Sn95Sb5焊料与ENIG/ENEPIG镀层焊点界面可靠性研究

研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面连续且完整,剪切强度下降的最大幅度不超过19.2%。Sn95Sb5焊料在ENIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENIG焊点)强度更高。Sn95Sb5焊料在ENEPIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENEPIG焊点)界面反应更为复杂,在焊点界面附近可观察到条块状的(Pd,Ni,Au) Sn4。Sn95Sb5/ENEPIG焊点界面的金属间化合物层平均厚度约为Sn95Sb5/ENIG焊点界面的2倍。

Cu含量对Bi5Sb钎料润湿性能和力学性能的影响

通过在Bi5Sb中添加不同含量的Cu形成新型BiSbCu三元合金。结果表明：在Bi5Sb钎料合金中添加0．5％～5．0％（质量分数）Cu，BiSbCu钎料合金的熔点变化不大，但其润湿性能和力学性能明显改善；当Cu含量为1．5％时，（Bi5Sb）1．5Cu钎料合金的润湿性能和力学性能最好，与基体Bi5Sb相比，（Bi5Sb）1．5Cu的铺展面积增大57．8％，抗拉强度提高212．4％；随着Cu含量的增大，针状组织Cu2Sb的含量逐渐增多，钎料合金性能下降。

纳米TiO2/Sb2O5涂层的光生阴极保护研究

采用溶胶-凝胶法在304不锈钢表面制备了纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对涂层表面形貌、晶体结构以及组成进行表征.采用电化学方法研究涂层的光电化学性能与光生阴极保护特性.结果表明,所制备的纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层表面连续、均匀、致密;XRD分析表明纳米TiO2为锐钛矿型;XPS分析表明纳米涂层表面与内层均由Ti、Sb、O、C四种元素组成;稳定电位与极化曲线测试表明,在3%NaCl溶液中,纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层的光电化学性能低于纯纳米TiO2涂层,但纳米TiO2/Sb2O5涂层经紫外光照1h,停止紫外光照后的延时阴极保护作用可达4h.通过研究分析,提出了一种新的纳米叠层涂层光生阴极保护作用机理.

硼砂作稳定剂时胶体Sb_2O_5制备条件的优化

The technological process of preparation of colloid Sb 2O 5 by oxidation of Sb 2O 3 with hydrogen peroxide using borax as a stabilizer has been investigated. The optimum preparation conditions selected by orthogonal factorization method as follows m (H 2 O)∶ m (Sb 2 O 3 )=7 5∶1, n (H 2 O 2 )∶ n (Sb 2 O 3 )=3∶1, m (Na 2 B 4 O 7 ·10H 2 O)∶ m (Sb 2 O 3 )=1∶10, 95 ℃, 1 5 h. The conversion of Sb 2 O 3 >95%, light transmittance of colloid >85% and the average diameter of Sb 2 O 5 particles was 50 nm. The colloid Sb 2 O 5 prepared was storage stable without coagulation for more than one year.

硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响

采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.

锡含量对Bi5Sb钎料铺展性能及抗拉性能影响

在BiSSb基体钎料中添加1％-8％Sn，研究锡对Bi5Sb基无铅钎料润湿性能及力学性能的影响．结果表明，在Bi5Sb钎料中添加适量的锡，可使BiSSbxSn钎料熔点控制在270～280℃左右，与Bi5Sb钎料相比，变化不大，但钎料合金铺展性能和抗拉强度明显提高．当锡含量为8％时，Bi5Sb8Sn钎料合金钎焊铺展性能和抗拉性能最好，其铺展面积和抗拉强度分别为22mm^2和40．4MPa，与基体Bi5Sb钎料相比，钎料合金铺展面积增加了近1倍，抗拉强度提高约3倍．微观分析表明，这主要与BiSSb8Sn钎料合金形成的弥散新相β-SnSb密切相关．

稀土Y改性Ti/Sb_2O_5-SnO_2电催化电极的制备及表征

为改善Ti/Sb2O5-SnO2电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察了电极的电催化性能,对制备温度和Y掺杂量进行了详细的实验研究,确定的适宜制备条件为热处理温度550℃、Y掺杂量0.8%。采用SEM、EDS、XRD等分析方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,发现稀土Y的掺杂可以使SnO2粒径变小,有利于电极电催化性能的改善,同时Y元素的引入可使杂质元素Sb、Y在电极表面涂层富集。Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极表面主要是四方相金红石结构的SnO2晶体。电极动电位扫描测试结果表明Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极具有较高的阳极析氧电位,有利于有机物的阳极氧化降解。

羟基新戊醛在Ti/Sb_2O_5-SnO_2电极上的电氧化研究

在以质子交换膜为隔膜的电解槽内,以硫酸为支持电解质,羟基新戊醛为原料,在Ti/Sb2O5-SnO2电极上直接电氧化制取羟基新戊酸.线性扫描伏安曲线显示,加入羟基新戊醛使氧化电流密度明显提高,表明Ti/Sb2O5-SnO2电极对羟基新戊醛氧化有电催化作用.通过恒电位电解实验研究羟基新戊醛浓度、pH、温度及阳极电位对生成羟基新戊酸选择性和电流效率的影响,结果表明,pH对选择性和电流效率影响最大.

溅射功率对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数与波长关系的影响，结果表明，在波长小于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小，消光系数Ｋ则逐渐减小； 在波长大于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加折射率 ｎ逐渐减少，消光系数ｋ先减小后增加．对于晶 态薄膜样品，在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加先减小后增加，消光系数ｋ则逐渐减少．薄膜样 品的光学常数，在长波长范围随波长变化较大，在短波长范围变化较小．讨论了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数影响的机理．

激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数

利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消光系数随之减小 ,透过率逐渐增加 .非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化 (包括原子间键合状态的变化 )以及薄膜内残余应力是影响 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜复数折射率的主要原因 .测量了 CD- RW(可擦重写光盘 )中 Ge2 Sb2

Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态 对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度 同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。

稳定剂NH_4H_2PO_4用于胶体Sb_2O_5阻燃剂的制备及稳定作用研究

采用NH4 H2 PO4 为稳定剂 ,以H2 O2 为氧化剂 ,将Sb2 O3 氧化 ,制得胶体Sb2 O5。通过正交实验法优选出最佳制备工艺条件为 :n(H2 O2 ) /n(Sb2 O3 ) =3,m (H2 O) /m(Sb2 O3 ) =3～ 4,m(NH4 H2 PO4 ) /m(Sb2 O3 ) =0 0 5 ,温度 90℃ ,反应 1 5h。该条件下 ,Sb2 O3 转化率达到 98%,制得胶体中w(Sb2 O5) =2 1%,透光率 90 %,胶粒平均粒径为 84nm左右。实验结果表明 :采用NH4 H2 PO4 作为稳定剂 ,可使Sb2 O5粒子稳定存在 1a以上而不发生聚沉。

Sb_2O_5/TiO_2催化超声降解甲基橙溶液

采用实验室合成的 Sb2 O5掺杂 Ti O2 作为催化剂 ,研究各种因素对甲基橙的超声催化降解反应的影响。结果表明 ,在 Sb2 O5掺杂Ti O2 催化剂作用下 ,甲基橙的超声催化降解效果明显优于单独使用Ti O2 的情况。 1 .5 %掺杂量的催化剂 ,用量在 1 .0～ 1 .5 g/L之间 ,超声波频率 2 5 k Hz,输出功率 1 .0 W/cm2 ,p H为 1 .0～ 3.0时 ,初始浓度为 2 0 mg/L的甲基橙水溶液 ,1 0 0 min左右基本可全部降解 ,COD去除率达到 99.0 %以上。Sb2 O5掺杂 Ti O2

Mg-5Y-3Sm-0.8Ca-0.5Sb合金的蠕变行为

通过蠕变试验、组织观察和理论计算,研究了Mg-5Y-3Sm-0.8Ca-0.5Sb合金在200℃、50MPa和200℃、70MPa条件下的蠕变行为。结果表明,Mg-5Y-3Sm-0.8Ca-0.5Sb合金在200℃时具有与商用耐热镁合金WE43相近的蠕变性能;随着蠕变应力的增大,合金的晶粒尺寸变化不大,晶界变得不明显;应力指数计算值显示,此时蠕变受扩散和晶界滑动两种机制控制。

生长温度对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响

采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性。分析结果表明：室温沉积的薄膜为非晶态；沉积温度为100℃～250℃时，薄膜转变为晶粒尺度约14nm的面心立方结构；300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增，且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系。

溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态薄膜样品 ,在 5 0 0 nm波长以下 ,折射率随溅射功率的增加先增加后减小 ,消光系数则逐渐减小 ;在 5 0 0 nm以上 ,折射率随溅射功率的增加逐渐减少 ,消光系数先减小后增加 .对于晶态薄膜样品 ,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加 ,消光系数则逐渐减少 .(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化 ,在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 .探讨了影响 Ge2 Sb2 Te5

N-Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变特性研究

采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变.此外,通过原位XRD确定结晶温度,表明N引入能够显著提高GST薄膜的结晶温度,这有利于提高相变薄膜的非晶热稳定性.

直接由工业Sb_4O_5Cl_2合成SbOCl阻燃剂

以湿法锑白工艺中的中间产物Sb_4O_5Cl_2为原料，在常温(25℃左右)、低酸([H+]<3.1 mol/L)的温和条件下，合成了高纯度、高白度的微细Sb℃l阻燃剂. 最佳合成条件为：搅拌速度大于40 s(1，反应时间大于16 h， CSb3+≥290 g/L,这时固体Sb_4O_5Cl_2的转化率达100%，产物平均粒度5.90 μm，颗粒为立方晶体. 测试表明，产物Sb℃l的阻燃协效性能优于超细Sb_2O_3，且能降低色料用量, 提高高聚物的透明度.

Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响

相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。

用于乙烷氨氧化反应的高效Sb_2O_3/Co-ZSM-5催化剂

The catalytic ammoxidation of ethane with oxygen and ammonia was investigated over a series(Sb2O3) promoted ion-exchanged Co-ZSM-5 zeolites(Sb2O3/Co-ZSM-5).The introduction of appropriate amount of Sb2O3 can considerably improve the conversion of ethane,suppress the formation of COx,and increase the total C2 selectivity to acetonitrile and ethylene.Among them,the sample with 5% Sb2O3 loading（in mass fraction） shows a 68.4% ethane conversion at 550 ℃, a 51.6% selectivity to acetonitrile and a 31.7% selectivity to ethylene,and a 35.3% yield of acetonitrile were obtained,which is to our knowledge the highest ever reported for the direct ammoxidation of ethane.