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Numerical Analysis on the Effect of n-Si on Cu(In, Ga)Se2 Based Thin-Films for High-Performance Solar Cells by 1D-SCAPS
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作者 Rasika N. Mohottige Micheal Farndale +1 位作者 Gary S. Coombs Shahnoza Saburhhojayeva 《Open Journal of Applied Sciences》 2024年第5期1315-1329,共15页
We report the performances of a chalcopyrite Cu(In, Ga)Se<sub>2 </sub>CIGS-based thin-film solar cell with a newly employed high conductive n-Si layer. The data analysis was performed with the help of the ... We report the performances of a chalcopyrite Cu(In, Ga)Se<sub>2 </sub>CIGS-based thin-film solar cell with a newly employed high conductive n-Si layer. The data analysis was performed with the help of the 1D-Solar Cell Capacitance Simulator (1D-SCAPS) software program. The new device structure is based on the CIGS layer as the absorber layer, n-Si as the high conductive layer, i-In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>, and i-ZnO as the buffer and window layers, respectively. The optimum CIGS bandgap was determined first and used to simulate and analyze the cell performance throughout the experiment. This analysis revealed that the absorber layer’s optimum bandgap value has to be 1.4 eV to achieve maximum efficiency of 22.57%. Subsequently, output solar cell parameters were analyzed as a function of CIGS layer thickness, defect density, and the operating temperature with an optimized n-Si layer. The newly modeled device has a p-CIGS/n-Si/In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Al-ZnO structure. The main objective was to improve the overall cell performance while optimizing the thickness of absorber layers, defect density, bandgap, and operating temperature with the newly employed optimized n-Si layer. The increase of absorber layer thickness from 0.2 - 2 µm showed an upward trend in the cell’s performance, while the increase of defect density and operating temperature showed a downward trend in solar cell performance. This study illustrates that the proposed cell structure shows higher cell performances and can be fabricated on the lab-scale and industrial levels. 展开更多
关键词 n-Si p-CIGS 1D-SCAPS Thin-films In2S3
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溶胶-凝胶SiO_(2)减反膜的制备与光学性能研究
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作者 沈斌 张旭 +2 位作者 熊怀 李海元 谢兴龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期525-530,共6页
碱催化溶胶-凝胶多孔SiO_(2)减反膜具有优异的光学性能及抗激光损伤性能,是高功率激光装置中的重要组成部分,但其与光学元件之间的结合强度低,使得膜层易发生接触破坏。本研究以“神光II”高功率激光装置溶胶-凝胶多孔SiO_(2)减反膜为基... 碱催化溶胶-凝胶多孔SiO_(2)减反膜具有优异的光学性能及抗激光损伤性能,是高功率激光装置中的重要组成部分,但其与光学元件之间的结合强度低,使得膜层易发生接触破坏。本研究以“神光II”高功率激光装置溶胶-凝胶多孔SiO_(2)减反膜为基础,通过提拉法在其表层涂覆致密的SiO_(2)薄层后得到机械强度提升的双层SiO_(2)减反膜(SiO_(2)-MTES),并与常用的单层氨固化SiO_(2)减反膜(SiO_(2)-HMDS)进行相关应用性能的综合比较。结果表明,涂覆SiO_(2)-MTES的熔石英在约800 nm处的峰值透过率大于99.6%,运用1-on-1激光损伤阈值测试方法测得该双层SiO_(2)减反膜的零几率激光损伤阈值为51.9 J/cm^(2)(1064 nm,9.1 ns),与涂覆SiO_(2)-HMDS的性能相当。同时,SiO_(2)-MTES膜层与水的接触角达到117.3°,且在相对湿度大于90%的高湿环境中膜层的透过率较稳定。多次擦拭实验结果表明SiO_(2)-MTES的耐摩擦机械强度明显优于SiO_(2)-HMDS,有效提升了膜层与光学元件之间的结合强度。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 减反膜 SiO_(2) 机械强度
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溶胶-凝胶法制备SiO_(2)减反射薄膜及其耐久性
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作者 王军 胡瑾瑜 +3 位作者 向军淮 李由 张淑娟 胡敏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期243-249,共7页
目的增加太阳光在太阳能电池玻璃盖板的透过率,以期提高太阳能电池的转换效率。方法以正硅酸乙酯为原料、乙醇为溶剂、氨水为催化剂,采用碱催化溶胶-凝胶浸渍提拉法,在玻璃表面制备了SiO_(2)减反射薄膜,研究了溶胶中正硅酸乙酯与乙醇物... 目的增加太阳光在太阳能电池玻璃盖板的透过率,以期提高太阳能电池的转换效率。方法以正硅酸乙酯为原料、乙醇为溶剂、氨水为催化剂,采用碱催化溶胶-凝胶浸渍提拉法,在玻璃表面制备了SiO_(2)减反射薄膜,研究了溶胶中正硅酸乙酯与乙醇物质的量比和提拉镀膜速度对SiO_(2)薄膜光学性质的影响,分析了减反射薄膜的耐久性。结果碱性溶胶制备的SiO_(2)为非晶相,采用浸渍提拉法在玻璃表面制备的薄膜结构疏松,且存在微裂纹。采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s制备的SiO_(2)薄膜,折射率分别为1.35和1.33,厚度分别为101.11、102.63nm,最大透过率分别高于未镀膜玻璃6.57%和6.94%,在400~1100nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.01%和5.34%,表明该薄膜具有优异的减反射性能。玻璃表面制备SiO_(2)薄膜后,水接触角约为5°,具有超亲水性。将未镀膜玻璃及镀膜样品在实验室放置5个月后,采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s的制备SiO_(2)薄膜的最大透过率分别高于未镀膜玻璃7.50%和6.71%,在400~1100 nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.94%和5.59%,表明SiO_(2)薄膜的减反射性能具有较好的耐久性。结论采用碱催化溶胶-凝胶法在玻璃上制备的SiO_(2)减反射薄膜具有超亲水性及优异的减反射耐久性,在太阳能电池玻璃盖板上具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 SiO_(2)薄膜 减反射 润湿性 耐久性
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5Cr油套管钢在含Cl^(-)的CO_(2)环境中的腐蚀特性研究
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作者 赵国仙 刘冉冉 +6 位作者 李琼玮 杨立华 孙雨来 丁浪勇 王映超 张思琦 宋洋 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期55-66,共12页
目的掌握油气井生产中CO_(2)腐蚀对油套管的影响规律,研究兼顾耐蚀性和经济性的5Cr油套管材料在含Cl^(-)的CO_(2)环境中不同时间下的腐蚀演变规律。方法采用XRD、XPS、SEM和EDS等技术分析5Cr油套管钢在不同时间下腐蚀产物膜的演变情况,... 目的掌握油气井生产中CO_(2)腐蚀对油套管的影响规律,研究兼顾耐蚀性和经济性的5Cr油套管材料在含Cl^(-)的CO_(2)环境中不同时间下的腐蚀演变规律。方法采用XRD、XPS、SEM和EDS等技术分析5Cr油套管钢在不同时间下腐蚀产物膜的演变情况,利用丝束电极(WBE)和阻抗测试(EIS)技术对其腐蚀电化学行为进行研究。结果5Cr油套管钢腐蚀后期的平均腐蚀速率约为初期的1/2,在腐蚀14 d后,腐蚀产物膜中的Cr富集大于30%,Cr、Fe质量比达到较高水平,约为基体的15倍。随着腐蚀的进行,电荷传递电阻和产物膜覆盖引起的电阻增大,电化学反应阻力增大。在腐蚀前期具有局部不均匀性,随着腐蚀的进行,电极腐蚀电位有负移现象,最终分布区间为−0.59~−0.61 V,电极表面阳极电流区域大幅减少。结论在腐蚀时间延长的条件下,5Cr油套管钢腐蚀产物膜的致密性增加,电荷传递电阻呈变大趋势。在产物膜下的5Cr油套管钢区域,电流发生由阴极向阳极极性转变的现象,产物膜存在的孔隙使5Cr油套管钢基体金属被腐蚀,从而导致阳极电流的出现。表面局部腐蚀电位阳极区的形成和扩展使其有产生点蚀的倾向,但腐蚀产物逐渐沉积在点蚀坑内壁,形成了Cr富集的保护性表面层,原发生点蚀区域由原阳极活性点位转变为阴极区,对其发展起到了抑制作用。 展开更多
关键词 5Cr油套管钢 CO_(2)腐蚀 腐蚀产物膜 Cr元素富集 电化学阻抗谱 丝束电极
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基于共溅射ZnO/SnO_(2)异质结薄膜的气体传感器研究
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作者 孙士斌 张叶裕 +1 位作者 高晨阳 常雪婷 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第2期61-64,共4页
采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏... 采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏度以及更快的响应和恢复速度。ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器对乙醇具有较好的选择性,最低检测体积分数为1×10^(-6),最佳工作温度为250℃;对1×10^(-4)乙醇气体的灵敏度可达18.4,响应时间和恢复时间分别为10 s和19 s。 展开更多
关键词 磁控共溅射 ZnO/sno_(2)异质结 复合薄膜 气体传感器
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锌电积用Pb-Ag阳极MnO_(2)镀膜的电化学性能
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作者 王恩泽 郭孟伟 +3 位作者 邵伟春 高明远 徐存英 张启波 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期490-502,共13页
锌电积用Pb-Ag阳极存在析氧过电位高、表面铅易电化学氧化溶解,造成阴极电锌品质低等突出问题,如何减少阳极的溶铅污染并提升其催化析氧活性、降低反应能耗,成为亟待解决的难题。本文在Pb-Ag阳极表面电沉积一层均匀、致密的MnO_(2)薄膜... 锌电积用Pb-Ag阳极存在析氧过电位高、表面铅易电化学氧化溶解,造成阴极电锌品质低等突出问题,如何减少阳极的溶铅污染并提升其催化析氧活性、降低反应能耗,成为亟待解决的难题。本文在Pb-Ag阳极表面电沉积一层均匀、致密的MnO_(2)薄膜,采用SEM、XRD和ICP等对MnO_(2)催化层的表面微观形貌、晶体结构和溶液含铅量进行分析;采用CV、LSV、EIS和Tafel等对Pb-Ag/MnO_(2)阳极的析氧催化活性和耐腐蚀性能进行分析。结果表明:在MnSO_(4)-H_(2)SO_(4)溶液中,当循环速率为200 mL/min、温度为80℃时,以4 mA/cm^(2)电沉积120 min制备的Pb-Ag/MnO_(2)镀膜电极具有最佳的催化析氧和耐蚀性能;PbAg阳极经优化镀膜后,50 mA/cm^(2)时其析氧过电位由936 mV降低为648 mV,腐蚀电流密度由7.03μA/cm^(2)降低至0.66μA/cm^(2);相较于Pb-Ag阳极,基于Pb-Ag/MnO_(2)阳极的15 d长周期电锌体系中溶铅量由0.61 mg/L降至0.29 mg/L。 展开更多
关键词 锌电积 Pb-Ag阳极 MnO_(2)镀膜 催化析氧 耐蚀性能
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SnO_(2)气体传感器敏感层厚度对乙醇气体响应性能的影响
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作者 张永 易建新 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期52-55,61,共5页
为了探究二氧化锡(SnO_(2))—乙醇响应体系中的敏感层厚度对传感器响应性能的影响,通过静电纺丝法,制备了SnO_(2)中空纳米纤维。利用所制备的纳米纤维制作了不同敏感层厚度的电阻型气体传感器,并对所制备的传感器进行了乙醇气体响应性... 为了探究二氧化锡(SnO_(2))—乙醇响应体系中的敏感层厚度对传感器响应性能的影响,通过静电纺丝法,制备了SnO_(2)中空纳米纤维。利用所制备的纳米纤维制作了不同敏感层厚度的电阻型气体传感器,并对所制备的传感器进行了乙醇气体响应性能研究。测试结果表明:敏感层厚度改变了气体传感器的响应值与乙醇气体体积分数在双对数坐标系中的斜率,并且敏感层厚度对该斜率的影响还随着温度的改变而不同;敏感层厚度改变了气体传感器的最佳响应温度。敏感层厚度越小,最佳响应温度越高。目标气体在敏感材料内部的扩散过程中,会吸附在敏感材料表面发生异相催化反应,而气体传感器敏感层的厚度会影响目标气体的扩散,从而改变敏感层内部微环境中的气体成分及其含量,并对气体传感器的响应性能产生影响。 展开更多
关键词 乙醇 二氧化锡 静电纺丝法 膜厚度 响应性能
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PE-BW-SiO_(2)复合包装膜对草鱼保鲜效果的研究
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作者 李娟华 王红蕾 +3 位作者 陈国健 高南 仲芸芸 肖乃玉 《包装工程》 CAS 北大核心 2024年第9期34-44,共11页
目的开发一种具有优良理化性能,并能有效应用于草鱼保鲜的新型活性包装膜。方法采用聚乙烯为基膜材料,以蜂蜡和纳米SiO_(2)为活性成分,采用熔融共混和造粒吹膜工艺制备PE-BW-SiO_(2)复合包装膜。测定包装膜的力学性能、阻隔性能和疏水性... 目的开发一种具有优良理化性能,并能有效应用于草鱼保鲜的新型活性包装膜。方法采用聚乙烯为基膜材料,以蜂蜡和纳米SiO_(2)为活性成分,采用熔融共混和造粒吹膜工艺制备PE-BW-SiO_(2)复合包装膜。测定包装膜的力学性能、阻隔性能和疏水性能,并研究它在4℃贮藏条件下对草鱼的保鲜效果。结果通过添加BW-SiO_(2)活性成分,包装膜的力学性能、阻隔性能和疏水性能得到提高。其中,BW-SiO_(2)添加量(质量分数)为2%的包装膜的力学性能、阻隔性能等综合性能达到最佳水平。将不同包装膜包装的草鱼置于4℃下贮藏11 d,结果表明,与纯PE包装膜相比,添加BW-SiO_(2)功效因子的复合PE包装膜对草鱼的保鲜效果更好,能够减缓鱼肉的水分流失和脂质氧化反应,有效延缓鱼肉的腐败变质进程,从而延长鱼肉的贮藏期。结论PE-BW-SiO_(2)复合包装膜具有良好的理化性能和保鲜效果,它有效地阻隔了外界水分的渗透和氧气的进入,从而减缓了水分流失和脂质氧化反应,同时还能防止微生物的滋长。此包装膜有效延缓了草鱼的腐败变质进程,在4℃下贮藏时将草鱼的货架期延长至11 d。 展开更多
关键词 草鱼 保鲜 蜂蜡 纳米SiO_(2) PE-BW-SiO_(2)复合包装膜
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基于ZrO_(2)-SiO_(2)和介孔SiO_(2)凝胶膜制备可见光区双层减反射膜
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作者 汪文文 肖志葳 +3 位作者 邓志文 贾红宝 王颖 朱世海 《辽宁科技大学学报》 CAS 2024年第1期75-80,共6页
采用溶胶-凝胶法,以正丙醇锆、正硅酸四乙酯为原料,在乙醇体系中以原位混合方式成功制备ZrO_(2)-SiO_(2)混合溶胶,Zr摩尔分数为20%~80%。在熔融石英基底上镀制混合凝胶膜,所得ZrO_(2)-SiO_(2)薄膜折射率在1.55~1.75之间可调。以有序介孔... 采用溶胶-凝胶法,以正丙醇锆、正硅酸四乙酯为原料,在乙醇体系中以原位混合方式成功制备ZrO_(2)-SiO_(2)混合溶胶,Zr摩尔分数为20%~80%。在熔融石英基底上镀制混合凝胶膜,所得ZrO_(2)-SiO_(2)薄膜折射率在1.55~1.75之间可调。以有序介孔SiO_(2)薄膜为外层,选择与之匹配的ZrO_(2)-SiO_(2)薄膜为内层,构建λ/4~λ/2双层宽谱带减反射涂层。根据实际膜层的光学常数进行双层膜的优化设计,成功制备出在可见光区平均透射率达到99.17%的双层减反射薄膜。 展开更多
关键词 ZrO_(2)-SiO_(2)混合溶胶 溶胶-凝胶法 原位混合 减反射膜
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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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Enhancing performance of low-temperature processed CsPbI2Br all-inorganic perovskite solar cells using polyethylene oxide-modified TiO_(2)
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作者 Xu Zhao Naitao Gao +2 位作者 Shengcheng Wu Shaozhen Li Sujuan Wu 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期786-794,共9页
CsPbX_(3)-based(X=I,Br,Cl)inorganic perovskite solar cells(PSCs)prepared by low-temperature process have attracted much attention because of their low cost and excellent thermal stability.However,the high trap state d... CsPbX_(3)-based(X=I,Br,Cl)inorganic perovskite solar cells(PSCs)prepared by low-temperature process have attracted much attention because of their low cost and excellent thermal stability.However,the high trap state density and serious charge recombination between low-temperature processed TiO_(2)film and inorganic perovskite layer interface seriously restrict the performance of all-inorganic PSCs.Here a thin polyethylene oxide(PEO)layer is employed to modify TiO_(2)film to passivate traps and promote carrier collection.The impacts of PEO layer on microstructure and photoelectric characteristics of TiO_(2)film and related devices are systematically studied.Characterization results suggest that PEO modification can reduce the surface roughness of TiO_(2)film,decrease its average surface potential,and passivate trap states.At optimal conditions,the champion efficiency of CsPbI_(2)Br PSCs with PEO-modified TiO_(2)(PEO-PSCs)has been improved to 11.24%from 9.03%of reference PSCs.Moreover,the hysteresis behavior and charge recombination have been suppressed in PEO-PSCs. 展开更多
关键词 polyethylene oxide-modified TiO_(2) film low-temperature process CsPbI_(2)Br-based all-inorganic perovskite solar cells photo-voltaic performance
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p-Si/n-Ga_(2)O_(3)异质结制备与特性研究
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作者 陈沛然 焦腾 +6 位作者 陈威 党新明 刁肇悌 李政达 韩宇 于含 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期73-81,共9页
本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长T... 本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度优化实验,减少了Si衬底与β-Ga_(2)O_(3)之间的晶格失配与热失配带来的影响,对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,以及具有较低理想因子(42.1)的PN结。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 金属有机化学气相沉积 p-Si/n-Ga_(2)O_(3) PN结 晶体质量 电学特性
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Preparation,Characterization and Photothermal Study of PVA/Ti_(2)O_(3) Composite Films
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作者 尚蒙娅 HE Yanyan +3 位作者 YU Jianhui YAN Jiahui XIE Haodi 李金玲 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期658-663,共6页
In this work,flexible photothermal PVA/Ti_(2)O_(3) composite films with different amount(0 wt%,5 wt%,10 wt%,15 wt%)of Ti_(2)O_(3) particles modified by steric acid were prepared by a simple solution casting method.The... In this work,flexible photothermal PVA/Ti_(2)O_(3) composite films with different amount(0 wt%,5 wt%,10 wt%,15 wt%)of Ti_(2)O_(3) particles modified by steric acid were prepared by a simple solution casting method.The microstructures,XRD patterns,FTIR spectra,UV-Vis-NIR spectra thermo-conductivity,thermo-stability and photothermal effects of these composite films were all characterized.These results indicated that Ti_(2)O_(3) particles were well dispersed throughout the polyvinyl alcohol(PVA)matrix in the PVA/Ti_(2)O_(3) composite films.And Ti_(2)O_(3) particles could also effectively improve the photothermal properties of the composite films which exhibited high light absorption and generated a high temperature(about 57.4℃for film with 15 wt%Ti_(2)O_(3) amount)on the surface when it was irradiated by a simulated sunlight source(1 kW/m^(2)). 展开更多
关键词 Ti_(2)O_(3)particles solution casting method composite film photothermal conversion
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Uniform deposition of ultra-thin TiO_(2) film on mica substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition: Effect of precursor concentration 被引量:2
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作者 Ming Liu Ying Li +4 位作者 Rui Wang Guoqiang Shao Pengpeng Lv Jun Li Qingshan Zhu 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期99-107,共9页
The performance of pearlescent pigment significantly affected by the grain size and the roughness of deposited film. The effect of TiCl_(4) concentration on the initial deposition of TiO_(2) on mica by atmospheric pre... The performance of pearlescent pigment significantly affected by the grain size and the roughness of deposited film. The effect of TiCl_(4) concentration on the initial deposition of TiO_(2) on mica by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) was investigated. The precursor concentration significantly affected the deposition and morphology of TiO_(2) grains assembling the film. The deposition time for fully covering the surface of mica decreased from 120 to 10 s as the TiCl_(4) concentration increased from 0.38%to 2.44%. The grain size increased with the TiCl_(4) concentration. The AFM and TEM analysis demonstrated that the aggregation of TiO_(2) clusters at the initial stage finally result to the agglomeration of fine TiO_(2) grains at high TiCl_(4) concentrations. Following the results, it was suggested that the nucleation density and size was easy to be adjusted when the TiCl_(4) concentration is below 0.90%. 展开更多
关键词 Chemical vapor deposition TiO_(2)thin film Nucleation reaction Precursor concentration Pearlescent pigment
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不同介电层对Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)薄膜铁电性能影响的研究进展
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作者 袁晓博 何慧凯 +2 位作者 唐文涛 刘宗芳 苏铭吉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期297-309,共13页
近年来,铁电Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)(HZO)薄膜受到越来越多的关注,但是铁电层与电极材料层以及铁电层与半导体衬底层之间的界面问题并没有得到解决,阻碍了HZO薄膜的进一步应用。总结了通过引入不同介电层材料,如Al_(2)O_(3)、ZrO_(2)、HfO_... 近年来,铁电Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)(HZO)薄膜受到越来越多的关注,但是铁电层与电极材料层以及铁电层与半导体衬底层之间的界面问题并没有得到解决,阻碍了HZO薄膜的进一步应用。总结了通过引入不同介电层材料,如Al_(2)O_(3)、ZrO_(2)、HfO_(2)、Ta_(2)O_5等,调节HZO薄膜铁电性能的方法及其机理;详细介绍了各种介电层材料作为封盖层对HZO薄膜铁电性能的影响,如对HZO薄膜提供平面内应力、控制铁电层的晶粒尺寸及作为铁电层形核核心的作用;最后,总结并展望了利用介电层调控HZO薄膜铁电性能的一般规律,为后续相关研究的开展提供了指导。 展开更多
关键词 铁电性能 HZO薄膜 介电层 Al_(2)O_(3) ZrO_(2)
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Centimeter-sized Cs_(3)Cu_(2)I_(5)single crystals grown by oleic acid assisted inverse temperature crystallization strategy and their films for high-quality X-ray imaging 被引量:1
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作者 Tao Chen Xin Li +9 位作者 Yong Wang Feng Lin Ruliang Liu Wenhua Zhang Jie Yang Rongfei Wang Xiaoming Wen Bin Meng Xuhui Xu Chong Wang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期382-389,共8页
Low-dimensional halide perovskites have become the most promising candidates for X-ray imaging,yet the issues of the poor chemical stability of hybrid halide perovskite,the high poisonousness of lead halides and the r... Low-dimensional halide perovskites have become the most promising candidates for X-ray imaging,yet the issues of the poor chemical stability of hybrid halide perovskite,the high poisonousness of lead halides and the relatively low detectivity of the lead-free halide perovskites which seriously restrain its commercialization.Here,we developed a solution inverse temperature crystal growth(ITCG)method to bring-up high quality Cs_(3)Cu_(2)I_(5)crystals with large size of centimeter order,in which the oleic acid(OA)is introduced as an antioxidative ligand to inhibit the oxidation of cuprous ions effieiently,as well as to decelerate the crystallization rate remarkalby.Based on these fine crystals,the vapor deposition technique is empolyed to prepare high quality Cs_(3)Cu_(2)I_(5)films for efficient X-ray imaging.Smooth surface morphology,high light yields and short decay time endow the Cs_(3)Cu_(2)I_(5)films with strong radioluminescence,high resolution(12 lp/mm),low detection limits(53 nGyair/s)and desirable stability.Subsequently,the Cs_(3)Cu_(2)I_(5)films have been applied to the practical radiography which exhibit superior X-ray imaging performance.Our work provides a paradigm to fabricate nonpoisonous and chemically stable inorganic halide perovskite for X-ray imaging. 展开更多
关键词 Inverse temperature crystal growth Cs_(3)Cu_(2)I_(5)single crystal Vapor deposition Cs_(3)Cu_(2)I_(5)films X-ray imaging
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316L不锈钢在不同浓度Cl^(-)和CO_(2)条件下的腐蚀行为
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作者 王孝磊 《材料保护》 CAS CSCD 2024年第3期130-136,165,共8页
为了探明在辽河油田采出水环境中Cl^(-)和CO_(2)对316L不锈钢腐蚀行为的影响,通过浸泡实验、交流阻抗(EIS)和极化曲线技术分别研究了不同Cl^(-)浓度和CO_(2)分压对316L不锈钢的影响,其中Cl^(-)浓度梯度为0,0.0300,0.0515,0.0700 mol/L,C... 为了探明在辽河油田采出水环境中Cl^(-)和CO_(2)对316L不锈钢腐蚀行为的影响,通过浸泡实验、交流阻抗(EIS)和极化曲线技术分别研究了不同Cl^(-)浓度和CO_(2)分压对316L不锈钢的影响,其中Cl^(-)浓度梯度为0,0.0300,0.0515,0.0700 mol/L,CO_(2)分压为0.2,0.4,0.6 MPa,并结合X射线衍射技术(XRD)对腐蚀产物进行了分析。结果表明:Cl^(-)浓度的增大使容抗弧直径减小,弥散指数降低,腐蚀情况加剧;容抗弧的直径随着CO_(2)分压的增大先变小后变大,弥散指数先降低后升高,腐蚀情况先加剧后减缓。这是由于Cl^(-)会破坏316L表面的钝化膜,而CO_(2)会与基体反应生成FeCO_(3),随着CO_(2)分压升高,FeCO_(3)保护膜愈加致密。 展开更多
关键词 316L不锈钢 油田采出水 Cl^(-) CO_(2) 腐蚀行为 钝化膜
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Ti/TiO_(2)/p-Si阻变存储器中非线性电阻转变机制的研究
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作者 罗涵琼 胡全丽 《山东化工》 CAS 2024年第4期12-14,共3页
采用磁控溅射沉积技术在p型硅片(p-Si)上沉积TiO_(2)薄膜,然后使用掩模板沉积Ti顶电极,制备出具有Ti/TiO_(2)/p-Si结构的阻变存储器。该器件表现出了稳定的非线性电阻转变特性,该器件具有自整流效应,并且具有较大的开关比(高于10^(3))... 采用磁控溅射沉积技术在p型硅片(p-Si)上沉积TiO_(2)薄膜,然后使用掩模板沉积Ti顶电极,制备出具有Ti/TiO_(2)/p-Si结构的阻变存储器。该器件表现出了稳定的非线性电阻转变特性,该器件具有自整流效应,并且具有较大的开关比(高于10^(3))和非常稳定的循环特性。器件的电阻转变机制为空间电荷限制电流传导和肖特基发射机制。研究表明Ti/TiO_(2)/p-Si器件是一种非常有潜力的下一代非易失性存储器件。 展开更多
关键词 氧化钛 薄膜 阻变存储器
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Al_(2)O_(3)膜对高温环境下NiCrAlY-SiC复合镀层内部反应的阻隔及涂层耐磨性研究
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作者 黄凌峰 刘建明 +2 位作者 王帅 郭睿 章德铭 《中国科技论文》 CAS 2024年第3期376-381,共6页
为了解决以SiC颗粒为磨料的叶尖耐磨复合镀层在高温工况下SiC与涂层中Ni元素反应导致涂层耐磨性下降等问题,采用化学气相沉积(chemicalvapor deposition,CVD)工艺方法在SiC颗粒表面制备了Al_(2)O_(3)膜以阻隔SiC与涂层中Ni元素的反应。... 为了解决以SiC颗粒为磨料的叶尖耐磨复合镀层在高温工况下SiC与涂层中Ni元素反应导致涂层耐磨性下降等问题,采用化学气相沉积(chemicalvapor deposition,CVD)工艺方法在SiC颗粒表面制备了Al_(2)O_(3)膜以阻隔SiC与涂层中Ni元素的反应。研究了0.5~1.0μm和5.0~10.0μm这2种厚度范围的Al_(2)O_(3)膜对NiCrAlY-SiC@Al_(2)O_(3)叶尖耐磨镀层中SiC颗粒与NiCrAlY镀层在1100℃高温环境下反应的阻隔效果,并测试了2种Al_(2)O_(3)膜厚度的NiCrAlY-SiC@Al_(2)O_(3)叶尖耐磨镀层在1100℃高温环境下保温500 h后的耐磨性。结果显示,5.0~10.0μm厚度的Al_(2)O_(3)膜可有效阻隔SiC颗粒与NiCrAlY镀层的高温反应,使NiCrAlY-SiC@Al_(2)O_(3)涂层在1100℃高温环境下保持良好的耐磨性,并与ZrO2陶瓷封严涂层形成良好的对磨匹配效果。 展开更多
关键词 镍铬铝钇复合镀层 氧化铝膜 碳化硅 磨料叶尖
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MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜结构设计及其宽温域摩擦性能研究
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作者 高臻荣 候果源 任思明 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期80-89,170,共11页
目的探究环境温度对MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜摩擦磨损性能的影响,探讨并揭示薄膜在高温环境下的损伤机理。方法采用非平衡磁控溅射技术制备MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜,评价Ti、WC双功能组元以及纳米多层结构设计对薄膜表面形貌和微观... 目的探究环境温度对MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜摩擦磨损性能的影响,探讨并揭示薄膜在高温环境下的损伤机理。方法采用非平衡磁控溅射技术制备MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜,评价Ti、WC双功能组元以及纳米多层结构设计对薄膜表面形貌和微观结构的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、扫描探针显微镜(SPM)等表征手段对薄膜的晶体结构、表截面形貌以及表面粗糙度进行分析,利用原位纳米压痕仪对薄膜的力学性能进行评估,利用高温摩擦磨损试验机评价薄膜在不同温度环境(25~300℃)下的摩擦磨损性能,进一步通过激光共聚焦对磨痕和磨斑进行光学形貌分析,并利用能谱仪(EDS)和共聚焦显微拉曼光谱(Micro-Raman)对钢配副表面的摩擦转移膜进行成分分析。最终揭示MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜在不同温度下的磨损机理。结果MoS_(2)/Ti-WC纳米多层的结构设计可以诱导MoS_(2)(002)晶面的择优生长,获得表面平整光滑、结构致密的薄膜。相比于MoS_(2)/Ti薄膜,WC纳米层的引入,赋予薄膜更高的硬度和硬/弹比。MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜在潮湿空气中的平均摩擦因数为0.07,平均磨损率为6.14×10^(-7)mm^(3)/(N·m)。结论MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜在宽温域(100~300℃)内保持稳定的摩擦性能,这得益于薄膜纳米多层的结构设计、高的硬/弹比以及优异的抗氧化性能,同时在钢配副表面形成了连续且致密的转移膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 MoS_(2)/Ti-WC纳米多层薄膜 环境适应性 高温润滑性能 摩擦磨损
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