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Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 被引量:3
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作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 si/sinx/siO2多层膜 红外吸收 光致发光
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Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性 被引量:4
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作者 申继伟 郭亨群 +3 位作者 吕蓬 徐骏 陈坤基 王启明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1045-1049,共5页
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值... 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.51×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。 展开更多
关键词 si/siN 超晶格 三阶非线性极化率 Z-扫描 射频磁控反应溅射
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磁控共溅射法沉积的硅量子点SiNx薄膜的光谱特性 被引量:1
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作者 陈小波 杨雯 +3 位作者 段良飞 张力元 杨培志 宋肇宁 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1770-1773,共4页
采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法在不同温度的Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅SiNx薄膜。在氮气氛中,于1 050℃下采用快速光热退火热处理,获得了包含硅量子点的SiNx薄膜。采用Fourier变换红外光谱、Raman光谱、掠入射X射线衍射... 采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法在不同温度的Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅SiNx薄膜。在氮气氛中,于1 050℃下采用快速光热退火热处理,获得了包含硅量子点的SiNx薄膜。采用Fourier变换红外光谱、Raman光谱、掠入射X射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征。结果显示:Fourier变换红外光谱中出现了富硅Si—N键,表明薄膜为富硅SiNx薄膜;当衬底温度不低于200℃时,薄膜样品的拉曼光谱中出现了硅纳米晶的Si—Si振动横光学模,掠入射X射线衍射中出现了明显的Si(111)和Si(311)的衍射峰,证实了硅量子点的形成;发现存在一最佳衬底温度(300℃),该条件下获得的硅量子点的数量和晶化率最高;衬底温度为300和400℃的样品的光致发光光谱中均有3个可见荧光峰,结合拉曼光谱结果,用纳米晶硅的量子限域效应和辐射复合缺陷态对荧光峰进行了合理解释;由光致发光光谱计算出的衬底温度为300和400℃的样品的硅量子点平均尺寸分别为3.5和3.4nm。这些结果有助于优化含硅量子点的SiNx薄膜的制备参数,在硅基光电子器件的应用方面有重要意义。 展开更多
关键词 si量子点 sinx薄膜 磁控溅射 光致发光
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nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模 被引量:2
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作者 王国立 郭亨群 +4 位作者 苏培林 张春华 王启明 徐骏 陈坤基 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期905-909,共5页
采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm... 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。 展开更多
关键词 激光技术 nc—si/siN 超晶格薄膜 调Q 锁模 射频磁控反应溅射
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Z扫描法研究nc-Si/SiNx多量子阱材料非线性光学特性 被引量:1
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作者 沈海波 郭亨群 +6 位作者 王国立 王加贤 吴志军 宋江婷 徐骏 陈坤基 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期878-882,共5页
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质。采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性。... 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质。采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强。 展开更多
关键词 nc-si/sinx多量子阱材料 Z-扫描 非线性折射率 非线性吸收
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Structure and tribological properties of Si/a-C:H(Ag)multilayer film in stimulated body fluid 被引量:1
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作者 Yan-Xia Wu Yun-Lin Liu +5 位作者 Ying Liu Bing Zhou Hong-Jun Hei Yong Ma Sheng-Wang Yu Yu-Cheng Wu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期412-419,共8页
Si/a-C:H(Ag)multilayer films with different modulation periods are prepared to test their potential applications in human body.The composition,microstructure,mechanical and tribological properties in the simulated bod... Si/a-C:H(Ag)multilayer films with different modulation periods are prepared to test their potential applications in human body.The composition,microstructure,mechanical and tribological properties in the simulated body fluid are investigated.The results show the concentration of Ag first decreases and then increases with the modulation period decreasing from 984 nm to 250 nm.Whereas the C content has an opposite variation trend.Notably,the concentration of Ag plays a more important role than the modulation period in the properties of the multilayer film.The a-C:H sublayer of the film with an appropriate Ag concentration(8.97 at.%)(modulation period of 512 nm)maintains the highest sp3/sp2 ratio,surface roughness and hardness,and excellent tribological property in the stimulated body fluid.An appropriate number of Ag atoms and size of Ag atom allow the Ag atoms to easily enter into the contact interface for load bearing and lubricating.This work proves that the Ag nanoparticles in the a-C:H sublayer plays a more important role in the tribological properties of the composite-multilayer film in stimulated body fluid condition. 展开更多
关键词 si/a-C:H(Ag)multilayer film modulation periods Ag concentration tribological properties
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SYNTHESIS AND MICROSTRUCTURE OF SUPERHARD TiN/SiN_x MULTILAYER THIN FILMS
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作者 Z.F.Zhou Y.G.Shen +1 位作者 Y.W.Mai K.Y.Li 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第3期242-248,共7页
Multilayer thin films of TiN/SiNx have been deposited onto heated Si 100 substra tes (200℃) by reactive dc-magnetron sputtering from Ti and Si targets in an Ar- N2 gas mixture. The rotation speed of the substrate hol... Multilayer thin films of TiN/SiNx have been deposited onto heated Si 100 substra tes (200℃) by reactive dc-magnetron sputtering from Ti and Si targets in an Ar- N2 gas mixture. The rotation speed of the substrate holder was varied from 1 to 20rpm, while target currents were held constant, to produce bilayer periods vary ing from approximately 22 to 0.6nm. These multilayer films were characterized by atomic force microscopy (AFM), cross-sectional transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), and microhardness measurements. TEM and SEM studies showed elimination of columnar structure in TiN, owing to the in corporation of amorphous SiNx layers. The crystallinity of TiN and amorphous nat ure of SiNx were confirmed by high resolution TEM. An optimum rotation speed was observed, at which hardness was a maximum. The resulting bilayer period was fou nd to be approximately 1.6nm, which resulted in a significant improvement in mic rohardness (~57GPa). The rms surface roughness for this film was less than 1.5nm . 展开更多
关键词 multilayers HARDNESS supermodulu s stress TiN/sinx
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Effects of Si-Layer-Thickness Ratio on UV-Light-Emission Intensity from Si/SiO<SUB>2</SUB>Multilayered Thin Films Prepared Using Radio-Frequency Sputtering
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作者 Kenta Miura Hitomi Hoshino +1 位作者 Masashi Honmi Osamu Hanaizumi 《Materials Sciences and Applications》 2015年第3期215-219,共5页
We investigated the effects of Si-layer-thickness ratios on ultraviolet (UV) peak intensities of Si/ SiO2 multilayered films produced by alternately stacking several-nanometer-thick Si and SiO2 layers using radio-freq... We investigated the effects of Si-layer-thickness ratios on ultraviolet (UV) peak intensities of Si/ SiO2 multilayered films produced by alternately stacking several-nanometer-thick Si and SiO2 layers using radio-frequency sputtering for the first time. The Si-layer-thickness ratio of the Si/SiO2 film is a very important parameter for enhancing the peak intensity because the ratio is concerned with the size of Si nanocrystals in the film, which might affect the intensity of the UV light emission from the film. We prepared seven samples with various estimated Si-layer-thickness ratios, and measured the photoluminescence spectra of the samples after annealing at 1150°C, 1200°C, or 1250°C for 25 min. From our experiments, we estimate that the proper Si-layer-thickness ratio to obtain the strongest UV peaks from the Si/SiO2 multilayered films is around 0.29. Such a UV-lightemitting thin film is expected to be used in future higher-density optical-disk systems. 展开更多
关键词 si siO2 multilayer SPUTTERING UV-LIGHT Emission
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Au Nanoparticle Formation from Amorphous Au/Si Multilayer
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作者 Masami Aono Takashi Ueda +2 位作者 Hiroshi Abe Shintaro Kobayashi Katsuhiko Inaba 《Journal of Crystallization Process and Technology》 2014年第4期193-205,共13页
By direct observations of transmission electron microscopy (TEM), irreversible morphological transformations of as-deposited amorphous Au/Si multilayer (a-Au/a-Si) were observed on heating. The well arrayed sequence o... By direct observations of transmission electron microscopy (TEM), irreversible morphological transformations of as-deposited amorphous Au/Si multilayer (a-Au/a-Si) were observed on heating. The well arrayed sequence of the multilayer changed to zigzag layered structure at 478 K (=Tzig). Finally, the zigzag structure transformed to Au nanoparticles at 508 K. The distribution of the Au nanoparticles was random within the thin film. In situ X-ray diffraction during heating can clarify partial crystallization Si (c-Si) in the multilayer at 450 K (= ), which corresponds to metal induced crystallization (MIC) from amorphous Si (a-Si) accompanying by Au diffusion. On further heating, a-Au started to crystallize at around 480 K (=Tc) and gradually grew up to 3.2 nm in radius, although the volume of c-Si was almost constant. Continuous heating caused crystal Au (c-Au) melting into liquid AuSi (l-AuSi) at 600 K (= ), which was lower than bulk eutectic temperature ( ). Due to the AuSi eutectic effect, reversible phase transition between liquid and solid occurred once temperature is larger than . Proportionally to the maximum temperatures at each cycles (673, 873 and 1073 K), both and Au crystallization temperature approaches to . Using a thermodynamic theory of the nanoparticle formation in the eutectic system, the relationship between and the nanoparticle size is explained. 展开更多
关键词 AMORPHOUS Au/si multilayER AU NANOPARTICLE Low EUTECTIC Point Metal Induced Crystallization IRREVERsiBLE Morphological Transformation Reversible l-Ausi-c-Au NANOPARTICLE Phase Transition
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非等温时效对含银Al-Mg-Si合金多层摩擦表面显微组织和腐蚀行为的影响
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作者 Hamed JAMSHIDI AVAL 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期408-422,共15页
研究非等温时效对添加不同银含量Al-Mg-Si合金多层摩擦表面显微组织和腐蚀行为的影响。通过在耗材棒横截面上钻孔的方式添加4%、8%和13%(质量分数)的银。采用光学显微镜和电子显微镜研究涂层的显微组织,采用显微硬度和拉伸实验研究涂层... 研究非等温时效对添加不同银含量Al-Mg-Si合金多层摩擦表面显微组织和腐蚀行为的影响。通过在耗材棒横截面上钻孔的方式添加4%、8%和13%(质量分数)的银。采用光学显微镜和电子显微镜研究涂层的显微组织,采用显微硬度和拉伸实验研究涂层的力学性能,采用电化学测试研究样品的耐腐蚀性。结果表明,随着银添加量从4%(质量分数)增加到13%(质量分数),摩擦堆焊表面层的晶粒尺寸从(1.5±0.3)μm减小到(1.0±0.3)μm。铝基体中的溶质银能够加速Al-Mg-Si合金的析出动力学。经非等温时效处理后,含银涂层的屈服强度和抗拉强度分别比不含银涂层高50.6%和43.5%。经非等温时效处理后,材料的腐蚀电流密度降低,含银和不含银样品的耐腐蚀性均提高,含银涂层的耐蚀性比无银镀层提高了96.5%。 展开更多
关键词 非等温时效 显微组织 腐蚀行为 AL-MG-si合金 银添加剂 多层摩擦堆焊
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Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光 被引量:2
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作者 陈青云 徐明 +4 位作者 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期680-684,共5页
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可... 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。 展开更多
关键词 si/siO2多层膜 sinx/siO2多层膜 红外吸收 光致发光
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磁控溅射制备横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜 被引量:7
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作者 涂昱淳 宋竹青 +6 位作者 黄秋实 朱京涛 徐敬 王占山 李乙洲 刘佳琪 张力 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2419-2422,共4页
采用磁控溅射方法在Si基板上镀制了横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜。以X射线掠入射反射测量了横向梯度多层膜的膜系结构,在基板65mm长度范围内,多层膜周期从8.21nm线性减小到6.57nm,周期梯度为0.03nm/mm。国家同步辐射实验室反射率计的... 采用磁控溅射方法在Si基板上镀制了横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜。以X射线掠入射反射测量了横向梯度多层膜的膜系结构,在基板65mm长度范围内,多层膜周期从8.21nm线性减小到6.57nm,周期梯度为0.03nm/mm。国家同步辐射实验室反射率计的反射率测试结果表明:该横向梯度分布周期多层膜上不同位置,能反射在13.3~15.9nm波段范围内不同波长的极紫外光,反射率为60%~65%。 展开更多
关键词 MO/si多层膜 磁控溅射 梯度多层膜 反射率 同步辐射
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长柱状β-Si_3N_4晶粒与SiC晶须在层状Si_3N_4/BN复合材料中的作用 被引量:7
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作者 昝青峰 黄勇 +2 位作者 汪长安 李淑琴 李翠伟 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期22-26,共5页
用 Si C晶须和长柱状β- Si3N4对 Si3N4/ BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对 Si C晶须和原料中存在的少量 β- Si3N4晶粒有一定的定向作用 ,而基体层中定向分布的 Si C晶须和长柱状的 β- Si3N4晶粒对基体层的强韧化作... 用 Si C晶须和长柱状β- Si3N4对 Si3N4/ BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对 Si C晶须和原料中存在的少量 β- Si3N4晶粒有一定的定向作用 ,而基体层中定向分布的 Si C晶须和长柱状的 β- Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料 ,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于 5 0 % ;分隔层中β- Si3N4的定向度较差 ,但这有利于形成网状结构 ,在分隔层中起到骨架的作用 ,同时还可以增加裂纹的扩展长度 ,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为 Si3N4+2 0 wt% Si C晶须 (基体层 ) ,BN+15 vol% β- Si3N4(分隔层 ) ,其断裂功可达 482 0 J/ m2 ,抗弯强度仍可保持在 6 5 0 展开更多
关键词 层状材料 分隔层 复合材料 碳化硅晶须 长柱状β-氮化硅 陶瓷 力学性能
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离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究 被引量:5
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作者 邓书康 陈刚 +4 位作者 高立刚 陈亮 俞帆 刘焕林 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期288-291,共4页
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明... 采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用。 展开更多
关键词 si/Ge多层膜 离子束溅射 拉曼光谱 制备方法 薄膜 结构分析
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Mo/Si软X射线多层膜的界面粗糙度研究 被引量:6
15
作者 秦俊岭 邵建达 +3 位作者 易葵 周洪军 霍同林 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期763-766,共4页
用磁控溅射法分别制备了以Mo膜层和Si膜层为顶层的Mo/Si多层膜系列,利用小角X射线衍射确定了各多层膜的周期厚度。以不同周期数的Mo/Si多层膜的新鲜表面近似等同于同一多层膜的内界面,通过原子力显微镜研究了多层膜界面粗糙度随膜层数... 用磁控溅射法分别制备了以Mo膜层和Si膜层为顶层的Mo/Si多层膜系列,利用小角X射线衍射确定了各多层膜的周期厚度。以不同周期数的Mo/Si多层膜的新鲜表面近似等同于同一多层膜的内界面,通过原子力显微镜研究了多层膜界面粗糙度随膜层数的变化规律。并在国家同步辐射实验室测量了各多层膜的软X射线反射率。研究表明:随着膜层数的增加,Mo膜层和Si膜层的界面粗糙度先减小后增加然后再减小,多层膜的峰值反射率先增加后减小。 展开更多
关键词 MO/si多层膜 软X射线 界面粗糙度 反射率
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磁控溅射方法制备直径120mm高均匀性Mo/Si多层膜 被引量:4
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作者 潘磊 王晓强 +7 位作者 张众 朱京涛 王占山 李乙洲 李宏杰 王道荣 赵巨岩 陆伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1535-1538,共4页
为满足极紫外、软X射线和X射线大口径多层膜反射镜的需求,采用基板扫掠过矩形靶材表面的镀膜方法,在直径120 mm的平面基板上镀制了Mo/Si周期多层膜。通过调整基板扫掠过矩形靶材表面的速率修正了薄膜的沉积速率,极大地提高了薄膜厚度的... 为满足极紫外、软X射线和X射线大口径多层膜反射镜的需求,采用基板扫掠过矩形靶材表面的镀膜方法,在直径120 mm的平面基板上镀制了Mo/Si周期多层膜。通过调整基板扫掠过矩形靶材表面的速率修正了薄膜的沉积速率,极大地提高了薄膜厚度的均匀性。采用X射线衍射仪对反射镜不同位置多层膜周期厚度进行了测量,结果表明,在直径120 mm范围内,Mo/Si多层膜周期厚度的均匀性达到了0.26%。同步辐射测量多层膜样品不同位置处的反射率,结果表明,在直径120 mm范围内,多层膜的膜层厚度均匀,在入射角10°时13.75 nm波长处平均反射率为66.82%。 展开更多
关键词 MO/si多层膜 磁控溅射 均匀性 反射率 同步辐射
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用不同的Mo靶溅射功率制备Mo/Si多层膜 被引量:10
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作者 秦俊岭 邵建达 易葵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期67-70,共4页
用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜,用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时,Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现,随... 用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜,用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时,Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现,随着Mo靶溅射功率的增大,Mo/Si多层膜的表面粗糙度增加,Mo的特征X射线衍射峰也增强,Mo/Si多层膜的软X射线峰值反射率先增大后减小。 展开更多
关键词 Mo靶 MO/si多层膜 溅射功率 软X射线 反射率
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Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成 被引量:1
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作者 何杰 许振嘉 +2 位作者 钱家骏 王玉田 王佑祥 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期964-969,共6页
超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2... 超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(~1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。 展开更多
关键词 蒸镀 铈硅化物 多层膜 Ce-si
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沉积温度为室温和560℃的Nb/Si多层膜微结构研究 被引量:2
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作者 张明 赵建华 +2 位作者 曹立民 许应凡 王文魁 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期154-158,共5页
对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得... 对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。 展开更多
关键词 多层膜 沉积温度 界面结构 室温 微结构 铌/硅
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Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究 被引量:2
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作者 杨瑞东 陈寒娴 +4 位作者 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期328-330,333,共4页
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较... 采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。 展开更多
关键词 Ge/si纳米多层膜 埋层 纳米晶粒
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