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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 被引量:1
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作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期52-56,共5页
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变... 研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变补偿情况也不尽相同 .利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析 ,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时 Ge、C的峰值浓度比 NGe/ NC应满足一定的取值范围 .通过制备不同 C组分的样品对上述结论进行了验证 。 展开更多
关键词 应变补偿 半导体材料 siGEC 三元化合物
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜电学性能的研究
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作者 王印月 刘雪芹 +3 位作者 郭秋芬 龚恒翔 甄聪棉 杨映虎 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期24-27,共4页
采用射频共溅射复合靶(Si+Ge+石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge... 采用射频共溅射复合靶(Si+Ge+石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小。 展开更多
关键词 合金薄膜 电阻率 退火 三元合金
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Design and Fabrication of Power Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications
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作者 薛春来 成步文 +1 位作者 姚飞 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-13,共5页
A multi-finger structure power SiGe HBT device (with an emitter area of about 166μm^2) is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltag... A multi-finger structure power SiGe HBT device (with an emitter area of about 166μm^2) is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V. 展开更多
关键词 siGe HBT POWER RF WIRELESS
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Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 被引量:2
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作者 杨洲 王茺 +2 位作者 王洪涛 胡伟达 杨宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期547-552,共6页
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压... 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系. 展开更多
关键词 应变si1-x gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容
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利用Keating模型计算Si(1-x))Gex及非晶硅的拉曼频移 被引量:3
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作者 段宝兴 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7114-7118,共5页
利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建... 利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029cm-1,与文献实验结果480.0cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态. 展开更多
关键词 Keating模型 拉曼光谱 si(1-x)gex 非晶硅
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Rare Earths and Magnetic Refrigeration 被引量:20
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作者 Karl A Gschneidner Vitalij K Pecharsky 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第6期641-647,共7页
Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrige... Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrigerants in most cooling devices, and for many cooling application the Nd2Fe14B permanent magnets are employed as the source of the magnetic field. The status of the near room temperature magnetic cooling was reviewed. 展开更多
关键词 magnetic refrigeration magnetocaloric effect GADOLINIUM Gd5 si1- x gex 4 La Fe 13 - x six Hy Nd2 Fe14 B permanent magnets active magnetic regenerator cycle rare earths
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