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Sensitivity investigation of 100-MeV proton irradiation to SiGe HBT single event effect
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作者 冯亚辉 郭红霞 +7 位作者 刘益维 欧阳晓平 张晋新 马武英 张凤祁 白如雪 马晓华 郝跃 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期554-562,共9页
The single event effect(SEE) sensitivity of silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(Si Ge HBT) irradiated by 100-Me V proton is investigated. The simulation results indicate that the most sensitive positi... The single event effect(SEE) sensitivity of silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(Si Ge HBT) irradiated by 100-Me V proton is investigated. The simulation results indicate that the most sensitive position of the Si Ge HBT device is the emitter center, where the protons pass through the larger collector-substrate(CS) junction. Furthermore, in this work the experimental studies are also carried out by using 100-Me V proton. In order to consider the influence of temperature on SEE, both simulation and experiment are conducted at a temperature of 93 K. At a cryogenic temperature, the carrier mobility increases, which leads to higher transient current peaks, but the duration of the current decreases significantly.Notably, at the same proton flux, there is only one single event transient(SET) that occurs at 93 K. Thus, the radiation hard ability of the device increases at cryogenic temperatures. The simulation results are found to be qualitatively consistent with the experimental results of 100-Me V protons. To further evaluate the tolerance of the device, the influence of proton on Si Ge HBT after gamma-ray(^(60)Coγ) irradiation is investigated. As a result, as the cumulative dose increases, the introduction of traps results in a significant reduction in both the peak value and duration of the transient currents. 展开更多
关键词 silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(si Ge HBT) 100-Me V proton technology computer-aided design(TCAD) single event effect(SEE)
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盐浴等温热处理对超高强硬线钢100Si组织和性能的影响 被引量:1
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作者 郭洛方 徐凯 +2 位作者 高永彬 孙强 牛斌 《特殊钢》 2023年第3期84-89,共6页
通过测定100Si钢Φ14 mm盘条等温TTT曲线和设计盐浴热处理工艺实验对100Si钢盘条强塑性进行工艺技术研究。结果表明:100Si钢的鼻尖温度为580℃左右,对应等温转变孕育期最短时间为5 s左右,且100Si钢等温相变行为对温度十分敏感;随盐浴等... 通过测定100Si钢Φ14 mm盘条等温TTT曲线和设计盐浴热处理工艺实验对100Si钢盘条强塑性进行工艺技术研究。结果表明:100Si钢的鼻尖温度为580℃左右,对应等温转变孕育期最短时间为5 s左右,且100Si钢等温相变行为对温度十分敏感;随盐浴等温温度(510~580℃)的升高,盘条抗拉强度以及断面收缩率呈降低趋势;随离线奥氏体化温度升高,100Si钢盘条的珠光体球团尺寸增加;与热轧盘条相比,盐浴热处理条件下盘条的索氏体片层间距分布比较集中,且索氏体片层间距随着盐浴温度的降低而减小;温度低于920℃时,100Si钢中的V将以VC的形式在奥氏体中析出,且VC在铁素中的析出发生在珠光体转变之后;在较低的奥氏体化温度以及较低的盐浴温度下盘条中析出的VC粒子质量分数较少,会减弱析出强化;920℃离线奥氏体化、530℃盐浴等温的热轧盘条具有最好的索氏体相强化效果与析出强化效果之间的平衡,其较好的力学性能为抗拉强度1 650 MPa,断面收缩率32.5%。 展开更多
关键词 桥梁缆索 100si 盐浴热处理 片层间距 析出强化
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Sub-nano Layers of Li, Be, and Al on the Si(100) Surface: Electronic Structure and Silicide Formation
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作者 Victor Zavodinsky Oga Gorkusha 《Semiconductor Science and Information Devices》 2023年第1期11-17,共7页
Within the framework of the density functional theory and the pseudopotential method,the electronic structure calculations of the“metal-Si(100)”systems with Li,Be and Al as metal coverings of one to four monolayers(... Within the framework of the density functional theory and the pseudopotential method,the electronic structure calculations of the“metal-Si(100)”systems with Li,Be and Al as metal coverings of one to four monolayers(ML)thickness,were carried out.Calculations showed that band gaps of 1.02 eV,0.98 eV and 0.5 eV,respectively,appear in the densities of electronic states when the thickness of Li,Be and Al coverings is one ML.These gaps disappear with increasing thickness of the metal layers:first in the Li-Si system(for two ML),then in the Al-Si system(for three ML)and then in the Be-Si system(for four ML).This behavior of the band gap can be explained by the passivation of the substrate surface states and the peculiarities of the electronic structure of the adsorbed metals.In common the results can be interpreted as describing the possibility of the formation of a two-dimensional silicide with semiconducting properties in Li-Si(100),Be-Si(100)and Al-Si(100)systems. 展开更多
关键词 Kohn-Sham method PSEUDOPOTENTIALS si(100)surface Sub-nano metal layers Density of states Two-dimensional silicides Semiconducting properties
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Characteristics of In_(0.52)Al_(0.48)As Grown on InP(100) Substrates by Molecular Beam Epitaxy: Growth Optimisation and Effects of Si Doping
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作者 S.F.Yoon(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyng Avenue,Singapore 639798, Rep. of Singapore) 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第2期91-98,共8页
Growth of In0.52Al0.48As epilayers on InP (100) substrates by molecular beam epitaxy at a wide range of substrate tempreatures (470~550℃) and at different Si doping levels has been carried out. Low temperature photol... Growth of In0.52Al0.48As epilayers on InP (100) substrates by molecular beam epitaxy at a wide range of substrate tempreatures (470~550℃) and at different Si doping levels has been carried out. Low temperature photoluminescence (PL) and double-axis X-ray diffraction (XRD) analyses shaw a strong dependence of the PL and XRD linewidths, XRD intensity ratio (Lepi/Isub), and lattice-mismatch on the substrate temperature. The X-ray diffraction peaks of samples grown at law temperatures show a composition of smaller peaks, indicating the presence of disorder due to alloy clustering. Raman scattering measurements of the same samples show an additional higher energy mode at 273 cm-1 in addition to the InAs-like and AlAs-like longitudinal-optic (LO) phonon modes. Samples doped with Si show an inverted S-shaped dependence of the PL peak energy variation with the temperature which weakens at high doping levels due to a possible reduction in the donor binding energy. Supported be observations of a reduction in both the AlAs-like and InAs-like LO phonon frequencies and a broadening of the LO phonon line shape as the doping level is increased, the PL intensity also shows in increasing degrees at higher doping levels, a temperature dependence which is characteristic of disordered and amorphous materials. 展开更多
关键词 As Grown on InP Characteristics of In Growth Optimisation and Effects of si Doping substrates by Molecular Beam Epitaxy INP AL si
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Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文) 被引量:4
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作者 孙国胜 罗木昌 +5 位作者 王雷 赵万顺 孙艳玲 曾一平 李晋闽 林兰英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期421-425,共5页
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的... 单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。 展开更多
关键词 3C-siC 碳化硅 拉曼光谱 RAMAN光谱 蓝宝石(0001)衬底 晶格失配度 热膨胀系数失配度 背散射
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Ti/Si(100)样品在快速退火(RTA)时的界面反应的研究 被引量:4
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作者 朱永法 曹立礼 +1 位作者 林惠旺 陈立 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第1期34-42,共9页
运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界... 运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界面反应,形成了TiSi_2金属硅化物相。在750℃RTA后,TiSi_2相已基本形成完善,再提高RTA温度,TiSi_2相增加甚少。快速热退火过程不同于一般的慢退火过程,主要通过TiSi_2晶格传递Si,从而促使界面处的钛和硅的继续反应。界面扩散的速度很快,TiSi_2物相的形成速度由Ti和Si的反应速度限制,不受Si扩散效应的影响。此外,俄歇线形分析还揭示了,在硅化物的形成过程中,钛硅物相在各界面层中的存在形式。 展开更多
关键词 TI si(100) 退火 界面反应 硅化钛
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无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文) 被引量:2
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作者 孙国胜 孙艳玲 +6 位作者 王雷 赵万顺 罗木昌 张永兴 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期567-573,共7页
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 ( 3 C- Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 ( RHEED)和扫描电镜( SEM)技术详细研究了... 在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 ( 3 C- Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 ( RHEED)和扫描电镜( SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程和碳化层的表面形貌 ,获得了制备无坑洞 3 C- Si C/Si的优化碳化条件 ,采用霍尔 ( Hall)测试等技术研究了外延材料的电学特性 ,研究了 n- 3 C- Si C/p- Si异质结的 I- V、C- V特性及 I- V特性对温度的依赖关系 .室温下 n- 3 C- Si C/p- Si异质结二极管的最大反向击穿电压达到 2 2 0 V,该 n- 3 C- Si C/p- Si异质结构可用于制备宽带隙发射极 Si C/Si 展开更多
关键词 LPCVD 无坑洞n-3C-siC/p-si 异质结特性
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Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究 被引量:2
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作者 孙国胜 孙艳玲 +5 位作者 王雷 赵万顺 罗木昌 李建平 曾一平 林兰英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期130-134,共5页
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C Si... 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。 展开更多
关键词 硅衬底 si(100)衬底 n-3C-siC/p-si异质结 结构研究 3C-siC外延膜 碳化硅 扫描电子显微镜 SEM
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Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附 被引量:1
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作者 钟战天 王大文 +1 位作者 范越 李承芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期104-110,共7页
利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表... 利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表面上存在As原子层而使吸附位置减少一半。另外,通过吸附动力学分析得知,Si(100)—As表面的初始粘附系数是5.6×10^(-3),比清洁的Si(100)表面小一个数量级。Si表面上As的钝化作用是Si原子的悬挂键态被As原子的占有孤立对态代替而形成。 展开更多
关键词 si-As表面 纯化效应 氧吸附
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用单纯形法研究si(100)2×1表面的再构 被引量:1
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作者 资剑 张开明 《计算物理》 CSCD 北大核心 1989年第1期67-70,共4页
本文用单纯形方法,研究Si(100)2×1表面及以下几层原子的驰豫。对金刚石、Ge的(100)2×1结构也做了计算。
关键词 单纯形法 si(100)2*1 再构
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Si(100)面的STM观察 被引量:1
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作者 张兆祥 井藤浩志 市ノ川竹男 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第1期49-55,共7页
使用超高真空扫描隧道显微镜(STM)观察了Si(100)面,得到了清洁Si(100)面的STM像。从Chadi模型的形成和表面原子的各向异性扩散分析了STM像的两种类型的台阶棱。Si(100)面的STM像存在许多缺陷,缺陷位置能从在同一区域样品上加正负偏压的... 使用超高真空扫描隧道显微镜(STM)观察了Si(100)面,得到了清洁Si(100)面的STM像。从Chadi模型的形成和表面原子的各向异性扩散分析了STM像的两种类型的台阶棱。Si(100)面的STM像存在许多缺陷,缺陷位置能从在同一区域样品上加正负偏压的STM像来确定。 展开更多
关键词 STM si(100) 表面结构
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Mn在Si(100)表面化学吸附电子结构的研究
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作者 危书义 马丽 +1 位作者 戴现起 汪建广 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2002年第4期47-50,共4页
用TB—LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Mn原子在不同位置的吸附能 .结果表明 ,Mn原子在C位 (四重位 )吸附最稳定 ,在Mn/Si(10 0 )界面存在Mn、Si混合层 .
关键词 MN si(100)表面 化学吸附 电子结构 层投影态密度 电子转移 TB-LMTO方法
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氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究
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作者 阳生红 CHATELET Marc 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期30-33,共4页
利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合... 利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。 展开更多
关键词 四极质谱仪 氢化si(100)表面 脱附 氢分子角分布
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有机分子PTCDA在P型Si单晶(100)晶面的生长机理
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作者 张旭 张杰 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期790-794,共5页
对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PT... 对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相。利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,其结合能为532.4 e V;苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合,其结合能为289.0 e V;在界面处,悬挂键上的Si原子与PTCDA酸酐中的C、O原子结合,形成C—Si—O键及C—Si键,构成了界面层的稳定结构。 展开更多
关键词 有机半导体材料PTCDA P-si(100)晶面 生长机理
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抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
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作者 张秀芳 杜红文 +3 位作者 张瑞丽 张亚萍 孙法 席珍强 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2010年第2期283-286,共4页
采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温... 采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响,局部腐蚀速率差减小,硅片表面较为平整。另外,硅片在质量分数为20%~30%的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小,是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快,而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。 展开更多
关键词 si(100)单晶片 表面粗糙度 温度 NaOH浓度
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金刚石膜在Si(100)衬底上的选择沉积 被引量:2
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作者 常开朋 程文娟 +3 位作者 江锦春 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期610-612,共3页
采用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,利用铜网作为模板实现了在sj(100)衬底上金刚石膜的选择沉积。用场发射扫描电子显微镜(SEM)、Raman散射谱对样品进行了表征与分析。并与同样生长条件下未采用模板时得到的金刚石样品进行了... 采用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,利用铜网作为模板实现了在sj(100)衬底上金刚石膜的选择沉积。用场发射扫描电子显微镜(SEM)、Raman散射谱对样品进行了表征与分析。并与同样生长条件下未采用模板时得到的金刚石样品进行了比较。结果发现,采用模板后,金刚石膜的成核密度和质量都得到很大提高。 展开更多
关键词 金刚石膜 si(100) 硅衬底 微波等离子体化学气相沉积 铜网 模板 选择沉积
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靶基距对Cu/Si(100)薄膜结构和残余应力的影响 被引量:2
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作者 孟笛 蒋智韬 +2 位作者 李玉阁 高剑英 雷明凯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期86-92,共7页
采用高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)技术在Si(100)基体上沉积Cu薄膜,SEM观察薄膜厚度及生长特征、XRD分析薄膜晶体结构、nanoindentor测量薄膜纳米硬度和弹性模量、Stoney公式计算薄膜残余应力,研究沉积过程靶基距对Cu/Si(100)薄膜沉积... 采用高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)技术在Si(100)基体上沉积Cu薄膜,SEM观察薄膜厚度及生长特征、XRD分析薄膜晶体结构、nanoindentor测量薄膜纳米硬度和弹性模量、Stoney公式计算薄膜残余应力,研究沉积过程靶基距对Cu/Si(100)薄膜沉积速率、微结构及残余应力的影响。随着靶基距的增大,薄膜沉积速率降低,薄膜的生长结构由致密T区向I区转变,Cu(111)择优生长的晶粒逐渐减小,薄膜纳米硬度和弹性模量也相应降低,残余拉应力约为400 MPa。较小靶基距时增加的沉积离子通量和能量,决定了薄膜晶粒合并长大体积收缩过程的主要生长形式,导致了Cu/Si(100)薄膜具有的残余拉应力状态。MPPMS工艺的高沉积通量和粒子能量可实现对Cu/Si(100)薄膜残余应力的调控。 展开更多
关键词 高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS) Cu/si(100) 薄膜 靶基距 残余应力 Stoney公式
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100t LD-LF-RH-CC流程冶炼60Si2Mn弹簧钢非金属夹杂研究 被引量:2
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作者 刘飞 岳峰 +2 位作者 刘佳伟 肖波 翟万里 《特殊钢》 北大核心 2020年第4期15-18,共4页
试验60Si2Mn弹簧钢(/%:0.58C,1.75Si,0.75Mn,0.012P,0.005S,0.006Als,0.008Alt)的工艺流程为100 t转炉不加铝饼脱氧,采用硅铁脱氧,控制终点[C]≥0.08%,出钢温度1 620~1 660℃,LF到站温度≥1 500℃,精炼时间不少于35 min,RH真空度≤100 P... 试验60Si2Mn弹簧钢(/%:0.58C,1.75Si,0.75Mn,0.012P,0.005S,0.006Als,0.008Alt)的工艺流程为100 t转炉不加铝饼脱氧,采用硅铁脱氧,控制终点[C]≥0.08%,出钢温度1 620~1 660℃,LF到站温度≥1 500℃,精炼时间不少于35 min,RH真空度≤100 Pa并且保持时间≥20 min,软吹前喂入硅钙线100 m进行变性夹杂物处理,150 mm方坯采用全程保护浇铸。分析结果表明,钢中氧含量在RH精炼过程中到达最低,在中间包阶段又有所回升。在LF精炼中,钢液增氮明显。夹杂物成分以Al2O3、SiO2、MgO和CaO为主,在LF精炼过程中,SiO2含量下降了26.7%,MgO和CaO含量上升了36.7%,最终铸坯中夹杂物成分为33%Al2O3,20.7%SiO2,45%MgO和CaO,减少了钢中高硬度夹杂物的含量。 展开更多
关键词 100 t LD-LF-RH-CC流程 弹簧钢60si2Mn 夹杂物 尺寸 成分
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退火温度对蓝宝石衬底上Mg_(2)Si薄膜质量和光学性质的影响
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作者 廖杨芳 谢泉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期492-499,共8页
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜,研究了退火温度(375~475℃)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 ℃时Mg_(2)Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质... 采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜,研究了退火温度(375~475℃)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 ℃时Mg_(2)Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质量最好,未见明显可观测的MgO相。扫描电镜(SEM)结果表明,所有样品表面均呈现清晰可见的规则六边形,且退火温度对形貌影响较小。拉曼光谱结果显示所有样品均呈现出Mg_(2)Si薄膜的特征峰(256 cm^(-1)附近的F_(2g)振动模),同时出现345 cm^(-1)附近的F_(1u)(LO)声子模,表明生成样品均为结晶良好的Mg_(2)Si薄膜。对薄膜光学性质的研究结果表明,随着退火温度升高,样品光学带隙先增大后减小。 展开更多
关键词 材料 薄膜 Mg_(2)si 退火温度 蓝宝石衬底 光学带隙
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乙炔和乙烯分子在Si(100)表面吸附的几何和电子结构的密度泛函研究
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作者 秦改萍 蔡亚萍 +3 位作者 邢伯蕾 李奕 章永凡 李俊 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第14期1305-1312,共8页
采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究.结果表明:无论是吸附乙炔还是乙烯分子,当覆盖度为0.5ML时,最为稳定的吸附方式为dimerized模型;当覆盖度增大到1.0ML... 采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究.结果表明:无论是吸附乙炔还是乙烯分子,当覆盖度为0.5ML时,最为稳定的吸附方式为dimerized模型;当覆盖度增大到1.0ML时,end-bridge模型为最稳定的吸附方式.通过对各吸附模型的能带结构分析可知,体系的带隙变化可以通过考察表层Si—Si二聚体中Si原子的配位环境来确定.对于相同的吸附模型,无论吸附分子是乙炔还是乙烯,都具有非常相近的带隙.吸附构型以及吸附分子的覆盖度对最小带隙及其来源有较大影响.此外,研究结果还表明,杂化密度泛函方法更适合于描述Si(100)表面的电子结构,尤其是对end-bridge吸附模型. 展开更多
关键词 密度泛函理论 si(100)表面 乙烯 乙炔 能带结构
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