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原位生成SiC-MoSi_2-TiSi_2涂层的工艺条件研究 被引量:8
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作者 焦更生 李贺军 卢国锋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1847-1850,共4页
用一次包埋法制备了C/C复合材料SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷内涂层,对制备涂层的影响因素进行了分析。最终确定的制备条件为制备温度2573K,保温时间为2h,MoSi2和TiC的配比为5∶2。结果表明C/C复合材料表面SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷涂层在150... 用一次包埋法制备了C/C复合材料SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷内涂层,对制备涂层的影响因素进行了分析。最终确定的制备条件为制备温度2573K,保温时间为2h,MoSi2和TiC的配比为5∶2。结果表明C/C复合材料表面SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷涂层在1500℃有氧环境下氧化49h,失重仅仅2.18%,失重率为1.17×10-4g/(cm2.h),具有良好的抗氧化性能。 展开更多
关键词 原位生成 涂层 sic-mosi2-tisi2
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SiC-MoSi_2/ZrO_2-MoSi_2 coating to protect C/C composites against oxidation 被引量:7
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作者 付前刚 张佳平 +2 位作者 张正中 李贺军 孙粲 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期2113-2117,共5页
To improve the oxidation resistance of carbon/carbon (C/C) composites in air at high temperatures, a SiC- MoSi2/ZrO2-MoSi2 coating was prepared on the surface of C/C composites by pack cementation and slurry method.... To improve the oxidation resistance of carbon/carbon (C/C) composites in air at high temperatures, a SiC- MoSi2/ZrO2-MoSi2 coating was prepared on the surface of C/C composites by pack cementation and slurry method. The microstructures and phase compositions of the coated C/C composites were analyzed by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively. The result shows that the SiC-MoSi2/ZrO2-MoSi2 coating is dense and crack-free with a thickness of 250-300 μm. The preparation and the high temperature oxidation property of the coated composites were investigated. The as-received coating has excellent oxidation protection ability and can protect C/C composites from oxidation for 260 h at 1773 K in air. The excellent anti-oxidation performance of the coating is considered to come from the formation of ZrSiO4, which improves the stability of the coating at high temperatures. 展开更多
关键词 carbon/carbon composites sic-mosi2/ZrO2-MoSi2 COATING oxidation resistance
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硅钼含量对C/C复合材料SiC-MoSi_2涂层结构和高温抗氧化性能的影响 被引量:7
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作者 侯党社 李克智 +2 位作者 李贺军 史小红 魏剑 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期283-287,共5页
采用两步包埋法在C/C复合材料表面制备SiC-MoSi2抗氧化复合涂层,通过恒温氧化实验以及X射线衍射分析、扫描电镜观察,研究了包埋粉料中硅钼含量对复合涂层微观结构和高温抗氧化性能的影响。结果表明,随着包埋粉料中硅钼比的减小,涂层的... 采用两步包埋法在C/C复合材料表面制备SiC-MoSi2抗氧化复合涂层,通过恒温氧化实验以及X射线衍射分析、扫描电镜观察,研究了包埋粉料中硅钼含量对复合涂层微观结构和高温抗氧化性能的影响。结果表明,随着包埋粉料中硅钼比的减小,涂层的厚度和致密性先增加后减小,硅钼质量比为6∶1时所制备的复合涂层具有较大的厚度和较为致密的结构,且MoSi2含量相对较高,体现出优良的抗氧化和抗热震性能,在1 500℃氧化87.3 h和经过9次1 500℃室温急冷急热后,带有该涂层的C/C试样失重仅为3.22%。穿透性裂纹的形成是长时间氧化后涂层失效的主要原因。 展开更多
关键词 C/C复合材料 sic-mosi2抗氧化复合涂层 抗氧化性能 抗热震性能
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原位合成MoSi_2反应烧结SiC-MoSi_2复合材料 被引量:3
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作者 郜剑英 蒋明学 +1 位作者 王刚 江莞 《耐火材料》 CAS 北大核心 2003年第5期259-261,266,共4页
将Mo粉和Si粉按1:2的摩尔比,在聚乙烯球磨罐中球磨混合4h,然后与SiC粉按不同的比例配料,加入少量的Al_2O_3微粉和活性炭粉,再共磨混合24h;然后在20MPa的压力下压制成型,在1650℃下、氮气气氛中烧结,保温1h后自然冷却至室温。采用XRD、SE... 将Mo粉和Si粉按1:2的摩尔比,在聚乙烯球磨罐中球磨混合4h,然后与SiC粉按不同的比例配料,加入少量的Al_2O_3微粉和活性炭粉,再共磨混合24h;然后在20MPa的压力下压制成型,在1650℃下、氮气气氛中烧结,保温1h后自然冷却至室温。采用XRD、SEM和EDAX等手段对反应产物的物相组成、组织结构和微区成分进行了分析,结果表明:原位合成MoSi_2反应烧结SiC-MoSi_2复合材料由SiC、MoSi_2以及少量的残余硅组成;其显微组织结构疏松,颗粒堆积呈蜂窝状。根据实验结果,讨论了复合材料显微结构的形成机制,并着重对MoSi_2颗粒聚集区中的空心粒子及其周围分散的小气孔的形成机制进行了阐述。 展开更多
关键词 原位合成 MOSI2 反应烧结 sic-mosi2 复合材料 显微结构
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LPCVD法制备SiC-MoSi_2涂层的形貌及沉积机理研究 被引量:1
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作者 何子博 李贺军 +2 位作者 史小红 付前刚 吴恒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期1-5,共5页
为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理。结果表明,沉积温度对涂层的... 为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理。结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100~1250℃均可成功得到SiC-MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔;1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层;1150~1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积sic-mosi2双相陶瓷涂层沉积温度沉积机理
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TiB_2-TiSi_2复相陶瓷的氧化行为研究
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作者 马爱琼 贺嘉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1670-1673,共4页
采用等温氧化增重法,研究了1650℃热压烧结的TiB2-TiSi2复相陶瓷的高温氧化行为。通过XRD、SEM等分析手段,研究了高温氧化层的物相组成与显微结构,并结合热力学计算,探讨了TiB2-TiSi2复相陶瓷高温抗氧化机理。研究表明:TiB2-TiSi2复相... 采用等温氧化增重法,研究了1650℃热压烧结的TiB2-TiSi2复相陶瓷的高温氧化行为。通过XRD、SEM等分析手段,研究了高温氧化层的物相组成与显微结构,并结合热力学计算,探讨了TiB2-TiSi2复相陶瓷高温抗氧化机理。研究表明:TiB2-TiSi2复相陶瓷的氧化增重随时间变化符合抛物线变化规律;随着在空气中氧化时间延长,氧化增重初期增加较快,进而增加较为平缓,进入钝化氧化阶段;TiB2-TiSi2复相陶瓷的高温抗氧化机理为TiSi2先于TiB2与氧发生反应形成TiO2与SiO2保护层,阻碍了氧气与材料的进一步接触,使材料具有高温自愈合抗氧化性,提高了TiB2-TiSi2复相陶瓷的高温使用温度。 展开更多
关键词 TiB2-tisi2复相陶瓷 抗氧化机理 氧化保护层
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Sr/Si界面沉积SrTiO_3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究
7
作者 邱云飞 杜文汉 王兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期494-502,共9页
本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米... 本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi2和C54-TiSi2.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO3薄膜与Si衬底之间的相互作用. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积术(PLD) 扫描隧道显微镜(STM) SRTIO3 C54-tisi2
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