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黄铜矿半导体DMS的第一原理计算 被引量:2
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作者 曾永志 黄美纯 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期172-175,共4页
为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr... 为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的 II IV V2 将出现铁磁(FM)状态,而 Mn、Fe或者 Co掺杂的 II IV V2 将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的 I III VI2 的DMS中,Cr、Mn掺杂的 CuGaS2 和 CuGaSe2将表现为FM状态,而当V、Fe、Co或Ni掺杂时,Cu(Ga,TM)S2 和Cu(Ga,TM)Se2 则表现了AFM性质.Cr掺杂的I IV V 以及 I III VI 黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc). 展开更多
关键词 稀磁半导体 过渡金属 双交换作用 黄铜矿 计算方法 磁性稳定性
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反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响 被引量:7
2
作者 胡作启 陈飞 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第4期21-24,共4页
DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>100... DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>10000 时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响十分显著;当 ni/nc<10时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响将会明显减弱,随着空穴浓度的增加,空穴对反铁磁性交换作用有强的抑制作用。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 反铁磁性交换作用
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Growth and Magnetic Properties of Sol-Gel Derived Co-Doped ZnO Thin Film
3
作者 Young Sung Kim Ki Chul Kim Won Pil Tae Dae Ho Yoon Tae Seok Park Su Jeong Suh 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期59-63,共5页
Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahyd... Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahydrate as solutes in solution of isopropanol and monoethanolamine. The films were postheated and vacuum annealed, and investigated for c-axis preferred orientation and electromagnetic properties. Zn1-xCoxO films with different Co concentrations were oriented well along the c-axis, especially the Zn1-xCoxO film with 10% Co(atom fraction) was highly c-axis oriented. The transmittance spectra show that Zn1-xCoxO films occur d-d transition and sp-d exchange interaction between Co2+ ions. The electrical resistivity of the films at 10% Co had the lowest value because the crystallite size became largest and the crystallinity of the c-axis was improved. X-ray photoelectron spectroscopy and alternating gradient magnetometer analyses indicated that no Co metal cluster was formed, and the ferromagnetism at room temperature appeared. The characteristics of the electrical resistivity and room temperature ferromagnetism of sol-gel derived Zn1-xCoxO films suggest a potential application of dilute magnetic semiconductor devices. 展开更多
关键词 SOL-GEL Zn1-xCoxO THIN film dilutE magnetic semiconductor (dms)
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Analysis of magnetic mechanisms of 3d-doped ZnO diluted magnetic semiconductors by an abnormal peak on M-T curve 被引量:1
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作者 PENG YingZi THOMAS Liew +1 位作者 YE ZhiZhen ZHANG YinZhu 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2007年第20期2742-2746,共5页
The crystallographic structures and magnetic properties of a Zn0.95Co0.05O thin film deposited on a C-sapphire substrate using a dual-beam pulsed laser deposition method were characterized. It was shown from crystallo... The crystallographic structures and magnetic properties of a Zn0.95Co0.05O thin film deposited on a C-sapphire substrate using a dual-beam pulsed laser deposition method were characterized. It was shown from crystallographic analysis that the film belongs to the wurtzite structure with the C-axis aligned with that of the substrate. Magnetic hysteresis loops were observed till up to room temperature. A small peak around 55 K was noticed on the magnetization vs. temperature curve. The corresponding temperature of the small peak is close to that of ‘the abnormal peak’ reported by X.M. Zhang et al. From the results obtained, no correlation was found between the abnormal peak and the quantum effects. The magnetic behaviors in the Zn0.95Co0.05O film cannot be explained by the ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors. The magnetic mechanisms in ZnO-based diluted magnetic semiconductors are also discussed. 展开更多
关键词 弱磁半导体 抗磁性 氧化锌 性能
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Controlling magnetism in 2D CrI3 by electrostatic doping
5
作者 Zheng Han 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第8期2-2,共1页
Spin ordering in a semiconductor has attracted much attention in the community of condensed matter physics. By combining ferromagnetism and the semiconducting nature, systems such as Mn-doped PbSnTe or InAs were found... Spin ordering in a semiconductor has attracted much attention in the community of condensed matter physics. By combining ferromagnetism and the semiconducting nature, systems such as Mn-doped PbSnTe or InAs were found to exhibit tunable magnetic properties responsive to an externally applied electric field. It thus holds great promises for developing novel spintronics with the tuning-knobs such as gate voltage. Conventionally, those systems are often studied in bulk forms and commonly referred to diluted magnetic semiconductor (DMS). 展开更多
关键词 Controlling magnetISM 2D CrI3 ELECTROSTATIC DOPING diluted magnetic semiconductor (dms)
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Defect induced room-temperature ferromagnetism and enhanced photocatalytic activity in Ni-doped ZnO synthesized by electrodeposition
6
作者 Deepika Raju Kumar +5 位作者 Ritesh Kumar Kamdeo Prasad Yadav Pratyush Vaibhav Seema Sharma Rakesh Kumar Singh Santosh Kumar 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第10期566-572,共7页
Zn0.90Ni0.10O nanoparticles have been synthesized by single-bath two-electrode electrodeposition at constant voltage. X-ray diffraction, UV vis and photoluminescence studies reveal that a single-phase polycrystalline ... Zn0.90Ni0.10O nanoparticles have been synthesized by single-bath two-electrode electrodeposition at constant voltage. X-ray diffraction, UV vis and photoluminescence studies reveal that a single-phase polycrystalline hcp wurtzite crystal structure of ZnO is evolved. The material consists of a large number of defects such as oxygen vacancy (Ov) and zinc interstitial (Zi). The magnetization study reveals that the sample exhibits room-temperature global ferromagnetism and the ferromagnetic ordering seems to be defect induced via bound magnetic polaron mechanism, and double exchange is also expected to have played role. Interesting optoelectronic properties have been found in the synthesized sample and the material seems to be a potential candidate to be used as a UV sensor. Such a transition metal doped ZnO based dilute magnetic semiconducting system exhibiting room-temperature ferromagnetism is likely to be first of its kind in the sense that such materials have not yet been reported to be synthesized by the simple method of electrodeposition to the best of our knowledge on the basis of ample literature review. 展开更多
关键词 dilute magnetic semiconductors(dms) bound magnetic polaron PHOTOLUMINESCENCE FERROmagnetISM
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ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展 被引量:9
7
作者 赵铧 李韦 +3 位作者 刘高斌 熊稳 王伟 郭富胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期105-109,113,共6页
作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿... 作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米材料 稀磁半导体(dms)
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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展 被引量:5
8
作者 王爱华 张丽伟 +1 位作者 张兵临 姚宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期114-123,共10页
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-m etal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道。本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述。
关键词 自旋电子学 稀磁半导体 ZNO 过渡金属掺杂 室温铁磁性
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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性 被引量:2
9
作者 徐明 胡志刚 +3 位作者 吴艳南 周海平 徐禄祥 周勋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第19期27-33,48,共8页
ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结... ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关。 展开更多
关键词 ZNO 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 发光
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ZnO基稀磁半导体的研究进展 被引量:2
10
作者 蔡淑珍 秦向东 +2 位作者 段平光 李霞 张玉梅 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第3期332-336,共5页
现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度... 现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度存储器、半导体集成电路、半导体激光器和量子计算机等领域将会有广阔的应用前景.本文主要介绍了近年来世界各国研究小组采用不同方法合成的ZnO基稀磁半导体,对其磁性进行了系统研究,分析了铁磁性产生的机理. 展开更多
关键词 氧化锌 晶体 稀磁半导体 铁磁性
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C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:6
11
作者 王腊节 聂招秀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第1期116-122,共7页
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,... 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少. 展开更多
关键词 C掺杂AlN 铁磁性 稀磁半导体(dms) 光学性质 第一性原理
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混合碱法制备立方体状Ni_(1-x)Fe_xO纳米粉体及其磁性分析 被引量:1
12
作者 王娇 刘少辉 +1 位作者 赵利敏 郝好山 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第5期31-35,共5页
采用混合碱法制备了立方体状Ni_(1-x)Fe_xO(x=0,0.01,0.02,0.05)纳米粉体,采用SEM、XRD、Raman光谱和超导量子干涉仪(SQUID)研究了不同浓度Fe掺杂对其形貌、结构及磁性能的影响。测量结果表明:少量的Fe掺杂,对其结构及形貌未产生影响,N... 采用混合碱法制备了立方体状Ni_(1-x)Fe_xO(x=0,0.01,0.02,0.05)纳米粉体,采用SEM、XRD、Raman光谱和超导量子干涉仪(SQUID)研究了不同浓度Fe掺杂对其形貌、结构及磁性能的影响。测量结果表明:少量的Fe掺杂,对其结构及形貌未产生影响,Ni O仍然是Na Cl型立方晶体结构,样品在室温条件下表现出明显的铁磁性,并且饱和磁化强度随着Fe浓度的增加而提高。分析认为样品的室温铁磁性是由于Fe离子对NiO中的Ni的替代,促进了磁性离子键的铁磁性交换作用,从而使其在与反铁磁性交换作用的竞争中占据优势,表现出了显著增强的室温铁磁性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 混合碱法 NIO
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非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
13
作者 孙莉莉 闫发旺 +4 位作者 张会肖 王军喜 曾一平 王国宏 李晋闽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期127-128,139,共3页
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要... 采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN∶Mn退火样品具有室温铁磁特性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 非极性a面p-GaN 离子注入 室温铁磁性
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稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO,Zn_(1-2x)Mn_xNi_xO及Zn_(1-2x)Co_xNi_xO纳米晶体的制备与磁性研究
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作者 高茜 祁阳 姜星星 《纳米科技》 2011年第4期59-63,共5页
利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散谱(EDS)分别对样品的磁性、晶相结构、形貌和成... 利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散谱(EDS)分别对样品的磁性、晶相结构、形貌和成分进行了表征分析,讨论了获得本征铁磁性Zn1-xNixO样品的制备条件,比较了Mn、Co共掺杂对Zn1-xNixO磁性的影响,给出了Ni在ZnO中的固溶度以及实际掺杂浓度与名义掺杂浓度的关系。 展开更多
关键词 稀磁半导体(dms) 溶胶-凝胶法 Zn1-xNixO 室温铁磁性
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Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性 被引量:1
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作者 吴云 廖蕾 +2 位作者 吴幕宏 卢红兵 李金钗 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期291-294,共4页
采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化... 采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据. 展开更多
关键词 离子注入 Si基稀磁半导体 红外光谱 居里温度 磁化率
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共沉淀法制备的Cu掺杂ZnO体系的磁性 被引量:1
16
作者 李云龙 王永强 周远明 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2008年第3期31-33,共3页
利用共沉淀法制备了Cu掺杂的Zn1-xCuxO(x=0,0.01,0.02)系列样品。利用X射线衍射仪(XRD)分析了样品的相成分,结果显示600℃烧结、掺杂浓度为1%的样品为单相纤锌矿结构,掺杂浓度为2%的样品出现第二相CuO。利用综合物性测试仪(PPMS)测量了... 利用共沉淀法制备了Cu掺杂的Zn1-xCuxO(x=0,0.01,0.02)系列样品。利用X射线衍射仪(XRD)分析了样品的相成分,结果显示600℃烧结、掺杂浓度为1%的样品为单相纤锌矿结构,掺杂浓度为2%的样品出现第二相CuO。利用综合物性测试仪(PPMS)测量了样品的室温(300K)及低温(10K)磁性能,结果表明所有样品均呈室温铁磁性,掺杂浓度为1%、600℃烧结样品磁转变温度高于300K。最后简要讨论了铁磁性起因。 展开更多
关键词 Zn1-xCuxO 稀磁半导体 共沉淀法 铁磁性
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过渡金属掺杂CuGaS_2的磁学性质
17
作者 曾志钦 《漳州师范学院学报(自然科学版)》 2005年第3期71-76,共6页
应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据G... 应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据Ga的位置.通过对稀磁半导体(DMS)磁性稳定性的研究,可以发现到:在Cr、Mn掺杂的CuGaS2中,DMS表现为铁磁状态,其居里温度将可能高于(Ga,Mn)As,其他过渡金属掺杂时,DMS则表现为反铁磁状态.并验算了一条判断DMS磁性状态的简单规律. 展开更多
关键词 稀磁半导体(dms) 居里温度(TC) 过渡金属(TM)
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Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN
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作者 尹春海 刘超 +1 位作者 陶东言 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第5期16-19,共4页
N-type, p-type and unintentionally-doped GaN were implanted with Yb ions by double energy ion im- plantation and the samples were annealed at 900 ℃. The structural and magnetic properties of the samples have been stu... N-type, p-type and unintentionally-doped GaN were implanted with Yb ions by double energy ion im- plantation and the samples were annealed at 900 ℃. The structural and magnetic properties of the samples have been studied by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering and with a superconducting quan- tum interference device (SQUID). No second phase has been observed and implantation induced defects can not be completely removed by rapid thermal annealing. The annealed samples show magnetic anisotropy and clear ferromagnetic behavior at room temperature. P-, u- and n-GaN:Yb samples show an effective magnetic moment of 1.60, 1.24 and 0.59 μB/Yb, respectively. 展开更多
关键词 diluted magnetic semiconductors dms room temperature ferromagnetism ion implantation magnetic anisotropy
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Annealing effect on structural and magnetic properties of Tb and Cr co-implanted AIGaN
19
作者 Chun-Hai YIN Chao LIU +1 位作者 Dong-Yan TAO Yi-Ping ZENG 《Frontiers of Materials Science》 SCIE CSCD 2012年第4期366-370,共5页
Unintentionally doped AIGaN layers, which were co.implanted with 400 keV Tb+ ions and 200keV Cr+ ions at doses of 1.5×1015cm-2, have been rapid thermally annealed at 800℃ and 900℃ for 5 min in flowing N2, Com... Unintentionally doped AIGaN layers, which were co.implanted with 400 keV Tb+ ions and 200keV Cr+ ions at doses of 1.5×1015cm-2, have been rapid thermally annealed at 800℃ and 900℃ for 5 min in flowing N2, Compared with Tb implanted AIGaN sample, the Tb and Cr co-implanted sample revesls a larger magnetic signal. In this work, the annealing effect on the structural and magnetic properties of Tb and Cr co-implanted AIGaN thin films have been studied. XRD and raman scattering results indicate that no second phase presents in thetin films and mast of the implantation induced defects can be removed by post-implantation annealing. Superconducting quantum interference device (SQUID) measurements show clear room temperature ferromagnetic behavior and an increase in the saturation magnetization as a result of annealing. The saturation magnetization of the 900℃ annealed sample is about 15 times higher than that of the 800℃ annealed sample. 展开更多
关键词 diluted magnetic semiconductor dms). room temperature ferromagne-tism ion implantation ltl-ride thin film
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3d过渡金属掺杂II-IV-V_2黄铜矿半导体的电磁性质
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作者 林琦 《宁德师专学报(自然科学版)》 2006年第4期374-377,共4页
利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2... 利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM). 展开更多
关键词 稀磁半导体(dms) 过渡金属 双交换作用 铁磁状态
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