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Effects of Nonparabolicity on Electron Thermopower of Size-Quantized Semiconductor Films
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作者 BAHSHELI Guliyev AKBAR Barati Chiyaneh +1 位作者 NOVRUZ Bashirov GENBER Kerimli 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第7期151-155,共5页
Effects of nonparabolicity of energy band on thermopower, in-plane effective mass and Fermi energy are inves- tigated in size-quantized semiconductor films in a strong while non-quantized magnetic field. We obtain the... Effects of nonparabolicity of energy band on thermopower, in-plane effective mass and Fermi energy are inves- tigated in size-quantized semiconductor films in a strong while non-quantized magnetic field. We obtain the expressions of these quantities as functions of thickness, concentration and nonparabolicity parameter. The influence of nonparabolicity is studied for degenerate and non-degenerate electron gases, and it is shown that nonparabolicity changes the character of thickness and the concentration dependence of thermopower, in-plane effective mass and Fermi energy. Moreover, the magnitudes of these quantities significantly increase with respect to the nonparabolicity parameter in the case of strong nonparabolicity in nano-films. The concentration depen- dence is also studied, and it is shown that thermopower increases when the concentration decreases. These results are in agreement with the experimental data. 展开更多
关键词 Effects of Nonparabolicity on Electron Thermopower of Size-Quantized semiconductor films
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Ultraviolet photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films 被引量:3
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作者 Changqi Zhou Qiu Ai +3 位作者 Xing Chen Xiaohong Gao Kewei Liu Dezhen Shen 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第4期7-17,共11页
Ultraviolet(UV) photodetectors have attracted more and more attention due to their great potential applications in missile tracking, flame detecting, pollution monitoring, ozone layer monitoring, and so on. Owing to t... Ultraviolet(UV) photodetectors have attracted more and more attention due to their great potential applications in missile tracking, flame detecting, pollution monitoring, ozone layer monitoring, and so on. Owing to the special characteristics of large bandgap, solution processable, low cost, environmentally friendly, etc., wide bandgap oxide semiconductor materials, such as ZnO, ZnMgO, Ga_2O_3, TiO_2, and Ni O, have gradually become a series of star materials in the field of semiconductor UV detection. In this paper, a review is presented on the development of UV photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films. 展开更多
关键词 PHOTODETECTOR ULTRAVIOLET OXIDE semiconductor film
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IMPS STUDIES OF SEMICONDUCTOR CdSe THIN FILM ELECTRODE
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作者 Yuan LIN Xu Rui XIAO The Center of Photoelectrochemistry,Institute of Photographic Chemistry Academia Sinica,Beijing 100101 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 1993年第9期815-816,共2页
The kinetics of interracial processes of CdSe thin film electrode before and after sur- face modification of 1,1'-di linolene ferrocenyl L-B films have been studied in K_4Fe(CN)_6 solution by Intensity Modulated P... The kinetics of interracial processes of CdSe thin film electrode before and after sur- face modification of 1,1'-di linolene ferrocenyl L-B films have been studied in K_4Fe(CN)_6 solution by Intensity Modulated Photocurrent Spectroscopy(IMPS).Potential dependence of surface state relaxation time(T_s),steady state photocurrent(I_s),collection coefficient of minority carriers(G_o), rate constant of photocorrosion(K_(cr)),and density of surface state(N_(ss))were determined in terms of frequency response analysis of IMPS plots. 展开更多
关键词 IMPS STUDIES OF semiconductor CdSe THIN film ELECTRODE CDSE
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Relations between compositional modulation and atomic ordering degree in thin films of ternary Ⅲ-Ⅴ semiconductor alloys
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作者 张丽平 郑震 +4 位作者 梁家昌 乐小云 邹超 刘焕礼 刘冶 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第12期4619-4621,共3页
This paper derives the expressions for the ordering degree and the modulation factor of A and B atoms in AXB1-xC epilayers of ternary III-V semiconductor alloys. Using these expressions, it identifies quantitatively t... This paper derives the expressions for the ordering degree and the modulation factor of A and B atoms in AXB1-xC epilayers of ternary III-V semiconductor alloys. Using these expressions, it identifies quantitatively the alternating atom-enhanced planes, compositional modulations, atomic ordering degree on the group-III sublattices and the fine structure of NMR spectra. 展开更多
关键词 atomic ordering degree enhanced factor ternary III-V semiconductor alloy thin film
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Alternating current characterization of nano-Pt(Ⅱ)octaethylporphyrin(PtOEP) thin film as a new organic semiconductor 被引量:1
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作者 M Dongol M M El-Nahass +2 位作者 A El-Denglawey A A Abuelwafa T Soga 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期426-432,共7页
Alternating current(AC) conductivity and dielectric properties of thermally evaporated Au/Pt OEP/Au thin films are investigated each as a function of temperature(303 K–473 K) and frequency(50 Hz–5 MHz).The fre... Alternating current(AC) conductivity and dielectric properties of thermally evaporated Au/Pt OEP/Au thin films are investigated each as a function of temperature(303 K–473 K) and frequency(50 Hz–5 MHz).The frequency dependence of AC conductivity follows the Jonscher universal dynamic law.The AC-activation energies are determined at different frequencies.It is found that the correlated barrier hopping(CBH) model is the dominant conduction mechanism.The variation of the frequency exponent s with temperature is analyzed in terms of the CBH model.Coulombic barrier height Wm,hopping distance Rω,and the density of localized states N(EF) are valued at different frequencies.Dielectric constant ε1(ω,T) and dielectric loss ε2(ω,T) are discussed in terms of the dielectric polarization process.The dielectric modulus shows the non-Debye relaxation in the material.The extracted relaxation time by using the imaginary part of modulus(M’’)is found to follow the Arrhenius law. 展开更多
关键词 PtOEP thin films AC conductivity dielectric constants organic semiconductors solar cell nano materials
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基于稀疏成像的半导体薄膜材料界面缺陷检测
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作者 李聪 谭明 +1 位作者 刘小标 李辉 《计算机仿真》 2024年第1期197-200,226,共5页
复杂背景下检测半导体薄膜材料界面微小缺陷具有一定的难度,为了精准检测半导体薄膜材料界面缺陷,提出一种稀疏成像下半导体薄膜材料界面缺陷检测方法。扫描采集半导体薄膜材料界面二维图像,对含有噪声的半导体薄膜材料界面实施小波分解... 复杂背景下检测半导体薄膜材料界面微小缺陷具有一定的难度,为了精准检测半导体薄膜材料界面缺陷,提出一种稀疏成像下半导体薄膜材料界面缺陷检测方法。扫描采集半导体薄膜材料界面二维图像,对含有噪声的半导体薄膜材料界面实施小波分解,获取不同频带的子图像。低频图像保持不变,选择对应的模板对高频图像滤波处理,将滤波处理后的高频图像和低频图像两者合成,获取去噪后的图像。通过机器视觉定位薄膜材料界面的缺陷位置,提取缺陷区域特征,采用稀疏成像对特征参数修正,完成半导体薄膜材料界面缺陷检测。仿真结果表明,采用所提方法可以获取更加精准的检测结果,用时比较短,满足高效与高精度检测需求。 展开更多
关键词 稀疏成像 半导体 薄膜材料 界面缺陷检测 小波分解
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VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究
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作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页
具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多
关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质
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硫属钙钛矿BaZrS_(3)及其制备的研究进展和展望
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作者 丁涛 李晴雯 +1 位作者 徐玉琦 钟敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第6期922-929,共8页
铅卤钙钛矿的毒性和稳定性仍然是当前待解决的研究难题,有必要寻求无毒、稳定的“神似”铅卤钙钛矿的新型光电材料。硫属钙钛矿ABX3(X=S,Se)由于高度稳定、组成元素丰富且无毒,具有良好的光学和电学特性,可用于各种光电材料,成为关注的... 铅卤钙钛矿的毒性和稳定性仍然是当前待解决的研究难题,有必要寻求无毒、稳定的“神似”铅卤钙钛矿的新型光电材料。硫属钙钛矿ABX3(X=S,Se)由于高度稳定、组成元素丰富且无毒,具有良好的光学和电学特性,可用于各种光电材料,成为关注的焦点。当前研究最广泛的硫属钙钛矿BaZrS_(3)具有合适的直接带隙、优异的光吸收、良好的载流子传输性能、优异的化学稳定性和环境友好性,极具发展潜力。本文综述了BaZrS_(3)在理论计算、粉体及薄膜材料制备方面的最新进展,尤其对BaZrS_(3)的制备做了深入分析,并对BaZrS_(3)研究中的关键问题进行了分析和展望。本综述将为新进入这一领域的研究者提供重要借鉴,促进安全、稳定、环境友好的新一代光电材料的进一步发展。 展开更多
关键词 硫属钙钛矿 光电材料 钡锆硫 半导体 薄膜材料
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喷墨打印高迁移率铟锌锡氧化物薄膜晶体管
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作者 赵泽贤 徐萌 +4 位作者 彭聪 张涵 陈龙龙 张建华 李喜峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期377-384,共8页
采用喷墨打印工艺制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)半导体薄膜,并应用于底栅顶接触结构薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT).研究了墨水的溶剂成分以及溶质浓度对打印薄膜图案轮廓的影响.结果表明二元溶剂IZTO墨水中... 采用喷墨打印工艺制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)半导体薄膜,并应用于底栅顶接触结构薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT).研究了墨水的溶剂成分以及溶质浓度对打印薄膜图案轮廓的影响.结果表明二元溶剂IZTO墨水中乙二醇溶剂可有效平衡溶质向内的马兰戈尼回流与向外的毛细管流,避免了单一溶剂墨水下溶质流动不平衡造成IZTO薄膜的咖啡环状沉积轮廓图案,获得均匀平坦的薄膜图案轮廓和良好接触特性,接触电阻为820Ω,优化后IZTO TFT器件的饱和迁移率达到16.6 cm^(2)/(V·s),阈值电压为0.84 V,开关比高达3.74×10^(9),亚阈值摆幅为0.24 V/dec.通过打印薄膜凝胶化模型解释了IZTO墨水溶剂成分、溶质浓度与最终薄膜形貌的关系. 展开更多
关键词 喷墨打印 金属氧化物半导体 咖啡环效应 薄膜晶体管
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GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
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作者 马玉麟 郭祥 丁召 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期25-37,共13页
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。 展开更多
关键词 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜 多量子阱材料 量子点材料 MBE MOVPE
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基于模板剥离法制备高性能钙钛矿单晶薄膜光电探测器
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作者 单东明 张瀚文 +2 位作者 张庆文 张虎 丁然 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期195-203,共9页
近年来,杂化钙钛矿半导体材料由于其带隙可调、吸收系数高、载流子迁移率高、成本低廉等诸多优点,在光电器件领域备受青睐,如太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等。其中,钙钛矿单晶薄膜因其无晶界、杂质和缺陷含量低等特点,展现出... 近年来,杂化钙钛矿半导体材料由于其带隙可调、吸收系数高、载流子迁移率高、成本低廉等诸多优点,在光电器件领域备受青睐,如太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等。其中,钙钛矿单晶薄膜因其无晶界、杂质和缺陷含量低等特点,展现出更为优异的光学、电学特性,成为制备高性能光电器件的理想材料体系。然而,钙钛矿单晶薄膜常采用空间限域法直接生长在空穴传输层上,不可避免地将导致界面缺陷和载流子层间输运等问题,严重制约了钙钛矿单晶薄膜光电探测器的性能。为此,本文通过引入模板剥离法工艺技术,在钙钛矿单晶薄膜两侧分别蒸镀功能层材料,制备了结构为Cu/BCP/C_(60)/MAPbBr_(3)/MoO_(3)/Ag的钙钛矿单晶薄膜光电探测器。基于模板剥离法,两侧蒸镀的功能层与钙钛矿单晶薄膜接触紧密,将有效改善载流子的注入和传输;同时,优化的器件结构以及考虑能带匹配等因素可实现高灵敏、响应快速的钙钛矿单晶薄膜光电探测器。改进后器件的开关比高达3.1×10^(3),响应度可达7.15 A/W,探测率为5.39×10^(12)Jones,外量子效率达到1794%。该工作为进一步改善和提升钙钛矿单晶薄膜光电探测器的探测性能提供了一种可行性技术方案。 展开更多
关键词 杂化钙钛矿半导体材料 钙钛矿单晶薄膜 模板剥离法 光电探测器
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Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用
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作者 仇鹏 刘恒 +10 位作者 朱晓丽 田丰 杜梦超 邱洪宇 陈冠良 胡玉玉 孔德林 杨晋 卫会云 彭铭曾 郑新和 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期50-71,共22页
Ⅲ族氮化物半导体由于包含了宽的直接禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度、高电子迁移率等优异的性质,自从发展以来便成为半导体领域中的一个热点.并且由于其禁带宽度可以从近紫外涵盖到红外区域,因此在传统半导体所难以实现的短波... Ⅲ族氮化物半导体由于包含了宽的直接禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度、高电子迁移率等优异的性质,自从发展以来便成为半导体领域中的一个热点.并且由于其禁带宽度可以从近紫外涵盖到红外区域,因此在传统半导体所难以实现的短波长光电子器件领域,也具有广阔的应用前景.原子层沉积由于其特殊的沉积机制可以在较低的温度下实现Ⅲ族氮化物半导体的高质量制备,通过调整原子层沉积的循环比也可以方便地调整合金材料中的成分.发展至今,原子层沉积已经成为制备Ⅲ族氮化物及其合金材料的一种重要方式.因此,本文着重介绍了近期使用原子层沉积进行Ⅲ族氮化物半导体及其合金的沉积及应用,包括使用不同前驱体、不同方式、不同类型原子层沉积,在不同温度、不同衬底上进行氮化物半导体及其合金的沉积.随后讨论了原子层沉积制备的Ⅲ族氮化物材料在不同器件中的应用.最后总结了原子层沉积在制备Ⅲ族氮化物半导体中的前景和挑战. 展开更多
关键词 原子层沉积 氮化物半导体 薄膜生长
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
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作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性
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纳米氧化锌粒子薄膜的场效应载流子迁移率特性的研究
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作者 杨秋雨 王秀秀 +1 位作者 覃斑 李辰砂 《黑龙江大学工程学报(中英俄文)》 2024年第1期21-26,共6页
将纳米氧化锌粒子制备纳米膜,研究其场效应性能与载流子迁移性能。通过在有机溶剂介质中热分解油酸锌配合物,合成出尺寸均匀的六方相氧化锌纳米晶粒子。以沉积了铝钛氧化物层与铟锡氧化物层的玻璃为载体,通过旋涂工艺将纳米氧化锌粒子... 将纳米氧化锌粒子制备纳米膜,研究其场效应性能与载流子迁移性能。通过在有机溶剂介质中热分解油酸锌配合物,合成出尺寸均匀的六方相氧化锌纳米晶粒子。以沉积了铝钛氧化物层与铟锡氧化物层的玻璃为载体,通过旋涂工艺将纳米氧化锌粒子涂覆于其表面,制备出场效应薄膜晶体管。通过工艺优化,制成的半导体纳米氧化锌薄膜晶体管具有优异的可控结构及致密分布的氧化锌纳米晶体,表现出优异的场效应性能与载流子迁移性能。这种直接由氧化锌纳米晶制备的薄膜晶体管具有非毒性、好的透明性以及优越而稳定的场效应半导体器件性能。该技术可高效,便利且低成本大批量地制备氧化锌薄膜晶体管,便于后续在电子等领域的应用。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米粒子 薄膜晶体管 热分解 半导体
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Fabrication of hexagonal gallium nitride films on silicon (111) substrates 被引量:7
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作者 YANGLi XUEChengshan +2 位作者 WANGCuimei LIHuaixiang RENYuwen 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期221-225,共5页
Hexagonal gallium nitride films were successfully fabricated throughammoniating Ga_2O_3 films deposited on silicon (111) substrates by electrophoresis. The structure,composition, and surface morphology of the formed f... Hexagonal gallium nitride films were successfully fabricated throughammoniating Ga_2O_3 films deposited on silicon (111) substrates by electrophoresis. The structure,composition, and surface morphology of the formed films were characterized by X-ray diffraction(XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), and transmissionelectron microscopy (TEM). The measurement results reveal that the polycrystalline GaN films withhexagonal wurtzite structure were successfully grown on the silicon (111) substrates. Preliminaryresults suggest that varying the ammoniating temperature has obvious effect on the quality of theGaN films formed with this method. 展开更多
关键词 semiconductor materials GaN films ELECTROPHORESIS Ga_2O_3
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Structure and visible photoluminescence of Sm^3+, Dy^3+ and Tm^3+ doped c-axis oriented AlN films 被引量:4
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作者 刘福生 刘泉林 +5 位作者 梁敬魁 骆军 苏俊 张毅 孙宝娟 饶光辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第10期2445-2449,共5页
Visible photoluminescence (PL) has been observed from rare earth (Tm, Sm and Dy)-doped AlN films grown by radio-frequency magnetron reactive sputtering. X-ray diffraction indicates that the films are c-axis-orient... Visible photoluminescence (PL) has been observed from rare earth (Tm, Sm and Dy)-doped AlN films grown by radio-frequency magnetron reactive sputtering. X-ray diffraction indicates that the films are c-axis-oriented hexagonal wurtzite type structure with an average crystal size of about 80-110 nm. Room-temperature PL spectra indicate that the blue emission is due to the transition of ^1D2 to ^3F4 and ^1G4 to ^3H6 intra 4f electron of Tm^3+, the yellow emissions of AlN:Sm are due to ^4G5/2 to the ^6HJ (J=5/2, 7/2, 9/2, 11/2) and the reddish emissions of AlN:Dy correspond to the ^4F9/2 to ^6HJ (J=5/2, 13/2, 11/2 and 9/2) and ^6Fll/2 transitions. 展开更多
关键词 PHOTOLUMINESCENCE Ⅲ-V semiconductor thin film growth
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溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展
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作者 张庆文 单东明 +1 位作者 张虎 丁然 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期572-584,共13页
近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的... 近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的载流子迁移率、更长的载流子复合寿命、更宽的光吸收范围,以及更高的稳定性等优异的性质,可有效减少载流子传输过程中的散射损失,以及在晶界处的非辐射复合,并抑制离子迁移所引起的迟滞效应。采用钙钛矿单晶薄膜作为器件有源层有望制备性能更高效且更稳定的钙钛矿光电器件。目前,已报道的多种钙钛矿单晶薄膜制备方法包括溶液空间限域法、化学气相沉积法、自上而下加工法等,其中溶液空间限域法的发展和应用最为广泛。本文聚焦利用溶液空间限域法制备高质量钙钛矿单晶薄膜的相关方法,以及钙钛矿单晶薄膜在光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和发光二极管等相关器件应用中的研究进展,并对钙钛矿单晶薄膜及其光电器件的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 钙钛矿半导体材料 溶液空间限域法 钙钛矿单晶薄膜 光电子器件 单晶薄膜生长
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A CVD diamond film detector for pulsed proton detection 被引量:3
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作者 王兰 欧阳晓平 +6 位作者 范如玉 金永杰 张忠兵 潘洪波 刘林月 吕反修 卜忍安 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第10期3644-3648,共5页
A chemical vapour deposition (CVD) diamond film detector was prepared and the main characteristics for pulsed proton detection were studied at Beijing Tandem Accelerator. The result shows that the charge collection ... A chemical vapour deposition (CVD) diamond film detector was prepared and the main characteristics for pulsed proton detection were studied at Beijing Tandem Accelerator. The result shows that the charge collection efficiency of the detector increases with increasing electric field intensity and reaches to 9.44% at 5 V/μm with the charge collection distance of 15.9 μm. The relationship between the sensitivity of the detector and proton energy is consistent with the Monte Carlo (MC) simulation result. Its plasma time for a pulse with 4.85×10^5 protons is 1l.2ns. The dose threshold for onset of damage under 9MeV proton irradiation in the detector is about 10^13 cm^-2. All of the results show that a CVD diamond detector has fast time response and high radiation hardness, and can be used in pulsed proton detection. 展开更多
关键词 pulsed proton detection CVD diamond film semiconductor detector
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Optical and Electrical Properties of ZnO/CdO Composite Thin Films Prepared by Pulse Laser Deposition 被引量:4
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作者 ZHENG Bi-Ju LIAN Jian-She ZHAO Lei JIANG Qing 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第1期167-170,共4页
ZnO/CdO composite films with different CdO contents are obtained by pulse laser deposition technique. The structural, optical and electrical properties of the composite [liras are investigated by x-ray diffraction, ph... ZnO/CdO composite films with different CdO contents are obtained by pulse laser deposition technique. The structural, optical and electrical properties of the composite [liras are investigated by x-ray diffraction, photolu- minescence and electrical resistivity measurements, respectively. The results show that the UV emission is at a constant peak position in the photoluminescence spectra. Meanwhile, their electrical resistivity decreases to very low level approaching to the value of the CdO film, which can be explained by the Matthiessen composite rule for resistivity. The peculiarity of low resistivity and high transnlittance in the visible region enables these Rims suitable for optoelectronic device fabrication. 展开更多
关键词 Condensed matter: electrical magnetic and optical semiconductors Surfaces interfaces and thin films
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Effect of substrate temperature on microstructural and optical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition 被引量:1
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作者 HE Jianting ZHUANG Huizhao XUE Chengshan WANG Shuyun HU Lijun XUE Shoubin 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第2期161-165,共5页
ZnO thin films were deposited on n-Si (111) at various substrate temperatures by pulsed laser deposition (PLD). X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), Fourier transform infrared spectrophotometer (F... ZnO thin films were deposited on n-Si (111) at various substrate temperatures by pulsed laser deposition (PLD). X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), Fourier transform infrared spectrophotometer (FTIR), and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the structure, morphology, and optical property of the ZnO thin films. An optimal crystallized ZnO thin film was obtained at the substrate temperature of 600℃. A blue shift was found in PL spectra due to size confinement effect as the grain sizes decreased. The surfaces of the ZnO thin films were more planar and compact as the substrate temperature increased. 展开更多
关键词 semiconductor materials ZnO thin film PLD hexagonal wurtzite structure
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