有源电力滤波器驱动保护电路的设计及仿真分析

本文根据有源电力滤波器的应用环境和运行特点,设计了IGBT驱动保护电路,并对保护效果展开了仿真验证。采用RCD吸收电路实现过电压保护,利用过电流检测与“软关断”方法实现过电流保护,运用散热片和温控开关实现过热保护。根据设计方案,使用Multisim 14.0仿真软件,分别进行了驱动电路正常工作仿真和瞬时过流故障仿真。结果表明,在正常工况下,输出驱动信号的仿真值与理论值十分接近;在发生瞬时过流故障时,经过1μs的延时后触发保护动作,在故障排除后电压缓慢恢复至正常电压,达到了驱动保护目的。

基于SG3525的新型高压开关电源的研制

应用SG3525PWM控制器、采用单端反激式变换器,设计制作了一种高压开关电源,并对该电源的设计进行了详细分析,对所采用的模块进行了详细介绍.实际应用表明,此高压开关电源具有稳定性好、体积小、响应速度快等优点.能广泛应用于要求高电压、低电流的小型电源系统中.

步进电机驱动控制系统的设计和实现

研究并实现了较大功率步进电机的驱动控制系统。采用分立元件搭建功率驱动电路,在充分研究SI-7600时序分配器的基础上,对不同控制方式进行了对比研究,分析了电路设计中存在的问题并提出了有效的解决方案,成功地实现了电机的正转、反转、加速、减速、启动和停止等功能。实验证明:系统运行稳定可靠。能广泛应用于数字控制领域。

智能功率模块IGBT-IPM及其应用

介绍了一种新型的大功率电力电子器伯IGBT-IPM智能功率模块。给出了模块的内部电路结构及功能特点 ,逐一讨论了IPM的内置电气功能 ,提出了完整的应用电路实例 ,对使用中应注意的问题进行了较详细的说明。

光耦合器HCPL-316J在IGBT驱动电路中的应用

为避免常用IGBT驱动模块外围电路复杂,保护功能欠缺,工作稳定性和可靠性不足的缺陷,引入了门极驱动光耦合器HCPL-316J,给出了一种应用HCPL-316J的典型电路,对其结构及工作原理进行了分析.通过实验验证了该器件在IGBT驱动电路中的可靠性和实用性.

大功率IGBT驱动过流保护电路研究

针对IGBT驱动过流保护问题,提出了分离元件驱动过流保护电路和模块驱动过流保护电路.文中给出了分离元件驱动过流保护电路和模块驱动过流保护电路,并详细分析了两者的工作原理,指出了它们之间的优缺点.

2SD315A集成驱动器的驱动与保护性能

2SD315A作为一种高集成度的驱动器，其内置短路与过流保护电路具有保护自恢复的功能，该保护动作的阈值电压通过外接的参考电阻可灵活设定，可在0～100kHz的频率范围内驱动单管或半桥的上下管2个IGBT，且只需1路直流电源．在实验的基础上，分析了2SD315A集成驱动器驱动与保护的性能，给出了2SD315A在感应加热电源应用中的实验结果．实验结果证明，2SD315A驱动能力强，保护功能有效且可靠，为大功率驱动器的首选模块．

霓虹灯电子变压器设计的探索

对霓虹灯电子变压器的主要技术要求和存在的问题进行了探讨,并探索设计一款具有较高功率因数、具有断路保护和短路保护电路、能长时间安全稳定运行的电子变压器.

全砖激光驱动电源模块的研制

随着半导体制造工艺的进步以及半导体激光器应用领域的拓展,目前半导体激光器对大功率,小型化驱动电源的需求越来越迫切,推动着驱动电源朝着更高功率密度、模块化的方向发展。基于BUCK电路设计了一款全砖激光驱动电源模块,电源模块整机尺寸为116.8 mm×61 mm×12.7 mm,最大输出电流12 A,最大自适应输出电压为50 V,电流纹波峰峰值小于35 mA,电流稳定度达到了0.067%。同时驱动电源模块设计有过流保护电路,保证了激光器负载可靠安全工作,目前也已在某项目中成功应用。

基于IR2136与MOSFET的无刷直流电机驱动电路设计

针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。

压电晶体执行器驱动电路设计及保护

压电晶体执行器的性能及寿命,极大程度上取决于驱动电路的性能。压电晶体执行器驱动电路性能的优异,取决于驱动电路对电流的控制。该文设计了一种基于STM32单片机控制的压电晶体执行器驱动电路,具有过电流自保护功能,提出了一种压电晶体驱动策略。

IGBT的强驱动与保护电路

设计了运用２个Ｎ沟道ＶＭＯＳ管组成高电压推挽式输出电路，研制了一种绝缘栅双极型晶体管模块（ＩＧＢＴ）的强驱动与保护模块，为解决大功率ＩＧＢＴ（６００Ａ／１２００Ｖ以上）的高速开关驱动问题提供了一种新的实用方法．

基于V_(CE)检测的阈值可调型IGBT过流保护设计

IGBT光耦驱动芯片的去饱和检测端阈值电压固定不可调,一般为6.5 V~10 V,此阈值保留的IGBT过流余量较大,难以将过载电流限制在过流发生的初期,给应用造成不便。提出一种通过改变PWM波占空比调整检测阈值的方法,设计了采用光耦、电压基准TL431和比较器LM2903的低成本方案,并详细分析了该电路的保护原理。该电路具有简单可靠、调试方便、利于生产等优点。实验表明,IGBT过流检测电路能迅速、准确地响应并动作,使IGBT在不同的过流情况下得到及时有效的保护。