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紧凑型Si-PIN探测器的低温制冷控制电路设计
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作者 邓皓文 曾国强 +2 位作者 杨剑 田成帅 胡传皓 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第5期901-906,共6页
针对便携式X荧光光谱仪,设计了紧凑型Si-PIN探头低温控制电路。低温制冷器采用微型半导体电制冷片,其恒流控制电路利用低噪声的线性稳压器来避免引入电子学噪声,并利用闭环控制保证温度的稳定性。前级供电采用高效率的DC-DC电路稳压,以... 针对便携式X荧光光谱仪,设计了紧凑型Si-PIN探头低温控制电路。低温制冷器采用微型半导体电制冷片,其恒流控制电路利用低噪声的线性稳压器来避免引入电子学噪声,并利用闭环控制保证温度的稳定性。前级供电采用高效率的DC-DC电路稳压,以降低探测器的整体热耗散。Si-PIN探测器安装在制冷片的陶瓷电路板上,并真空封装在TO-8管座内来维持低温制冷效果。实验测试结果表明,探测器可稳定保持在-35℃的低温工作环境,对59.5 keV能量获得的能量分辨率从常温下的2.70%提高到1.47%。 展开更多
关键词 便携式X荧光光谱仪 si-pin探测器 温度控制 能量分辨率
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偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响 被引量:7
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作者 曹学蕾 王焕玉 +7 位作者 张承模 陈勇 杨家伟 梁晓华 汪锦州 高旻 张家宇 马国峰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期796-800,共5页
偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏... 偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。 展开更多
关键词 si-pin探测器 偏置电压 能量分辨率
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平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制 被引量:6
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作者 张万昌 何高魁 +2 位作者 黄小健 乌如恭桑 孙亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期227-229,共3页
叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温... 叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果。 展开更多
关键词 平面工艺技术 si-pin探测器 能量分辨率
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用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计 被引量:4
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作者 刘洋 田华阳 +3 位作者 何高魁 黄小健 郝晓勇 继世梁 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期317-321,共5页
介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PI... 介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。 展开更多
关键词 电荷灵敏 晶体管反馈 低噪声 高分辨率 si-pin探测器
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用于电致冷Si-PIN探测器的掌上型电源系统的研制 被引量:3
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作者 林延畅 姜海静 +3 位作者 葛良全 赖万昌 曾兵 程锋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-24,35,共4页
介绍一套用于电致冷S i-P IN半导体探测器的掌上型电源系统的设计。系统采用集成电路方案与表面贴装元件(SM D)制作,具有体积小、重量轻、效率高、稳定性高、纹波噪声小和成本低等特点。内置可充电电池能维持一台XR-100CR型探测器工作7... 介绍一套用于电致冷S i-P IN半导体探测器的掌上型电源系统的设计。系统采用集成电路方案与表面贴装元件(SM D)制作,具有体积小、重量轻、效率高、稳定性高、纹波噪声小和成本低等特点。内置可充电电池能维持一台XR-100CR型探测器工作7h以上,适合在各种基于S i-P IN探测器的现场X荧光分析系统中推广应用。提出了一种温控致冷电源的理论设计与实现方法,并对无变压器式、高稳定度、低纹波高压偏置电源的制作技术进行了讨论。 展开更多
关键词 现场X荧光分析 si-pin探测器 温控PWM电源 便携式 稳定性
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层叠式Si-PIN伽玛探测器 被引量:1
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作者 张国光 欧阳晓平 +3 位作者 张前美 王群书 黄龙生 张显鹏 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期242-244,共3页
利用Monte-Carlo方法对新研制的层叠式Si-PIN伽玛探测器的伽玛灵敏度进行了理论计算。结果表明,层叠式Si-PIN伽玛探测器相对于单个的Si-PIN探测器具有更高的灵敏度,而且伽玛灵敏度与每层间的聚四氟乙烯片的厚度有关。实验测量的层叠式... 利用Monte-Carlo方法对新研制的层叠式Si-PIN伽玛探测器的伽玛灵敏度进行了理论计算。结果表明,层叠式Si-PIN伽玛探测器相对于单个的Si-PIN探测器具有更高的灵敏度,而且伽玛灵敏度与每层间的聚四氟乙烯片的厚度有关。实验测量的层叠式探测器和普通单个探测器对1.25MeV的伽玛灵敏度与理论计算值相当。 展开更多
关键词 能量沉积 灵敏度 MONTE-CARLO方法 γ射线探深器 层叠式si-pin伽玛探测器
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基于ASIC的Si-PIN探测器读出系统 被引量:1
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作者 程泽浩 王焕玉 +9 位作者 曹学蕾 张飞 张承模 杨家伟 张永杰 梁晓华 高曼 彭文溪 张家宇 杨乃杰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期186-190,共5页
为了实现大面积多通道Si-Pin探测器前端电子学的高度集成,设计了一种基于ASIC技术的电子学读出系统。文章主要介绍了该ASIC芯片的特点以及读出电子学的系统结构和工作原理。我们对电子学系统进行了一些测试,给出了连接Si-Pin探测器得到... 为了实现大面积多通道Si-Pin探测器前端电子学的高度集成,设计了一种基于ASIC技术的电子学读出系统。文章主要介绍了该ASIC芯片的特点以及读出电子学的系统结构和工作原理。我们对电子学系统进行了一些测试,给出了连接Si-Pin探测器得到的Am-241源的能谱图。 展开更多
关键词 ASIC si-pin 读出电子学
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测量放射性气体氙同位素的Si-PIN β探测器研制
8
作者 贾怀茂 李奇 +3 位作者 王世联 张新军 樊元庆 赵允刚 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期360-365,共6页
大气中的放射性氙是全面禁止核试验条约组织重点关注的监测对象,提高放射性氙同位素的探测灵敏度和测量准确度是目前全面禁止核试验条约监测领域研究的前沿课题。本文研制了一种采用Si-PIN半导体制作的测量放射性气体氙同位素的β探测器... 大气中的放射性氙是全面禁止核试验条约组织重点关注的监测对象,提高放射性氙同位素的探测灵敏度和测量准确度是目前全面禁止核试验条约监测领域研究的前沿课题。本文研制了一种采用Si-PIN半导体制作的测量放射性气体氙同位素的β探测器,其对^(131)Xe^m的129 keV内转换电子的能量分辨率达11.2%,远优于塑料闪烁体的能量分辨率;氙记忆效应非常小,仅为0.08%。Si-PINβ探测器的优异性能将提高氙样品测量分析的核素识别能力和测量准确度。 展开更多
关键词 全面禁止核试验条约 氙同位素 si-pin
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Si-PIN探测器特征参数的MCNP模拟
9
作者 甘霖 赖万昌 +3 位作者 邓海军 石慧 周云泷 崔荃 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期538-541,共4页
实验运用蒙特卡罗方法模拟X射线在Si-PIN探测器中的能量沉积。针对所选择的每个能量,改变Si-PIN探测器灵敏区厚度、半径,模拟出X射线计数率,从中选择出灵敏区最佳结构组合。并与DeBoer算法和Mcmaster算法的理论计算结果进行对比,结果表... 实验运用蒙特卡罗方法模拟X射线在Si-PIN探测器中的能量沉积。针对所选择的每个能量,改变Si-PIN探测器灵敏区厚度、半径,模拟出X射线计数率,从中选择出灵敏区最佳结构组合。并与DeBoer算法和Mcmaster算法的理论计算结果进行对比,结果表明MCNP5程序能准确地模拟X射线在Si-PIN探测器中的物理过程,且选取的灵敏区最佳组合具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 si-pin探测器 探测效率 灵敏区结构 蒙特卡罗方法
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Si-PIN探测器中子直照灵敏度研究
10
作者 张国光 黄龙生 +4 位作者 张前美 欧阳晓平 宋纪文 张显鹏 周祖英 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期373-375,共3页
介绍了利用K600中子发生器进行Si-PIN探测器灵敏度标定的实验方法,并在实验中测出了Si-PIN探测器对14MeV中子的直照灵敏度。同时,利用MCNP模拟程序对Si-PIN探测器不同能量的中子直照灵敏度进行了理论计算,实验灵敏度处理结果和理论计算... 介绍了利用K600中子发生器进行Si-PIN探测器灵敏度标定的实验方法,并在实验中测出了Si-PIN探测器对14MeV中子的直照灵敏度。同时,利用MCNP模拟程序对Si-PIN探测器不同能量的中子直照灵敏度进行了理论计算,实验灵敏度处理结果和理论计算值较为一致。 展开更多
关键词 si-pin探测器 中子直照灵敏度 中子发生器 灵敏度标定 MCNP程序
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Si-PIN半导体探测器灵敏区厚度的模拟计算
11
作者 谢红刚 刘金良 朱金辉 《现代应用物理》 2017年第3期1-5,共5页
利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析... 利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。 展开更多
关键词 反冲质子 si-pin半导体探测器 Geant4工具包 灵敏区 能量沉积
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Si-PIN与CdTe探测器应用于X射线荧光能谱测量的研究 被引量:2
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作者 胡传皓 曾国强 +5 位作者 葛良全 喻明福 魏世龙 张开琪 杨剑 陈川 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期262-266,共5页
半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入... 半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入射X射线能量、后级电路成型时间等因素对其性能的影响,并对由逃逸峰、空穴拖尾效应所导致的X射线荧光能谱的差异进行分析;同时,针对探测器空穴收集不完全的问题,基于FPGA设计了带有上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器,能够有效消除空穴拖尾的影响,提高能量分辨率。从实验结果可知:对能量低于15keV的射线,Si-PIN与CdTe探测器的探测效率基本相当;对能量大于15keV的射线,CdTe探测器的的探测效率明显占优;Si-PIN探测器的最佳成形时间约为10μs,CdTe探测器的最佳成形时间约为2.6μs,因而CdTe探测器更适用于高计数率条件;对于不同能量的X射线,Si-PIN探测器的能量分辨率优于CdTe探测器;CdTe探测器具有明显的空穴拖尾效应,将CdTe探测器与带上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器配合使用,其能量分辨率显著提高。 展开更多
关键词 si-pin CDTE 能量色散X射线荧光 能谱测量
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离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制 被引量:3
13
作者 宋明东 卜忍安 《真空电子技术》 2011年第6期47-50,共4页
本文系统地介绍了Si-PIN探测器对带电粒子、中子、射线的探测原理。针对灵敏面积为Φ30mm×420μm的Si-PIN探测器,详细地介绍了设计方法和工艺流程,并指出了影响探测器性能的关键工艺。采用离子注入和平面工艺不仅能够降低漏电流,... 本文系统地介绍了Si-PIN探测器对带电粒子、中子、射线的探测原理。针对灵敏面积为Φ30mm×420μm的Si-PIN探测器,详细地介绍了设计方法和工艺流程,并指出了影响探测器性能的关键工艺。采用离子注入和平面工艺不仅能够降低漏电流,提高探测器的能量分辨率,而且使得探测器对高温环境和真空都很稳定。最后初步介绍了探测器的电特性(I-V特性,C-V特性)的变化趋势,以及探测特性参数的测量方法。 展开更多
关键词 si-pin探测器 离子注入 漏电流 能量分辨率
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Si-PIN探测器便携式X荧光分析仪在海洋多金属结核结壳分析中的应用 被引量:12
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作者 吴小勇 陈永君 王毅民 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页
采用自行研制的Si-PIN探测器便携式X射线荧光分析仪对海洋多金属结核、富钴锰结壳样品进行了应用实验 ,测定了Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As、Sr、Y、Zr、Mo和Pb等多种元素 ,并考察了仪器在进行现场分析的可行性。实验证明Si-PIN... 采用自行研制的Si-PIN探测器便携式X射线荧光分析仪对海洋多金属结核、富钴锰结壳样品进行了应用实验 ,测定了Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As、Sr、Y、Zr、Mo和Pb等多种元素 ,并考察了仪器在进行现场分析的可行性。实验证明Si-PIN便携式X射线荧光分析仪能够满足大洋多金属结核和结壳现场分析的基本要求。 展开更多
关键词 X射线荧光分析 多金属结核 富钴锰结壳
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Si-PIN硅条带探测器的电子学测试 被引量:3
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作者 邹鸿 陈鸿飞 +4 位作者 邹积清 宁宝俊 施伟红 田大宇 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期170-173,共4页
采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的... 采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的串扰问题。 展开更多
关键词 硅条带探测器 空间粒子探测 耗尽电容 条间串扰
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基于Si-PIN探测器的电流型计数式α粒子测量 被引量:2
16
作者 田耕 欧阳晓平 +3 位作者 刘金良 李海涛 张显鹏 渠红光 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1678-1684,共7页
为解决基于Si-PIN探测器的传统计数型粒子测量系统在测量低强度脉冲辐射场时存在的计数率低和不能直接测量粒子时间信息的问题,提出了电流型计数测量方法。其原理是对电流型Si-PIN探测器在粒子入射时输出的脉冲信号进行线性放大和高速... 为解决基于Si-PIN探测器的传统计数型粒子测量系统在测量低强度脉冲辐射场时存在的计数率低和不能直接测量粒子时间信息的问题,提出了电流型计数测量方法。其原理是对电流型Si-PIN探测器在粒子入射时输出的脉冲信号进行线性放大和高速数字化,并使用数字信号处理算法进行数据分析以获得粒子测量信息。利用电流型Si-PIN探测器、电流型前置放大器和高带宽数字示波器组建了电流型计数测量系统,并在241 Am-244 Cm和239 Pu源上开展了α粒子测量实验。实现了脉冲幅度谱和粒子入射时间的联合测量,同时利用FIR及IIR型数字滤波器改善了能谱测量的能量分辨率。系统的最大计数率达2×106 s-1,适用于低强度脉冲辐射场测量。 展开更多
关键词 Si—PIN 电流型计数 α粒子测量 数字滤波器 脉冲辐射场
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Si-PIN探测器灵敏体积最优厚度的MC模拟
17
作者 李柯 吴和喜 严川 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第10期985-988,共4页
Si-PIN探测器灵敏材料厚度影响探测时间、探测结果可靠性及设备价格。从能量响应谱的比对研究证实EGS4模拟适用于Si-PIN探测器能量色散X荧光仪的设计分析。通过不同入射X射线对不同厚度灵敏体积的Si-PIN探测器的能量响应模拟研究发现:... Si-PIN探测器灵敏材料厚度影响探测时间、探测结果可靠性及设备价格。从能量响应谱的比对研究证实EGS4模拟适用于Si-PIN探测器能量色散X荧光仪的设计分析。通过不同入射X射线对不同厚度灵敏体积的Si-PIN探测器的能量响应模拟研究发现:探测器灵敏体积最优厚度随待测X射线的能量增加而变厚,厚度与特征峰计数或峰总比的饱和厚度相等。 展开更多
关键词 最优厚度 si-pin探测器 EGS4平台
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多通道Si-PIN探测器漏电流测量系统的设计和实现 被引量:2
18
作者 刘少真 顾煜栋 曹学蕾 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第6期625-627,650,共4页
中能望远镜是硬X射线望远镜卫星三大载荷之一,其探测器采用的是大面积Si-PIN探测器阵列。探测器的漏电流是影响X射线谱仪能量分辨率的一个关键因素。中能望远镜项目组在研发Si-PIN探测器的常温筛选环节中,将探测器漏电流作为一项重要考... 中能望远镜是硬X射线望远镜卫星三大载荷之一,其探测器采用的是大面积Si-PIN探测器阵列。探测器的漏电流是影响X射线谱仪能量分辨率的一个关键因素。中能望远镜项目组在研发Si-PIN探测器的常温筛选环节中,将探测器漏电流作为一项重要考核指标。为了对探测器漏电流实现高精度、快速的测量,研制了多通道Si-PIN探测器漏电流测量系统。测量结果表明,使用该系统得到的漏电流结果精度较高,可直接应用到项目研制中去。 展开更多
关键词 中能望远镜 Si—PIN探测器 漏电流测量 多通道
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Analytic fitting and simulation methods for characteristic X-ray peaks from Si-PIN detector 被引量:2
19
作者 LI Zhe TUO Xianguo +1 位作者 SHI Rui ZHOU Jianbin 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2013年第6期43-49,共7页
A semi-empirical detector response function(DRF)model is established to fit characteristic X-ray peaks recorded in Si-PIN spectra,which is mainly composed of four components:a truncated step function,a Gaussian-shaped... A semi-empirical detector response function(DRF)model is established to fit characteristic X-ray peaks recorded in Si-PIN spectra,which is mainly composed of four components:a truncated step function,a Gaussian-shaped full-energy peak,a Gaussian-shaped Si escape peak and an exponential tail.A simple but useful statistical distribution-based analytic method(SDA)is proposed to achieve accurate values of standard deviation for characteristic X-ray peaks.And the values of the model parameters except for the standard deviation are obtained by weighted least-squares fitting of the pulse-height spectra from a number of pure-element samples.A Monte Carlo model is also established to simulate the X-ray measurement setup.The simulated flux spectrum can be transformed by Si-PIN detector response function to real pulse height spectrum as studied in this work.Finally,the fitting result for a copper alloy sample was compared with experimental spectra,and the validity of the present method was demonstrated. 展开更多
关键词 硅PIN探测器 最小二乘拟合 特征X射线 模拟方法 si-pin探测器 蒙特卡罗模型 响应函数 标准偏差
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用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器的设计 被引量:1
20
作者 张玲玲 何资星 郭凤丽 《电子与封装》 2022年第12期67-72,共6页
设计了一种用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器,该放大器采用低噪声、高带宽、双通道运放芯片AD8066,简化了电路结构,减小了空间体积,实现了电荷灵敏前放与成形电路的一体化设计。经过测试发现,在室温环境下,该放大器能有效对^... 设计了一种用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器,该放大器采用低噪声、高带宽、双通道运放芯片AD8066,简化了电路结构,减小了空间体积,实现了电荷灵敏前放与成形电路的一体化设计。经过测试发现,在室温环境下,该放大器能有效对^(241)Am源和^(137)Cs源γ射线进行探测,其测量电子学等效输入噪声约为0.15 fC,成形时间约为2.5 s,在0.5~100 fC的动态输入电荷范围内,放大增益达24 V/pC,且稳定性良好。此外,该放大器的时间响应速度达10 ns,可应用于高计数率辐射环境下的γ射线探测。 展开更多
关键词 si-pin探测器 电荷灵敏前置放大器 Γ射线
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