喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜

采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。

有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究

采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 ·

退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。

SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁.

有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85

低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能

采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。

SnO_2-Sb薄膜材料的制备及气敏性能

利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。结果表明，该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏特性。当测试温度升高，其气敏响应时间相差无几，但恢复时间变短，同时气敏灵敏度相对提高，当温度达到２００℃以上时，灵敏度基本恒定。同时还可看出，不同阻值的薄膜其气敏灵敏度相差不大。

用喷涂法和溶胶-凝胶工艺制备PT/SnO_2(Sb)/SiO_2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备ＲＳ为１００～２００Ω／ｃｍ２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）薄膜．ＰＴ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应．

Sb掺杂SnO_2·X膜的制备及热电性能

在 5 0 0℃石英玻璃管基质上 ,化学气相沉积法制备Sb掺杂氧化锡SnO2 ·X膜。研究了元素掺杂量、镀膜温度和退火处理对电阻温度特性的影响。应用实验结果表明 ,SnO2 ·X膜热效率高 ,功率密度达到 42W·cm-2 。

射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究

采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。

SnO_2∶Sb∶Ni低温气敏薄膜的制备及性能研究

以无机盐SnCl4 ·5H2 O ,SbCl5,NiCl2 ·6H2 O为原料 ,采用溶胶 凝胶工艺制备了Sb2 O3 和NiO掺杂的SnO2 薄膜 .研究了SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜的电学和气敏性能 .实验研究表明 ,由于锑的掺杂 ,所制得的SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜电阻较低 ,室温下其电阻只有 1 2 0kΩ/□ .而NiO作为催化剂 ,使其对NOx 气体具有较高的灵敏度和良好的选择性 .与SnO2 ∶Sb薄膜相比 ,其工作温度大大降低 ,在常温下对NOx 气体 (主要成分是NO)也具有一定的灵敏度 ;并且水汽不影响其对NOx 气体的灵敏度 .SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜工作温度的降低主要是薄膜表面缺陷和颈连粒子的存在所致 .

喷雾热解法制备SnO2：Sb＋F透明导电薄膜

采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法，在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2：Sb＋F透明导电薄膜，研究了F／Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明：在溶胶的Sn：Sb：F比例为1：0．04：0.5和基板温度550℃的条件下，制备的SnO2：Sb＋F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率，薄膜方阻达25Ω／□，电阻率为7．5×10^-4Ω·cm，平均可见光透过率为77．4％，辐射率e=0．208，表现出了较好的低辐射性。

用SnO_2∶Sb作敏感材料的丙酮气敏光纤传感器

研制了一种掺Sb的SnO_2气敏-光学材料,并用它作为丙酮蒸汽浓度的光纤传感器敏感头,在30000ppm～100000ppm的宽广浓度范围得到很好的线性工作曲线。这是在丙酮蒸汽爆炸下限浓度左右的一个重要浓度范围。

溶胶凝胶法制备SnO_2:Sb膜的光学电学性能

以金属无机盐SnCl2 ·2H2 O和SbCl3 为原料 ,用溶胶凝胶浸渍法制备掺锑SnO2 透明导电薄膜 ,并对其电学参数(如方块电阻、霍尔迁移率、载流子浓度和类型 )和光学参数 (如透射反射率、光学能隙 )进行测试分析。XPS分析确定薄膜中掺杂锑离子主要以Sb5+ 形式存在。薄膜的方块电阻最低可达 85Ω/□ ,霍尔迁移率在 2 .5～ 3.6cm2 V-1s-1,膜厚约1μm时可见光透射率约为 85 % ,反射率低于 15 %。

Sb∶SnO_2纳米粉末材料的制备研究

以四氯化锡、三氯化锑、氨水为原料 ,采用胶溶法制得纳米级 Sb∶ Sn O2 粉末。用 X射线衍射和透射电镜对产品进行分析。考察了影响产品性能的各种因素 ,获得较佳的工艺条件。

采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。

共沉淀条件对纳米级Sb/SnO_2粒度和电性能的影响

以 Sn Cl4 · 5 H2 O和 Sb Cl3为原料 ,采用共沉淀法制得了纳米级 Sn O2 超细粉 .运用 DSC-TG、XRD和TEM等观测手段对微粉末进行了表征 .比较系统地研究了共沉淀温度和 p H值对粉末颗粒度和电阻的影响规律 .研究结果表明 ,合成的纳米级 Sb/Sn O2 粉体粒度分布比较均匀、分散性较好 ,具有金红石结构 ;共沉淀温度对 Sb/Sn O2 微粉末的粒度和电导性能影响较小 ,合适的共沉淀温度为 45～ 70℃ ;粉末粒度在 p H为 4～6之间出现 1个极大值 ,该 p H值下所对应的粉末电阻较小 ,同时考虑 p H值对粒度与电性能的影响 ,最佳 p H值范围为 3～

制备条件对Sb/SnO_2超细粉水分散性的影响

采用球磨分散的方法制得了Sb/SnO2 超细粉水分散体系。通过测定分散体系的Zeta电位和沉降率详细考察了分散体系 pH值、掺锑浓度和加热温度对Sb/SnO2 超细粉水分散性的影响规律。结果表明 ,制备条件通过控制粒子表面状态、化学构成和晶体完整性等影响Sb/SnO2 超细粉的分散性。Sb/SnO2 超细粉的等电点为 1 8左右。制备稳定性高、分散效果好的Sb/SnO2 超细粉水分散体系的合适条件的pH值为 1 0 0～ 1 1 5、n(Sb) /n(Sn)为 0 0 4～ 0 1 9,加热温度为 80 0℃左右。

热处理气氛和温度对SnO_2∶Sb超细粉的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法分别制得了纳米级的SnO2∶Sb,Sb2O3和SnO2超细粉,并选取工业用Sb2O3粉末作为参比,运用X射线衍射(XRD)、Leitz多功能显微镜、电阻测试等测试方法对粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理气氛和温度对粉末物相和电阻的影响。

氧化共沉淀制备锑掺杂超细SnO_2的工艺探讨

研究了用氧化共沉淀方法制备掺锑纳米二氧化锡粉料的适宜工艺条件 ,探讨了前驱体的快速洗涤分离。结果表明 :通过降低前驱体的溶剂化作用 ,可促使胶粒聚集 ,从而可有效加快洗涤分离前驱体的速度。可以解决使用沉淀法制备超细 (纳米 )粉体过程中存在的沉淀难以洗涤分离的弊端 ,为工业上利用沉淀法制备掺锑纳米SnO2