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硅基低维材料的可见光发射机理探讨
被引量:
2
1
作者
彭英才
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期146-151,共6页
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词
应变层异质结
量子细线
纳米团簇
硅
锗化硅
下载PDF
职称材料
题名
硅基低维材料的可见光发射机理探讨
被引量:
2
1
作者
彭英才
机构
河北大学电子与信息工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期146-151,共6页
基金
河北省自然科学基金!595076
文摘
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词
应变层异质结
量子细线
纳米团簇
硅
锗化硅
Keywords
SiGe Strained Heterojunction
Si Quantum Wire
Si Nanometer Cluster
si-o compound zero dimesional system
Visible Light Emission
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基低维材料的可见光发射机理探讨
彭英才
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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