期刊文献+
共找到482篇文章
< 1 2 25 >
每页显示 20 50 100
p-Si/n-Ga_(2)O_(3)异质结制备与特性研究
1
作者 陈沛然 焦腾 +6 位作者 陈威 党新明 刁肇悌 李政达 韩宇 于含 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期73-81,共9页
本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长T... 本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度优化实验,减少了Si衬底与β-Ga_(2)O_(3)之间的晶格失配与热失配带来的影响,对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,以及具有较低理想因子(42.1)的PN结。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 金属有机化学气相沉积 p-si/n-Ga_(2)O_(3) pn 晶体质量 电学特性
下载PDF
Numerical Analysis on the Effect of n-Si on Cu(In, Ga)Se2 Based Thin-Films for High-Performance Solar Cells by 1D-SCAPS
2
作者 Rasika N. Mohottige Micheal Farndale +1 位作者 Gary S. Coombs Shahnoza Saburhhojayeva 《Open Journal of Applied Sciences》 2024年第5期1315-1329,共15页
We report the performances of a chalcopyrite Cu(In, Ga)Se<sub>2 </sub>CIGS-based thin-film solar cell with a newly employed high conductive n-Si layer. The data analysis was performed with the help of the ... We report the performances of a chalcopyrite Cu(In, Ga)Se<sub>2 </sub>CIGS-based thin-film solar cell with a newly employed high conductive n-Si layer. The data analysis was performed with the help of the 1D-Solar Cell Capacitance Simulator (1D-SCAPS) software program. The new device structure is based on the CIGS layer as the absorber layer, n-Si as the high conductive layer, i-In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>, and i-ZnO as the buffer and window layers, respectively. The optimum CIGS bandgap was determined first and used to simulate and analyze the cell performance throughout the experiment. This analysis revealed that the absorber layer’s optimum bandgap value has to be 1.4 eV to achieve maximum efficiency of 22.57%. Subsequently, output solar cell parameters were analyzed as a function of CIGS layer thickness, defect density, and the operating temperature with an optimized n-Si layer. The newly modeled device has a p-CIGS/n-Si/In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Al-ZnO structure. The main objective was to improve the overall cell performance while optimizing the thickness of absorber layers, defect density, bandgap, and operating temperature with the newly employed optimized n-Si layer. The increase of absorber layer thickness from 0.2 - 2 µm showed an upward trend in the cell’s performance, while the increase of defect density and operating temperature showed a downward trend in solar cell performance. This study illustrates that the proposed cell structure shows higher cell performances and can be fabricated on the lab-scale and industrial levels. 展开更多
关键词 n-si p-CIGS 1D-SCApS Thin-Films In2S3
下载PDF
多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结的制备及紫外探测性能研究
3
作者 杜志伟 贾伟 +5 位作者 贾凯达 任恒磊 李天保 董海亮 贾志刚 许并社 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1326-1336,共11页
本文首先采用紫外光辅助电化学刻蚀(UV-EC)方法制备出了孔隙密度为1.51×10^(10)cm^(-2)、平均孔径为38 nm的多孔n-GaN薄膜;随后在其上通过水浴法沉积了一系列Zn_(x)Cu_(1-x)S复合薄膜,x为0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0,形成的多孔n... 本文首先采用紫外光辅助电化学刻蚀(UV-EC)方法制备出了孔隙密度为1.51×10^(10)cm^(-2)、平均孔径为38 nm的多孔n-GaN薄膜;随后在其上通过水浴法沉积了一系列Zn_(x)Cu_(1-x)S复合薄膜,x为0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0,形成的多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结带隙在2.34~3.51 eV调控;最后基于这些异质结构建出p-n结型紫外探测器。I-V曲线结果表明这些探测器均具有良好的整流特性,特别是n-GaN/p-Zn_(0.4)Cu_(0.6)S探测器性能最优。在暗态下,I_(+3 V)/I_(-3 V)约为1.78×10~5;在偏压为-3 V、光功率密度为432μW/cm^(2)(365 nm)的条件下,光暗电流比超过10~3,上升/下降时间为0.09/39.8 ms,响应度(R)为0.352 A/W,外量子效率(EQE)为119.6%,探测率(D^(*))为3.21×10^(12)Jones。I-t曲线结果表明,多孔n-GaN/p-Zn_(x)Cu_(1-x)S异质结紫外探测器在连续开-关光循环过程中拥有稳定的光电流响应。该研究为制备异质结紫外探测器提供了一定的理论指导和实验数据。 展开更多
关键词 p-Zn_(x)Cu_(1-x)S 多孔n-Gan 异质结 紫外探测器 光暗电流比 响应度
下载PDF
N/P比对锂离子混合型电容器性能的影响研究
4
作者 谢胜男 杨重阳 张灿 《广东化工》 CAS 2024年第11期7-10,40,共5页
锂离子混合型电容器因兼具锂离子电池的高比能量和超级电容器的高比功率优点而被高度重视。然而,负极/正极容量比(N/P)的变化,不仅会在初始循环过程中造成容量损失消耗活性锂,而且可能导致过充电和过放电,对锂离子混合型电容器的长期循... 锂离子混合型电容器因兼具锂离子电池的高比能量和超级电容器的高比功率优点而被高度重视。然而,负极/正极容量比(N/P)的变化,不仅会在初始循环过程中造成容量损失消耗活性锂,而且可能导致过充电和过放电,对锂离子混合型电容器的长期循环稳定性、快充性能和安全性能的影响很大。因此,研究N/P比对于首次库伦效率(ICE)、循环性能、快充性能和安全性能具有重要意义。本文采用活性炭和电池型材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)做复合正极材料(AC/NCM),硬碳(HC)做负极材料,设计并制备了不同N/P比(0.5、0.6、0.8、1.2、1.8、2.7)的软包锂离子混合型电容器,通过一系列研究表明,N/P比远大于1时,对能量密度和首效的发挥不利,N/P比小于1时,对安全性能极为不利。 展开更多
关键词 锂离子混合型电容器 n/p 循环稳定性 快充性能 安全性能
下载PDF
Experiment and Modeling of Pure and Binary Adsorption of n-Butane and Butene-1 on ZSM-5 Zeolites with Different Si/Al Ratios 被引量:6
5
作者 王斐 汪文川 +2 位作者 黄世萍 滕加伟 谢在库 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第3期376-386,共11页
Four ZSM-5 zeolite catalysts with different Si/Al ratios for the catalytic cracking of C4 fractions to produce ethylene and propylene were prepared in this study.First,the adsorption isotherms of pure n-butane and but... Four ZSM-5 zeolite catalysts with different Si/Al ratios for the catalytic cracking of C4 fractions to produce ethylene and propylene were prepared in this study.First,the adsorption isotherms of pure n-butane and butene-1 and their mixtures on these catalysts at 300K and p=0—100kPa were measured using the intelligent gra- vimetric analyzer.The experimental results indicate that the presence of Al can significantly affect the adsorption of butene-1 than that of n-butane on ZSM-5 zeolites.Then,the double Langmuir(DL)model was applied to study the pure gas adsorption on ZSM-5 zeolites for pure n-butane and butene-1.By combining the DL model with the ideal adsorbed solution theory(IAST),the IAST-DL model was applied to model the butene-1(1)/n-butane(2)binary mixture adsorption on ZSM-5 zeolites with different Si/Al ratios.The calculated results are in good agreement with the experimental data,indicating that the IAST-DL model is effective for the present systems.Finally,the adsorp- tion over a wide range of variables was predicted at low pressure and 300K by the model proposed.It is found that the selectivity of butene-1 over n-butane increases linearly with the decrease of Si/Al ratio.A correlation between the selectivity and Si/Al ratio of the sample was proposed at 300K and p=0.08MPa. 展开更多
关键词 正丁烷 丁烯-1 硅铝比 ZSM-5分子筛 吸附 实验 模型
下载PDF
Preparation of a halogen-free P/N/Si flame retardant monomer with reactive siloxy groups and its application in cotton fabrics 被引量:2
6
作者 Peihua Zhao Kuankuan Xiong +1 位作者 Wentao Wang Yaqing Liu 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期1322-1328,共7页
A novel halogen-free phosphorus–nitrogen–silicon flame retardant monomer with reactive siloxy groups,N-(diphenylphosphino)-1,1-diphenyl-N-(3-(triethoxysilyl)propyl) phosphinamine(DPTA) has been synthesized and was a... A novel halogen-free phosphorus–nitrogen–silicon flame retardant monomer with reactive siloxy groups,N-(diphenylphosphino)-1,1-diphenyl-N-(3-(triethoxysilyl)propyl) phosphinamine(DPTA) has been synthesized and was applied to the fire-resistant finishing of cotton fabrics. The molecular structure of DPTA has been well characterized by elemental analysis, FTIR,1H NMR, and ^(31)P NMR spectroscopies. The chemically-grafted cotton fabrics, which were treated with 25 wt% DPTA, were obtained and confirmed by attenuated total reflectance Fourier infrared spectroscopy(ATR-FTIR). The flame retardancy and thermal property of the treated samples were investigated by limited oxygen index(LOI), vertical flammability test(VFT), thermogravimetric analysis(TGA) and microscale combustion calorimeter(MCC). It is noted that in vertical flammability test, the treated samples extinguished immediately upon removing the ignition source, whereas the untreated one was completely burned out. Furthermore, TGA and MCC tests revealed that the treated samples produced a high char formation and a low heated release during combustion. The surface morphology of the untreated and treated samples and the char residues after LOI tests were observed by scanning electron microscopy(SEM). Therefore, all the results showed that the treated cotton fabrics with 25 wt% DPTA apparently improved the fireresistant and thermal performances. 展开更多
关键词 磷氮阻燃剂 棉织物 硅氧烷 基团 活性 单体 无卤 傅里叶红外光谱
下载PDF
Effects of N:P ratio of Artemisia ordosica on growth influenced by soil calcium carbonate 被引量:1
7
作者 YuTing Liang XingDong He +1 位作者 JianTan Guo HongJuan Jing 《Research in Cold and Arid Regions》 CSCD 2018年第4期333-339,共7页
Soil calcium carbonate(CaCO_3) has a strong solid phosphorus effect, and high content of CaCO_3 can significantly reduce the effectiveness of soil phosphorus. To reveal the limiting effect of soil CaCO_3 on the growth... Soil calcium carbonate(CaCO_3) has a strong solid phosphorus effect, and high content of CaCO_3 can significantly reduce the effectiveness of soil phosphorus. To reveal the limiting effect of soil CaCO_3 on the growth of plants on sand land and its mechanism of plant physiology, we performed pot experiments with a two-factor randomized block design and a three-factor orthogonal design for different soil CaCO_3 content treatments using Artemisia ordosica seedlings. In the experiments, we surveyed plant height, aboveground biomass, root length and root weight and analyzed N, P concentrations and RNA content of the seedlings, and discussed the relationships between relative growth rate(RGR) of the seedlings and N:P ratio as well as RNA. Results show that, the RGRs of plant height and above-ground biomass of the seedlings decreased significantly with the increase of soil CaCO_3 content, and those for root length and root weight decreased. The RGRs of plant height and above-ground biomass of the seedlings were significantly negatively correlated with leaf N:P ratios, but significantly positively correlated with leaf RNA content and leaf P concentrations. It can be seen that soil CaCO_3 is a stress factor for the growth of A. ordosica seedlings, and the growth response of the seedlings under the influence of soil CaCO_3 is in line with the Growth Rate Hypothesis. 展开更多
关键词 Artemisia ORDOsiCA relative GROWTH rate n:p ratio RnA SOIL CaCO3
下载PDF
Effects of soil nitrogen:phosphorus ratio on growth rate of Artemisia ordosica seedlings 被引量:1
8
作者 Wei Wu XingDong He +4 位作者 HuaCong Ci Rong Li PingPing Xue YuBao Gao HaLin Zhao 《Research in Cold and Arid Regions》 2010年第4期328-334,共7页
关键词 Artemisia ordosica soil n:p ratio plant n:p ratio plant growth rate nutrient limitation
下载PDF
TiO_2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性 被引量:4
9
作者 向梅 贾振红 涂楚辙 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期218-220,共3页
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS)。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性... 在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS)。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性。结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高。在300~600℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800℃范围内随温度的升高而降低。 展开更多
关键词 n-pS/ppS/si TiO2/n-si/psi nsi/psi 光伏效应
下载PDF
CVI制备Si_3N_(4p)/Si_3N_4透波材料表征与性能 被引量:6
10
作者 刘谊 刘永胜 +2 位作者 张立同 成来飞 徐永东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期979-985,共7页
以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透(CVI)法制备Si3N4p/Si3N4透波材料.XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素.XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物和非晶SiO2,并有微量的β-Si2N4和晶体Si,高温热处理可使... 以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透(CVI)法制备Si3N4p/Si3N4透波材料.XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素.XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物和非晶SiO2,并有微量的β-Si2N4和晶体Si,高温热处理可使非晶沉积物转变为α-Si3N4和β-Si3N4.SEM照片显示颗粒团间结合不够致密,残留气孔偏大.试样的弯曲强度最高为94MPa,介电常数为4.1-4.8. 展开更多
关键词 si3n4p/si3n4透波材料 化学气相渗透(CVI) 弯曲强度 介电常数
下载PDF
Ni-P/Si_3N_4复合镀层在醋酸溶液中腐蚀行为的研究 被引量:6
11
作者 宋振兴 姚素薇 +1 位作者 王宏智 姚颖悟 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2006年第11期1-4,共4页
通过阳极极化曲线、交流阻抗谱和腐蚀失重实验研究了化学镀N i-P/S i3N4复合镀层在20%醋酸溶液中的腐蚀行为,并用SEM观察腐蚀前后镀层的形貌。实验结果表明:镀态N i-P/S i3N4复合镀层的耐蚀性能略高于N i-P合金;镀层中P质量分数升高,镀... 通过阳极极化曲线、交流阻抗谱和腐蚀失重实验研究了化学镀N i-P/S i3N4复合镀层在20%醋酸溶液中的腐蚀行为,并用SEM观察腐蚀前后镀层的形貌。实验结果表明:镀态N i-P/S i3N4复合镀层的耐蚀性能略高于N i-P合金;镀层中P质量分数升高,镀层的耐蚀性能增强;400℃热处理后复合镀层耐蚀性能明显降低。交流阻抗谱显示,N i-P/S i3N4镀层在醋酸溶液中的电极过程是受电荷转移和扩散步骤混合控制的。 展开更多
关键词 复合镀层 ni—p/si3n4 醋酸 腐蚀 阳极极化 交流阻抗
下载PDF
Si_3N_4p/Al复合材料动态压缩性能研究 被引量:1
12
作者 王扬卫 于晓东 +2 位作者 王富耻 马壮 韩国峰 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-9,共3页
采用无压浸渗的方法制备了陶瓷(Si3N4p)含量为34.4%、46.3%和51.4%的3种Si3N4p/Al复合材料,应用分离式霍普金森压杆装置测试了复合材料在不同应变率下的动态压缩性能,并与准静态压缩性能进行了比较。分析了应变速率和陶瓷含量对复合材... 采用无压浸渗的方法制备了陶瓷(Si3N4p)含量为34.4%、46.3%和51.4%的3种Si3N4p/Al复合材料,应用分离式霍普金森压杆装置测试了复合材料在不同应变率下的动态压缩性能,并与准静态压缩性能进行了比较。分析了应变速率和陶瓷含量对复合材料动态性能的影响规律,探讨了复合材料微观组织特征对复合材料动态性能的影响机制。研究结果表明,Si3N4p/Al复合材料的动态压缩强度高于准静态压缩强度;在动态压缩过程中,高应变率载荷导致复合材料铝合金基体中具有高位错累积速率和较高的温升,因而复合材料动态压缩响应表现为"应变率硬化"效应和"热软化"效应的耦合。复合材料的动态压缩强度随着陶瓷含量增加而增加;热软化效应则随陶瓷含量增加、铝合金变形能力下降而相应减弱。 展开更多
关键词 复合材料 si3n4p/Al 动态性能 应变率硬化 热软化
下载PDF
无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文) 被引量:2
13
作者 孙国胜 孙艳玲 +6 位作者 王雷 赵万顺 罗木昌 张永兴 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期567-573,共7页
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 ( 3 C- Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 ( RHEED)和扫描电镜( SEM)技术详细研究了... 在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 ( 3 C- Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 ( RHEED)和扫描电镜( SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程和碳化层的表面形貌 ,获得了制备无坑洞 3 C- Si C/Si的优化碳化条件 ,采用霍尔 ( Hall)测试等技术研究了外延材料的电学特性 ,研究了 n- 3 C- Si C/p- Si异质结的 I- V、C- V特性及 I- V特性对温度的依赖关系 .室温下 n- 3 C- Si C/p- Si异质结二极管的最大反向击穿电压达到 2 2 0 V,该 n- 3 C- Si C/p- Si异质结构可用于制备宽带隙发射极 Si C/Si 展开更多
关键词 LpCVD 无坑洞n-3C-siC/p-si 异质结特性
下载PDF
热处理温度对Si_3N_(4p)/Al复合材料组织和性能的影响 被引量:1
14
作者 王扬卫 于晓东 +2 位作者 王富耻 张维官 马壮 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期36-39,共4页
对压力浸渗制备的Si3N4p/Al复合材料在800~950℃下进行热处理,测试复合材料的相组成、弯曲强度、硬度和断裂韧度变化,观察复合材料断裂特征。结果表明,850℃是一个重要的热处理温度点,在此温度下-βSi3N4和Al开始发生显著的界面反应;对S... 对压力浸渗制备的Si3N4p/Al复合材料在800~950℃下进行热处理,测试复合材料的相组成、弯曲强度、硬度和断裂韧度变化,观察复合材料断裂特征。结果表明,850℃是一个重要的热处理温度点,在此温度下-βSi3N4和Al开始发生显著的界面反应;对Si3N4p/Al复合材料进行850℃以上热处理可以提高复合材料的硬度、强度,但断裂韧度有所下降;950℃热处理的45vol%Si3N4p/Al复合材料弯曲强度达到498MPa,硬度达到373HBS5/750,断裂韧度为7MPa.m1/2,具有良好的强韧性配合;复合材料断裂以Si3N4陶瓷颗粒脆性解理和铝合金塑性撕裂两种形式为主,少有陶瓷颗粒/铝基体界面解离的情形。 展开更多
关键词 si3n4p/Al复合材料 界面反应 力学性能 热处理
下载PDF
n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究 被引量:1
15
作者 熊超 朱锡芳 +5 位作者 陈磊 陆兴中 袁洪春 肖进 丁丽华 徐安成 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期787-790,803,共5页
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流... 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 p-CuI/n-si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
下载PDF
(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
16
作者 韦文生 王天民 +2 位作者 张春熹 李国华 卢励吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期745-750,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于... 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 展开更多
关键词 (p)nc-si H薄膜 (p)nc si H/(n)c si异质结 变容二极管
下载PDF
(Ni-P)-纳米Si_3N_4复合刷镀层结构及性能研究 被引量:1
17
作者 张玉峰 《电镀与环保》 CAS CSCD 2003年第6期25-26,共2页
关键词 复合刷镀 (ni—p)-纳米si3n4 悬浮性 耐磨性 镀层硬度 沉积速度
下载PDF
cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
18
作者 陈光华 邓金祥 +3 位作者 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期483-486,共4页
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和... 用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。 展开更多
关键词 立方氮化硼/硅n-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性
下载PDF
p-CuSCN/n-Si异质结的光电特性研究
19
作者 熊超 朱锡芳 +3 位作者 陈磊 袁洪春 潘雪涛 周祥才 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期464-468,共5页
采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明,CuSCN/n-Si异质结存在... 采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明,CuSCN/n-Si异质结存在良好的整流特性;由于在p-CuSCN/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大的缘故,在正向电压,无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 p-CuSCn n-si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
下载PDF
NP配施对平茬后云南松苗木N、P、K化学计量比的影响 被引量:1
20
作者 陆庄跃 杨振欣 +3 位作者 郑超凡 罗茜 蔡年辉 许玉兰 《植物研究》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期218-230,共13页
为了解NP配施对平茬后云南松(Pinus yunnanensis)苗木各器官N、P、K化学计量比的影响,分析云南松苗木不同器官(根、茎、叶、萌条)的ω(N)∶ω(P)、ω(N)∶ω(K)、ω(P)∶ω(K)化学计量比的季节变化特征,探讨各器官间N、P、K化学计量比... 为了解NP配施对平茬后云南松(Pinus yunnanensis)苗木各器官N、P、K化学计量比的影响,分析云南松苗木不同器官(根、茎、叶、萌条)的ω(N)∶ω(P)、ω(N)∶ω(K)、ω(P)∶ω(K)化学计量比的季节变化特征,探讨各器官间N、P、K化学计量比的相关性及其变异来源。采用N、P二因素三水平的3×3回归设计开展不同施肥试验,并对苗木采样测定,研究NP配施对平茬后云南松根、叶、茎及其萌条N、P、K化学计量特征的影响。结果表明:平茬后云南松苗木不同器官的营养元素分配没有统一的规律,展现出丰富的变异。随着施肥季节的变化,ω(N)∶ω(P)在根、茎和萌条中逐渐下降,在叶中先下降后上升,但总体差异不大。单施N肥、P肥和NP配施均对云南松苗木生长的影响产生一定差异,总体来看NP配施更有利于促进苗木的生长,且以处理5(N_(1)P_(1))表现为极显著(P<0.01)。云南松苗木各器官N、P、K化学计量比主要受N×P交互作用的影响,其次是N,影响最小的是P。除在根和叶中ω(N)∶ω(P)与ω(N)∶ω(K)之间相关性发生改变之外,其余两两间的正负相关性均保持不变,而ω(N)∶ω(P)与ω(P)∶ω(K)、ω(N)∶ω(K)与ω(P)∶ω(K)的相关性均随着施肥季节的变化相关性发生改变,且相关系数降低,分别受P和K的调控。平茬改变植株体内的营养元素含量,不同施肥处理促使云南松各器官中N、P、K化学计量特征差异极显著(P<0.01)。NP配施可以有效缓解单施N肥、P肥对植株的限制作用,使养分处于一个平衡状态,从而满足植株对生长的需要。 展开更多
关键词 云南松 np配施 施肥季节 化学计量比
下载PDF
上一页 1 2 25 下一页 到第
使用帮助 返回顶部