脉冲离子束作用下靶面次级电子的抑制

论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制,介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点,提出了脉冲离子束作用下靶面次级电子抑制的自偏势法和曲面靶法等设计思路,并在实验上进行了初步验证。实验结果表明,自偏势电压大于80V后,次级电子得到很好的抑制。在相同束流情况下,曲面靶较平面靶的次级电子产额少。利用实验结果进行估算得到了近似的次级电子产额约为0.67,比文献中的结果(0.58)偏大。对实验中自偏势法抑制反峰电子电流的效果进行了分析和讨论,结果表明:自偏势法不但能够有效抑制离子打靶产生的次级电子,还能抑制由功率源不稳定带来的入射反峰电子流。

拉伸断口表面分形

本工作用ＥＰＭ－８１０电子探针二次电子线扫描法，研究了４５号钢在不同回火温度条件和室温拉伸下试样断口表面的分形。结果表明，分形维数Ｄ＜１．２７９时断口沿晶断裂，１．２７９＜Ｄ＜１．８１３时，断口呈韧性断裂，分形维数Ｄ由小逐渐增大时，金相组织从回火马氏体转变成回火索氏体。

介质部分填充平行平板传输线微放电过程分析

本文主要研究了介质填充微波部件微放电随时间演变的过程,重点分析了介质微波部件微放电自熄灭机理.以介质部分填充平行平板传输线为研究对象,忽略空间电荷效应,采用自主研发粒子模拟软件模拟微放电过程,并将模拟结果与金属微波部件结果进行对比.结果表明,在一定功率下,金属微放电过程中电子数目呈指数形式增长,而介质微放电过程经历初始电子倍增后发生自熄灭现象,同时发现在电子数目即将下降为0时,介质表面的平均二次电子发射系数大于1或约等于1.另外,在上述模拟结果的基础上对微放电过程中介质表面积累电荷问题进一步分析,模拟结果表明,如果持续向微波部件内注入电子,介质表面的平均二次电子发射系数最终都约等于1.所得结论对研究复杂介质填充微波部件微放电的机理具有一定的理论指导价值.

自修复电子器件的研究进展

自修复材料具有自我修复损伤的能力,可以使器件在受外力破坏后一定程度上恢复原有结构和功能,因而可以提高电子器件的耐用性和使用寿命。首先介绍了自修复材料的种类和对应的自修复原理,然后重点论述了近年来报道的具有自修复能力的超级电容器、二次电池、太阳能电池以及传感器方面的研究进展,举例说明了自修复电子器件设计策略以及发展现状,分析了相关改性措施对器件性能与自修复能力的影响,并进一步讨论了自修复材料的作用机理与应用前景。最后总结了自修复电子器件当下待解决的问题,并对其未来发展方向进行了展望。

考虑空间电荷自洽作用和绝缘磁场的单边multipactor模型

在考虑了波束相互作用腔中的射频场、聚焦磁场和空间电荷产生的静电场及空间电子束形成自洽相互作用的基础上,针对典型的高功率微波器件——磁绝缘线振荡器建立了单边次级电子倍增模型,统计分析了整个倍增过程中次级电子数目及器件腔壁吸收碰撞电子能量随时间的变化规律,给出了不同聚焦磁场值和电子碰撞角时次级电子的倍增情况.

二元溶剂体系对含仲胺基团苝酰亚胺衍生物自组装与光电性能的影响

设计了一种含仲胺基团的苝酰亚胺衍生物N,N-二(2-乙基乙二胺基)-1,6,7,12-四(4-叔丁基苯氧基)-3,4,9,10-苝酰亚胺(B-PDI-1),并采用紫外吸收光谱与荧光光谱研究了B-PDI-1在四氢呋喃(THF)/H_(2)O混合溶剂中的光物理性质;通过扫描电镜(SEM)与X射线粉末衍射(XRD)表征B-PDI-1在THF/H_(2)O中所形成的聚集体形态结构;利用循环伏安法(CV)与Guassion模拟运算研究了其变色机理;使用电化学工作站测定了聚集体的J-V曲线与瞬态光响应,并评估了它的光伏性能。结果表明,B-PDI-1在THF/H_(2)O二元溶剂体系自组装过程中由红色变为蓝色,其紫外吸收光谱则出现了红移现象,在THF含量f THF=10%时达到了最大值35.4 nm,随着THF/H_(2)O二元溶剂体系中THF含量减少,荧光强度将会逐渐降低,但始终存在着微弱的荧光,意味着B-PDI-1具有J型聚集的特征;B-PDI-1在不同THF/H_(2)O比例的混合溶液中都能形成具有明确形貌的聚集体,在不同THF含量的溶液中分别获得了螺旋带状、长斜四边形、棒状、类球形以及长直纳米带等纳米结构;随着该组装体系中THF含量发生变化,分子堆积方式也将改变,分子间的微扰作用集中体现在HOMO能级的提高,由于不同聚集体能带的差异导致了颜色的变化,且在f_(THF)=10%时B-PDI-1的光波转化效率达到最大值(0.43%)。