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a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
被引量:
2
1
作者
何玉平
黄海宾
+1 位作者
龚洪勇
周浪
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期970-974,共5页
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外...
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)表面钝化效果的影响。结果表明:1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。
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关键词
掺氧
热处理
本征非晶硅薄膜
钝化
SiH键
sih2
键
下载PDF
职称材料
HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究
被引量:
1
2
作者
何玉平
袁贤
+2 位作者
刘宇
刘宁
黄海宾
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期519-523,共5页
HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析...
HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析微观机理。结果表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiO:H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx:H钝化效果明显优于a-Si:H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx:H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联。
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关键词
a-SiOx:H
热丝化学气相沉积
少子寿命
SiH键
sih2
键
下载PDF
职称材料
题名
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
被引量:
2
1
作者
何玉平
黄海宾
龚洪勇
周浪
机构
南昌大学光伏研究院
南昌工程学院理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期970-974,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306084
61464007)
+1 种基金
教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010)
文摘
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)表面钝化效果的影响。结果表明:1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。
关键词
掺氧
热处理
本征非晶硅薄膜
钝化
SiH键
sih2
键
Keywords
Doping-oxygen
Thermal annealing
Intrinsic amorphous silicon films
Passivation
SiH
bond
sih2 bond
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究
被引量:
1
2
作者
何玉平
袁贤
刘宇
刘宁
黄海宾
机构
南昌工程学院理学院
南昌大学光伏研究院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期519-523,共5页
基金
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ171010)
江西省青年科学基金项目(20171BAB216014)
文摘
HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析微观机理。结果表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiO:H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx:H钝化效果明显优于a-Si:H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx:H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联。
关键词
a-SiOx:H
热丝化学气相沉积
少子寿命
SiH键
sih2
键
Keywords
a-SiOx∶H
HWCVD
Minority carrier lifetime
SiH
bond
sih2 bond
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
何玉平
黄海宾
龚洪勇
周浪
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
下载PDF
职称材料
2
HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究
何玉平
袁贤
刘宇
刘宁
黄海宾
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
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