以高岭石-聚丙烯酰胺插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术,在1 400℃合成了S ia lon粉体。并运用XRD,FT-IR,TEM等技术对合成产物的组成、结构及形貌特征进行研究发现:以插层复合物为前驱体的合成反应,β-′S ia lon,O-′...以高岭石-聚丙烯酰胺插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术,在1 400℃合成了S ia lon粉体。并运用XRD,FT-IR,TEM等技术对合成产物的组成、结构及形貌特征进行研究发现:以插层复合物为前驱体的合成反应,β-′S ia lon,O-′S ia lon为主晶相,不含方石英;而以高岭石-碳混合物为原料的合成产物中,相组成复杂,β-′S ia lon含量较低,并有氧化物。高岭石插层复合物原位碳热还原、氮化反应是合成β-′S ia lon的一种新颖而有效的方法,插层复合物有序的纳米级层状结构特征是提高碳热还原、氮化反应效率的主要原因。展开更多
文摘以高岭石-聚丙烯酰胺插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术,在1 400℃合成了S ia lon粉体。并运用XRD,FT-IR,TEM等技术对合成产物的组成、结构及形貌特征进行研究发现:以插层复合物为前驱体的合成反应,β-′S ia lon,O-′S ia lon为主晶相,不含方石英;而以高岭石-碳混合物为原料的合成产物中,相组成复杂,β-′S ia lon含量较低,并有氧化物。高岭石插层复合物原位碳热还原、氮化反应是合成β-′S ia lon的一种新颖而有效的方法,插层复合物有序的纳米级层状结构特征是提高碳热还原、氮化反应效率的主要原因。
