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题名非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性研究
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作者
宛德福
胡用时
李佐宜
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机构
华中理工大学固体电子学系
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出处
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1989年第6期151-154,共4页
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文摘
磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属(以下缩写为RE-TM)材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以(Tb,Gd)<sub>x</sub>-(Fe,Co)<sub>1-x</sub>为基础的合金薄膜系列里,Tb-Gd-Co比Gd-Fe-Co有更大的矫顽力,这对提高存储密度是有利的.此外,Tb-Gd-Co材料还可以提供稍大的克尔(Kerr)旋转角θ<sub>k</sub>和宽温特性.近年来,人们很重视非晶Tb-Gd-Co膜的研究,Togami首先报道Tb-Gd-Co膜,随后,Luborsky等人从实验肯定Tb-Gd-Co膜用作磁光介质的稳定性.为使Tb-Gd-Co材料达到实用化,本文研究了溅射参数对非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性的影响。
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关键词
Tb─Gd─Co
合金薄膜
磁性材料
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Keywords
Alloy thin film
Perpendicular anisotropy
Kerr rotation angle
Bias-voltage
short range pair-order ing
Columnar structure
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分类号
TM274
[一般工业技术—材料科学与工程]
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