Growth mechanism and quantum confinement effect of silicon nanowires

The methods for synthesizing one-dimensional Si nanowires with controlled diameter are introduced. The mechanism for the growth of Si nanowires and the growth model for different morphologies of Si nanowires are described, and the quantum confinement effect of the Si nanowires is presented.

硅基低维材料的可见光发射机理探讨

Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发，着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si－O化合物年维体系的可见光发射机理，并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。

采用锗硅异质外延方法制备硅量子线

报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。