SiF_4制备氟硅酸钠工艺研究

氟硅酸钠作为磷化工行业的一种副产品,广泛的应用于陶瓷、农业、建筑、医学等行业。介绍了一种新的氟硅酸钠合成方法,对合成过程中的反应温度、反应时间两个因素进行了探索。并对原料气体SiF4的制备和及其进样量做了简单的分析。实验表明,在600℃时,SiF4可以和氟化钠在较短的接触时间内进行反应,得到纯度高达98.76%的氟硅酸钠。

外电场作用下SiF_4分子的特性研究

采用密度泛函B3LYP方法在6-31++g(3df,3pd)基组水平上,优化得到SiF4分子在不同外电场下(-0.04~0.04 a.u.)的基态稳定构型、偶极矩、HOMO能级、LUMO能级、能隙、谐振频率和红外光谱强度.结果表明,分子结构与外电场有着强烈的依赖关系,随着正向电场的增大,分子总能量和能隙都先增大后减小,分子偶极矩随正向外电场的增大先减小后增大,同时,外电场对SiF4分子的激发能、振子强度和红外光谱强度均有一定影响.

Si_xF_y与C_xF_y的研究比较

有机氟化合物具有特殊的物理化学性质,被用于从药物化学到材料科学等多个科学领域中,氟硅材料、氟碳材料以其优异的性能被广泛地应用于各行各业。文章针对SiF_2与CF_2、SiF_4与CF_4的合成工艺、物化性质、应用前景等方面做了探讨和比较。

红外光谱法在SF_6电气设备硅绝缘受损潜伏性故障诊断中的应用

利用红外光谱法对SF_6设备故障气体中的SiF_4进行定性、定量检测,该方法的线性范围为10～500μL/L,检出限为1μL/L,此方法可以较理想地判断出设备内含硅元素绝缘材料的受损情况。应用于现场SF_6气体绝缘开关类设备的潜伏性故障诊断,验证了分解产物SiF_4对设备内部工况诊断的有效性。

八面沸石用(NH_4)_2SiF_6脱铝补硅的研究——Ⅰ.反应条件的考察与样品的XRD结果

本文研究了温度、时间、NH_4Ac、(NH_4)_2SiF_6加入速度和反应物配比对八面沸石用(NH_4)SiF_6脱铝补硅反应的影响,并提出了反应机理,解释了反应条件的影响。由于存在相互制约的影响因素,有保持高结晶度的条件下,八面沸石可以较高程度地脱铝,但不能无限度地脱铝。

萤石成矿机制的探讨

对萤石成矿物质的物理化学性质、矿物流体包裹体化学成分、萤石矿物不同颜色的原因、光学萤石与晶洞的相关性和主要共、伴生矿物组合的研讨,结合其成矿的地质背景,认为:在地球内部单质氟(F2)不可能存在;气态SiF4是氟的主要迁移形式;SiF4与CaH2一道从地球深部随岩浆、热气迁移至地壳浅部,被氧化、分解成矿,或与围岩、热液中有关成分作用成矿。

2024铝合金氟铝酸盐转化膜的制备及其防腐蚀性能

为了寻找替代传统铬酸盐转化的处理工艺,采用由NaF,(NH4)2SiF6,(NaPO3)6和钛盐促进剂组成的转化液,在2024铝合金表面制备了一种氟铝酸盐化学转化膜,优化了转化液组分及转化工艺条件。结果表明:最优工艺为5.0 g/L NaF,5.0 g/L(NH4)2SiF6,0.9 g/L(NaPO3)6,0.5 g/L钛盐促进剂,pH值为4.7,室温,20 min;最优工艺所得氟铝酸盐转化膜由排列紧密且形状规则的晶体颗粒组成,表面覆盖有胶状物,膜层连续而致密、呈亚光,组成(质量分数)为7.53%O,48.87%F,19.11%Na,20.78%Al,0.79%Si,1.66%P,1.26%Cu;氟铝酸盐转化膜耐蚀性优良,最优工艺所得转化膜耐盐雾腐蚀达285 h,其使铝合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀电位增加了58 mV,腐蚀电流密度降为钝化前的1/9。

K_2SiF_6∶Mn^(4+)荧光粉湿热环境下的劣化行为

研究了白光LED用K_2Si F_6∶Mn^(4+)红色荧光粉湿热环境下的发光性能劣化规律及机理。结果表明,环境中水汽的侵蚀可导致K_2Si F_6∶Mn^(4+)荧光粉发光性能劣化,且温度升高可加剧该劣化过程。85%湿度/70℃下处理6 h,K_2Si F_6∶7%Mn^(4+)荧光粉相对亮度降至初始值的25%。荧光粉中Mn^(4+)含量越高,湿热条件下的性能劣化越显著。基于湿热处理前后荧光粉的XRD、表面形貌以及光学性能的对比分析,发现湿热环境下K_2Si F_6∶Mn^(4+)荧光粉的劣化主要是由于表面水汽侵蚀产物强吸收400~700 nm的可见光,降低荧光粉的激发效率以及再吸收荧光粉的发射光。水热后处理可使K_2Si F_6∶Mn^(4+)荧光粉颗粒尺寸增大,结晶性提高,从而显著改善其耐水性。85%湿度/70℃下处理6 h,水热后处理K_2Si F_6∶7%Mn^(4+)荧光粉的相对亮度仍可保持初始值的80%。

K_2SiF_6:Mn^(4+)发光粉的合成及性能研究

采用高效离子交换法制备K_2SiF_6:Mn^(4+)荧光粉,研究不同K/Mn原料摩尔比和不同反应时间对K_2SiF_6:Mn^(4+)荧光粉结构及性能的影响,并采用溶胶-凝胶法对制备的K_2SiF_6:Mn^(4+)荧光粉表面包覆SiO_2来提高K_2SiF_6:Mn^(4+)荧光粉的热稳定性。通过XRD,SEM,EDS,PL等方法对样品结构、表面形貌、元素组成和发光性能进行测试和分析。结果表明:当K与Mn原料摩尔比为43∶38,反应8h制备的K_2SiF_6:Mn^(4+)荧光粉样品具有立方晶系结构并且发光性能最优,在460nm的蓝光激发下,最强窄带发射峰位于630nm处(2Eg→4 A2)。包覆后的K_2SiF_6:Mn^(4+)红色荧光粉的表面上包覆了一层无定形的SiO_2,晶体结构没有改变。包覆前后荧光粉的发光性能测试结果表明包覆SiO_2的K_2SiF_6:Mn^(4+)样品的热稳定性得到改善。

K_2SiF_6∶Mn^(4+)荧光粉的结构与性能研究

通过化学沉淀法制备K_2SiF_6∶Mn^(4+)荧光粉,并研究了不同K/Mn摩尔比和不同反应时间对荧光粉结构及性能的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪对荧光粉的结构、形貌、激发光谱和发射光谱进行了测试和分析。结果表明,K/Mn之比的变化没有改变K_2SiF_6∶Mn^(4+)的晶格结构,样品具有立方晶系结构。通过荧光光谱图发现当K/Mn摩尔比为43/38在反应8h合成的样品激发峰和发射峰强度最强,激发峰一般由~460nm(~4 A_2→~4 T_2)强峰和~360nm(~4 A_2→~4 T_1)次强峰组成,有时会伴有一些弱峰,在460nm的激发下,最强窄带发射峰位于630nm处(~2Eg→~4 A_2)。

白光LED用K2SiF6：Mn^4＋红色荧光材料的制备及发光性能研究

通过液相法制备了白光LED用红色荧光材料K_2SiF_6∶Mn^(4+),用X射线衍射、扫描电镜、光致发光(PL)等对该荧光材料进行了表征.结果表明,所制备的荧光材料为较好的单相;在450nm附近的蓝光激发下,发射出主峰位于631nm的红光;K_2SiF_6∶Mn^(4+)荧光材料的内量子效率可达43%;随着温度的升高,Mn^(4+)的红光发射强度呈先升后降的趋势.当温度从室温升至200℃时,Mn^(4+)发射强度仅下降至室温时的91.5%,表现出优良的热稳定性.

高丰度硅-28同位素的分离技术

同位素纯硅片具有特殊的物理性质,在信息技术领域有着非常广阔的应用前景。为获得高丰度28Si,利用国产的高速气体离心机,选择SiF4作为分离的工作介质,对硅同位素进行了离心分离实验。通过单机分离实验,调整气体离心机的有关参数,摸索出适合级联分离的单机参数,同时得到气体离心机分离硅同位素的单位质量数的全分离系数γ0。利用由4台离心机组成的级联,经过6个阶段的分离,得到了28Si丰度达到99.5%的样品。实验结果表明,离心法分离硅同位素是完全可行的。

Ce,Gd∶YAG单晶复合K_2SiF_6∶Mn^(4+)红色荧光粉的制备及其光电性质的研究

采用提拉法生长共掺Ce和Gd的钇铝石榴石单晶(Ce,Gd∶YAG),开展了白光LED用新型YAG单晶复合K_2SiF_6∶Mn^(4+)荧光粉材料的制备和光谱性能研究。检测到Ce,Gd∶YAG单晶在激发波长为460 nm处有强烈的激发带,可证实存在能量传递。发现当Y^(3+)部分被Gd3+取代后,发射峰向长波长方向移动。研究了Ce∶YAG单晶厚度的变化对其色坐标、亮度、发光效率和色温的影响,发现Ce,Gd∶YAG单晶制备的LED器件发光中红光成分还是不够。为了缓解白光LED用Ce,Gd∶YAG单晶仍然缺少红光的问题,采用丝网印刷法将红色荧光粉K_2SiF_6∶Mn^(4+)印刷在Ce,Gd∶YAG单晶衬底上制备白光LED。研究了不同含量的K_2SiF_6∶Mn^(4+)红色荧光粉对其色坐标、亮度、发光效率和色温的影响。研究发现,随着含量的增加,器件的发光由冷白光逐渐向暖白光区域移动,色温有所降低,显色指数上升。Ce,Gd∶YAG单晶复合红色荧光粉的思路可以对LED照明发暖白光有所参考。