期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
被引量:
3
1
作者
于卓
李代宗
+5 位作者
成步文
黄昌俊
雷震霖
余金中
王启明
梁骏吾
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第9期862-866,共5页
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统...
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 .
展开更多
关键词
si
1
-x-y
GexCy材料
固相外延
三元系
半导体材料
下载PDF
职称材料
Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法
2
作者
于卓
成步文
+3 位作者
李代宗
余金中
王启明
梁骏吾
《半导体杂志》
2000年第1期1-5,22,共6页
本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
关键词
外延生长
半导体材料
硅
锗
碳
下载PDF
职称材料
Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用
3
作者
祁慧
高勇
安涛
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期127-131,共5页
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所...
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。
展开更多
关键词
si
1
-x-y
GexCy合金半导体技术
硅锗碳三元化合物
半导体材料
应变补偿
场效应晶体管
异质结晶体管
光电子器件
下载PDF
职称材料
题名
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
被引量:
3
1
作者
于卓
李代宗
成步文
黄昌俊
雷震霖
余金中
王启明
梁骏吾
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第9期862-866,共5页
基金
国家自然科学重大基金资助项目!编号 698762 60&&
文摘
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 .
关键词
si
1
-x-y
GexCy材料
固相外延
三元系
半导体材料
Keywords
si
_(1
-x-y
)Ge_xC_y
alloy
s
SPER
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法
2
作者
于卓
成步文
李代宗
余金中
王启明
梁骏吾
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
出处
《半导体杂志》
2000年第1期1-5,22,共6页
基金
国家自然科学重大基金资助项目!(6 9876 2 6 0 )
文摘
本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
关键词
外延生长
半导体材料
硅
锗
碳
Keywords
si
_(1
-x-y
)Ge_xC_y
alloy
s
epitaxial growth
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用
3
作者
祁慧
高勇
安涛
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期127-131,共5页
文摘
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。
关键词
si
1
-x-y
GexCy合金半导体技术
硅锗碳三元化合物
半导体材料
应变补偿
场效应晶体管
异质结晶体管
光电子器件
Keywords
Semiconductor material
si
_(1
-x-y
)Ge_xC_y
alloy
Strain compensation effect
FET
HBT
Opto-electronic device
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
于卓
李代宗
成步文
黄昌俊
雷震霖
余金中
王启明
梁骏吾
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
下载PDF
职称材料
2
Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法
于卓
成步文
李代宗
余金中
王启明
梁骏吾
《半导体杂志》
2000
0
下载PDF
职称材料
3
Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用
祁慧
高勇
安涛
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部