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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理 被引量：1
1
作者 张苗 狄增峰 +4 位作者 刘卫丽 骆苏华 宋志棠 朱剑豪 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期252-256,共5页
对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化... 对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错. 展开更多
关键词 sige-on-insulator 氧化 扩散
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