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题名高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用
被引量:1
- 1
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作者
白敏菂
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机构
大连海事大学物理系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期671-674,691,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61371027)
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文摘
利用自主研发强电离放电的臭氧超净水产生系统,采用强电场电离放电把氧激发、电离,电离离解成O,O-,O+,O(1D)和O2(a1Δg)等活性粒子,它们进一步反应形成高浓度气态O3,再用强激励方法把气态O3高效率溶于超净水中形成高浓度臭氧超净水。实验结果表明,当强电离放电电场强度为96 k V/cm,放电功率为800 W,形成高浓度臭氧超净水反应时间为30 min时,臭氧超净水质量浓度达到34.2 mg/L,去除Fe,Cu和Al颗粒物效率达到90%以上,满足硅片清洗的要求,为硅片清洗提供了一种形成高浓度臭氧超净水新方法。
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关键词
强电离放电
臭氧
臭氧超净水
硅片
清洗
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Keywords
strong ionization discharge
ozone
ozone ultrapure water
silicon wafer
cleaning
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分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
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题名用于硅片清洗高浓度臭氧水产生设备研制
被引量:1
- 2
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作者
白敏菂
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机构
大连海事大学环境工程研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2015年第6期20-24,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61371027)
交通运输部科技项目(2012-329-225-080)
+1 种基金
辽宁省科学研究一般项目(L2012449)
大连市科技计划项目(2013E12SF067)
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文摘
由于高浓度臭氧水的氧化电位高达2.07 V、反应速率常数高达2.2×106 L/(mol·s),因而臭氧水具有无选择性快速(几秒钟)氧化分解有机污染;并能在几分钟时间内完成硅片清洗、光刻、刻蚀和成膜。采用强电场电离放电把氧离解成高浓度O3,再用强激励溶解方法把高浓度臭氧溶解于水中形成高浓度臭氧水,臭氧水浓度达到34.2 mg/L,满足了硅片清洗所要求的浓度≥30 mg/L。分别阐述了强电离放电规模制取高浓度臭氧水溶液方法;强激励溶解高浓度臭氧的理论基础;形成臭氧水溶液的工艺系统及其应用举例。
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关键词
产生臭氧水设备
强电离放电
臭氧水溶液
硅片清洗应用
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Keywords
Produce ozone water equipment
strong ionization discharge
ozone water liquor
application of silicon wafer cleaning
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分类号
TN304.05
[电子电信—物理电子学]
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题名面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置
- 3
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作者
白敏菂
冷宏
李超群
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机构
大连海事大学环境工程研究所
大连大学环境与化学工程学院
大连博羽环保技术开发有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2011年第7期14-16,共3页
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基金
国家863项目(2008AA06Z317)
国家自然科学基金项目(20778028)
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文摘
近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展,硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法(折合电场强度达到380 Td,电子具有平均能量达到9 eV)研发成功国内首台具有知识产权dhO3g型系列高浓度臭氧产生器,其臭氧浓度达到240 mg/L。该装置具有自动化水平高,能耗低、体积小、高性价比等特点,并阐述了该装置的技术先进性及其技术指标。
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关键词
臭氧
硅片清洗:强电离放电
性价比
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Keywords
Ozone
silicon cleaning: the strong ionization discharge
cost-effective
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名制取高浓度臭氧超净水方法及其设备
- 4
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作者
白敏菂
何叶
杨波
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机构
大连海事大学理学院
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出处
《电子工业专用设备》
2018年第5期22-25,54,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)(2008AA06Z317)
国家自然科基金资助项目(61371027
+2 种基金
507778028
50578020
61671100)
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文摘
采用超窄间隙介质阻挡电离放电方法将氧离解、电离、电离离解成低温氧等离子体,其中O^-和O_2(a^1Δg)等活性粒子在电场中反应生成高浓度臭氧O_3,臭氧浓度达到286 mg/L。臭氧产生设备输出高浓度臭氧输送给气液溶解混合装置,将高浓度臭氧强激励溶解于超净水中形成高浓度臭氧超净水,仅用3 min其浓度达到54.6 mg/L。所形成高浓度超净臭氧水将把硅片表面颗粒物、金属离子、粘附有机物、自然氧化膜等消除掉。解决硅片表面存在的质量技术问题。
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关键词
清洗硅片表面
臭氧超净水
超窄间隙介质阻挡电离放电
等离子体源
气液溶解混合
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Keywords
cleaning the surface of the silicon wafer
Ozone ultrapure water
Ultra-narrow gap dielectric barrier ionization discharge
Plasma source
Gas-liquid dissolving and mixing
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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