SiH＿4和GeH＿4生长SiGe合金的CVD反应研究

本文使用快速热处理超低压ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层．俄歇电子能谱被用来检测ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分和ＳｉＧｅ合金层的厚度．实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的结合率增加到最大值，然后减小；ＳｉＧｅ合金的生长速率在随生长温度增加过程中存在一个最大值；同时Ｇｅ原子的结合还会导致ＳｉＧｅ合金中Ｓｉ原子淀积速率的上升．根据低温及低Ｇｅ组分下氢解吸几率的增加与高温高Ｇｅ组分下反应基团吸附几率的下降，本文对以上实验结果进行了解释．

热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究。用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge—Ge、Ge—Si和Si—Si)相对含量的变化和极性键(Ge—H、Ge—H2、Si—H等H键)相对含量的变化进行了分析。研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的。热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响。随着热丝温度上升Ge—Si和Si—Si相对含量均增加。随着RS/G增加Si—Si相对含量一直增加,Ge—Si相对含量先增加,当RS/G>1.4时开始下降。但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si—H键的相对含量增加,Ge—H和Ge—H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响。

低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料

利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃和５７５℃不同温度分别生长了Ｓｉ０－８Ｇｅ０－２ ，Ｓｉ０－５ Ｇｅ０－５ 和Ｓｉ０－６５Ｇｅ０－３５ 的异质外延层，获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明：外延生长速率和Ｇｅ 组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用Ｘ 射线双晶衍射，扩展电阻和电化学ＣＶ 法研究了ＧｅＳｉ

半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究

在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。

XH_n型气相分子的合成技术

ＸＨｎ型气相分子的合成技术周泽义邓珂朱清时（中国科技大学选键化学开放实验室２３００２６）近年来，分了局域模振动的光谱理论研究已成为分子光谱学引人入胜的前沿领域［１］，而研究分子局域模振动最具说服力的分子对象就是ＸＨｎ型气相分子。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、...