙度增大。退火可使薄膜变为晶态,但是表面粗糙度增大。较大或较小溅射功率下所制备的薄膜其合金成分与合金靶材有较大偏差。 展开更多
关键词 热电材料 磁控溅射 薄膜 sb2te3
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纳米结构Sb_2Te_3的合成与分析
16
作者 张丽丽 张建中 +1 位作者 任保国 张德昌 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期543-545,共3页
介绍了在开放和封闭两种状态下采用水热合成方法制备纳米结构Sb2Te3材料,并对不同反应温度、反应条件的样品进行测试分析,包括X射线衍射光谱法(XRD)、透射电子显微镜法(TEM)以及粒度分布等。实验结果表明,不同的合成工艺条件所获得产物... 介绍了在开放和封闭两种状态下采用水热合成方法制备纳米结构Sb2Te3材料,并对不同反应温度、反应条件的样品进行测试分析,包括X射线衍射光谱法(XRD)、透射电子显微镜法(TEM)以及粒度分布等。实验结果表明,不同的合成工艺条件所获得产物均为Sb2Te3,但其反应进行的程度、尺寸大小以及形貌都不尽相同。获得的Sb2Te3纳米颗粒的直径最大不超过140nm。 展开更多
关键词 sb2te3 水热合成 纳米结构
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溶剂热法合成Sb_2Te_3纳米粉体 被引量:2
17
作者 朱新宏 郑艳丽 +2 位作者 张文浩 柳伟 唐新峰 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期4-6,27,共4页
采用溶剂热法在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中合成出Sb2Te3,研究反应温度、反应时间对Sb2Te3粉体合成的影响,采用X射线衍射,扫描电镜和透射电镜对Sb2Te3粉体进行了表征,分析了Sb2Te3晶体的生长机理。结果表明:Sb2Te3粉体的形貌和尺寸随合成... 采用溶剂热法在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中合成出Sb2Te3,研究反应温度、反应时间对Sb2Te3粉体合成的影响,采用X射线衍射,扫描电镜和透射电镜对Sb2Te3粉体进行了表征,分析了Sb2Te3晶体的生长机理。结果表明:Sb2Te3粉体的形貌和尺寸随合成温度、时间的改变而变化,在180℃下反应24 h,合成出结晶度很好、尺寸在300—600nm的六角形片晶。 展开更多
关键词 sb2te3 溶剂热合成 微结构
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水热法制备Sb_2Te_3纳米线及其性能表征 被引量:1
18
作者 叶淑娅 凌云 程晓农 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期57-58,78,共3页
在450K,pH值为11的条件下,以SbCl3,和Na2TeO3粉体为原料,用水热法制备了Sb2Te3纳米线。X-射线衍射(XRD)分析表明,所制的的材料为Sb2Te3,透射电镜(TEM)观察到Sb2Te3纳米线直径约为20nm,长度在200600nm之间,并且自然平行密排成六边形... 在450K,pH值为11的条件下,以SbCl3,和Na2TeO3粉体为原料,用水热法制备了Sb2Te3纳米线。X-射线衍射(XRD)分析表明,所制的的材料为Sb2Te3,透射电镜(TEM)观察到Sb2Te3纳米线直径约为20nm,长度在200600nm之间,并且自然平行密排成六边形纳米片状;然而在450K,pH值为13的条件下,制备出的产物则为完整的纳米片。扫描电镜(TEM)分析发现纳米线延(015)方向生长。差热测试得到Sb2Te3纳米线的熔点为727.5K。红外光谱的进一步研究表明,由Sb2Te3纳米线编织成的纳米片结构要优于整体生长成的纳米片,并就Sb2Te3纳米线的生长机理进行了初步推测。 展开更多
关键词 sb2te3 水热法 纳米线
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非水溶液中电化学沉积制备Sb_2Te_3热电薄膜
19
作者 姚琴 王春芬 +1 位作者 刘付胜聪 陈立东 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期419-421,共3页
采用电化学沉积法,从非水溶液DMSO中制备了Sb_2Te_3热电薄膜。并采用循环伏安、SEM、XRD、EPMA等技术分别对电化学沉积过程和产物的形貌、结构、组成进行了研究。结果表明,在非水溶液二甲亚砜(DMSO)中,当电解液中Sb原子和Te原子的摩尔比... 采用电化学沉积法,从非水溶液DMSO中制备了Sb_2Te_3热电薄膜。并采用循环伏安、SEM、XRD、EPMA等技术分别对电化学沉积过程和产物的形貌、结构、组成进行了研究。结果表明,在非水溶液二甲亚砜(DMSO)中,当电解液中Sb原子和Te原子的摩尔比为2:3,沉积电位为-2.2V时,在室温下即可得到单相的Sb_2Te_3热电薄膜,元素的组成接近化学计量比,组成薄膜的为大小均匀的球状颗粒,直径约为2~3μm左右。沉积电位对薄膜的组成影响明显,通过改变沉积电位,可以分别得到Te微过量的薄膜和近化学计量比的薄膜。 展开更多
关键词 电化学沉积 sb2te3 热电薄膜 非水溶液
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SPS法制备Bi2Te3基热电合金的热电性能 被引量:5
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作者 王晓琳 姜洪义 任卫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期40-42,共3页
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3... 用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料的热电优值Z为2.21×10-3K-1。 展开更多
关键词 Bi2(Te0.975 Se0.025)3 (Bi0.2 Sb0.8)2Te3 SPS烧结 热电性能
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