用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35 nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜。

四氯化硅中硅含量测定及不确定度评定

利用改进的氟硅酸钾容量法测定海绵钛生产工艺中回收四氯化硅中硅含量。采用密封针管取样克服了四氯化硅水解困难,测定范围为5%～85%。同时运用现代统计学理论对影响分析结果的因素进行了讨论分析,通过对方法不确定度的系统分析,确定了方法的标准不确定度±0.31%,扩展不确定度为±0.93%,表明方法的分析过程处于质控状态,结果可靠。

电石渣与四氯化硅综合利用新途径

介绍了单独回收利用电石渣和SiCl4的常见方法,阐述了电石渣和SiCl4综合利用的新途径,即利用电石渣、SiCl4及粉煤灰按一定配比在一定的条件下进行反应,再与碎石(或砾石)进行计量配比,拌和均匀成三渣拌和料,作为一种新型建筑材料。

以四氯化硅为原料合成二氧化硅空心球

首先制备了氨基化的聚苯乙烯微球,然后利用微球做模板,以四氯化硅为原料,在氨水中进行四氯化硅水解,可以得到二氧化硅/聚苯乙烯核壳微球。微球经过煅烧后去除内部的聚苯乙烯,形成二氧化硅空心球结构。所得空心球单分散性好、形貌规整、粒径均匀(直径1.5~2μm),其中球壳厚度在20~30nm之间。