SPICE程序的双曲正切功能扩展及其在电路建模中的应用

从建立彩电ＣＡＤ系统出发，叙述了在ＳＰＩＣＥ程序中增加双曲正切函数受控源功能的过程，介绍了双曲正切受控源在集成电路宏模型中的应用。

一种SET的SPICE宏模型及SET／CMOS混合系统仿真研究

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.

梳状谐振器的大信号等效电路宏模型

研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程 .采用 SPICE中的多项式受控源 ,给出了其 F - I类比的大信号等效电路 ,同时根据所得到的等效电路宏模型运用 SPICE软件进行了系统级的模拟 ,并采用两种方法进行了验证 .

固支梁微传感器等效电路宏模型及IP库的建立

针对 MEMS器件中的固支梁结构 ,采用了 SPICE中标准多项式受控源的形式和模态分析的方法 ,运用 F-I类比的电路形式建立了固支梁微传感器的多模态小信号等效电路宏模型 ,并建立了相应的 IP模型库单元。在外加力作用下 ,用 SPICE软件调用固支梁的 IP库并结合外加电路进行了系统级的模拟 ,得到微传感器分布参数的电学参量输出特性曲线 ;最后采用

悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构 ,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下 ,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟 ,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线 ;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系。该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,并可以由此出发,研究SET反相器和存储器电路,解决SET/MOS混合电路仿真的问题,对未来单电子电路的研究会有一定的帮助。

MEMS微传感器件IP库的建立方法

为实现MEMS器件系统级的模拟,运用等效电路宏模型的方法建立相应的IP模型库单元。本文以悬臂梁结构的微传感器为例,描述了如何根据基本结构与数学方程建立等效电路宏模型,并采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证,最后通过我们自行开发的IP库单元建立接口软件对单元进行了封装与入库。

单电子晶体管及仿真实现方法

基于传统单电子理论 ,阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用。给出了三种仿真方法的具体实现过程 :解主方程方法、蒙特卡洛方法和 Spice宏模型方法 。

高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化

分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.

集成电路宏模型库的自动建立

目前国内的SPICE中仅有器件级模型库,没有集成电路宏模型库。通过剖析,构想了在SPICE电路通用分析程序中建立宏模型库的方法,建立了含有7个宏模型的模型库。该模型库不要求使用者具有建模知识,就能利用库中宏模型分析含有集成电路的系统,且源程序编写简单。