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硅基低维材料的可见光发射机理探讨 被引量:2
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作者 彭英才 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期146-151,共6页
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词 应变层异质结 量子细线 纳米团簇 锗化硅
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