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电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
被引量:
2
1
作者
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期16-19,共4页
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置...
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。
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关键词
X光激发电子能谱
氮化硅
二氧化硅-硅
氮化硅态的硅
剂量
偏置
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职称材料
题名
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
被引量:
2
1
作者
刘昶时
机构
绍兴文理学院物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期16-19,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60276025)项目
绍兴文理学院科学基金资助
文摘
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。
关键词
X光激发电子能谱
氮化硅
二氧化硅-硅
氮化硅态的硅
剂量
偏置
Keywords
XPS
Si3N,
sio2-s1
Si in the Si3N4 state
dosage
bias field
分类号
O483 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
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