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Influence of Pressure on SiNx:H Film by LF-PECVD
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作者 闻震利 曹晓宁 +1 位作者 周春兰 王文静 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2012年第1期110-114,I0004,共6页
Hydrogenated silicon nitride films as an effective antireflection and passivation coating of silicon solar cell were prepared on p-type polished silicon substrate (1.0 f^em) by direct LF-PECVD (low frequency plasma... Hydrogenated silicon nitride films as an effective antireflection and passivation coating of silicon solar cell were prepared on p-type polished silicon substrate (1.0 f^em) by direct LF-PECVD (low frequency plasma enhanced chemical vapor deposition) of Centrotherm. The preferable passivation effect was obtained and the refractive index was in the range of 2.017-2.082. The refractive index of the hydrogenated silicon nitride films became larger with the increase of the pressure. Fourier transform infrared spectroscopy was used to study the pressure influence on the film structural properties. The results highlighted high hydrogen bond and high Si-N bonds density in the film, which were greatly influenced by the pressure. The passivation effect of the films was infuenced by the Si dangling bonds density. Finally the effective minority liftetime degradation with time was shown and discussed by considering the relationship between the structural properties and passivation. 展开更多
关键词 sinx:h thin film PRESSURE PASSIVATION Structural properties
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双层SiN_x∶H减反膜多晶硅太阳电池及其组件性能研究 被引量:1
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作者 石强 单伟 +5 位作者 胡金艳 韩玮智 牛新伟 蒋前哨 李永辉 仇展炜 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期108-112,共5页
利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx:H薄膜,其中底层和顶层SiN;折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17nm和67nm。薄膜的折射率通过改变反应气体的Si/N比进行调控,底层SiN,制备时Si/N比越大,反射率越... 利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx:H薄膜,其中底层和顶层SiN;折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17nm和67nm。薄膜的折射率通过改变反应气体的Si/N比进行调控,底层SiN,制备时Si/N比越大,反射率越低,而电池Jsc先增加后下降。反射率曲线、外量子效率(EQE)和电学性能表明,和单层膜相比,双层膜的短波部分(300—650nm)反射率远低于单层膜;其电池在680~950nm波段光谱响应较单层膜稍好;电池Uoc和Isc均有较大提升,光电转换效率绝对值提高了0.193%。同时,双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件。 展开更多
关键词 双层SiN :h薄膜 钝化 管式PECVD 功率损失
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SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响
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作者 李婧 张金中 +3 位作者 谢振宇 阎长江 陈旭 闵泰烨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期547-551,共5页
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7... 利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7:15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力。优化SiNx:H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍。 展开更多
关键词 sinx h界面态 Si N 开关比 TFT特性
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Si基太阳电池用SiN_x∶H薄膜的研究进展
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作者 唐煜 周春兰 +1 位作者 贾晓昀 王文静 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2008年第1期247-250,共4页
SiN_x:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用。介绍了SiN_x:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究... SiN_x:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用。介绍了SiN_x:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势。 展开更多
关键词 太阳电池sinx: h钝化减反射
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高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响 被引量:5
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作者 谢振宇 龙春平 +1 位作者 邓朝勇 胡文成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-31,共6页
采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄... 采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 沉积速率 禁带宽度 介电常数 反射系数
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基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究 被引量:5
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作者 吴晓松 褚学宁 李玉鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1913-1920,共8页
利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功... 利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数。国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅薄膜 正交试验 工艺参数
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基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法研究
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作者 吴晓松 李玉鹏 褚学宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期281-289,共9页
提出了基于数字模拟的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法。氮化硅薄膜的主要影响因子和质量特性参数通过领域知识和专家意见先期获得,通过单因素物理试验获得工艺参数和质量特性参数之间的关系,通过数... 提出了基于数字模拟的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法。氮化硅薄膜的主要影响因子和质量特性参数通过领域知识和专家意见先期获得,通过单因素物理试验获得工艺参数和质量特性参数之间的关系,通过数字模拟的正交试验获得最佳的工艺参数。考虑到PECVD沉积氮化硅薄膜实验所需的时间和费用,基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法可以在数据离散化、领域知识不充分的环境中高效经济地进行工艺参数的优化选择。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 工艺参数优化 正交实验 数字模拟
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晶体硅太阳电池减反射膜的研究 被引量:3
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作者 秦尤敏 高华 张剑 《上海有色金属》 CAS 2011年第4期179-181,191,共4页
为了提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,以及获得较佳的减反射膜的膜厚和折射率,根据计算得出的在波长为600 nm的太阳光下减反射膜的膜厚和折射率的最佳理论值,设计了三组等离子体增强化学气相沉积工艺(1#,2#和3#工艺),来制备不同膜... 为了提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,以及获得较佳的减反射膜的膜厚和折射率,根据计算得出的在波长为600 nm的太阳光下减反射膜的膜厚和折射率的最佳理论值,设计了三组等离子体增强化学气相沉积工艺(1#,2#和3#工艺),来制备不同膜厚和折射率的SiN_x:H(氮化硅)减反射膜。实验结果显示:1#工艺对应的膜厚为83 nm,折射率为2.01;2#工艺对应的膜厚为75 nm,折射率为2.01;3#工艺对应的膜厚为66 nm,折射率为2.02。1#工艺对应电池片的转换效率为18.00%,2#工艺对应电池片的转换效率为18.08%,3#工艺对应的转换效率为17.99%。因此在目前的生产条件下,2#镀膜工艺优于1#和3#工艺。 展开更多
关键词 晶体硅 转换效率 等离子体增强 化学气相沉积 sinx:h 减反射膜
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ECR-CVD方法生长a-SiN_x:H薄膜的研究 被引量:1
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作者 鲁涛 辛煜 吴雪梅 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期259-263,共5页
使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化... 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势,这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的;随着NH3流量的增加,薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和Si-H伸缩振动发生蓝移的主要原因。红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度,约15%左右。文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论。 展开更多
关键词 ECR-CVD a-SiN3 h薄膜 发射光谱 红外光谱
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