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Enhanced spin diffusion length by suppressing spin-flip scattering in lateral spin valves
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作者 Lin-Jing Pan Le Wang Li-Yuan Zhang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期156-159,共4页
The spin transport was investigated in permally (Py)/MgO/Ag junction with lateral spin valve structure. Non-local lateral spin valves measurement was carried out to determin, the apin accumulignal in Ag strip, and t... The spin transport was investigated in permally (Py)/MgO/Ag junction with lateral spin valve structure. Non-local lateral spin valves measurement was carried out to determin, the apin accumulignal in Ag strip, and the spin dif u^sion - length in Ag of the lateral spin valves was extracted from devices with the different distances between injector and detector. The experimental results are found that spin accumulation and spin diffusion length (2s) could be significantly enhanced in Ag strip with MgO capping layer, and those effects may be attributed to the low-surface spin scattering rate in Ag with an MgO cap- ping layer. 展开更多
关键词 spin accumulation spin diffusion length Lateral spin valve spin scattering
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Thermal stability of the spin injection in Co/Ag/Co lateral spin valves
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作者 Le Wang Lu-Chen Chen +4 位作者 Wen-Yu Liu Shuo Han Weiwei Wang Zhanjie Lu Shan-Shan Chen 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期495-499,共5页
Spin injection, spin diffusion, and spin detection are investigated in Co/Ag/Co lateral spin valves at room temperature.Clear spin accumulation signals are detected by the non-local measurement. By fitting the results... Spin injection, spin diffusion, and spin detection are investigated in Co/Ag/Co lateral spin valves at room temperature.Clear spin accumulation signals are detected by the non-local measurement. By fitting the results to the one-dimensional diffusion equation,8.6% spin polarization of the Co/Ag interface and -180 nm spin diffusion length in Ag are obtained.Thermal treatment results show that the spin accumulation signal drastically decreases after 100℃ annealing, and disappears under 200℃ annealing. Our results demonstrate that, compared to the spin diffusion length, the decrease and the disappearance of the spin accumulation signal are mainly dominated by the variation of the interfacial spin polarization of the Co/Ag interface. 展开更多
关键词 spin injection spin diffusion length Co/Ag contact lateral spin valve
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硅基自旋光电子学太赫兹辐射源特性
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作者 程宏阳 马倩茹 +4 位作者 徐浩然 张慧萍 金钻明 何为 彭滟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期190-198,共9页
将光电子器件集成到硅片上是光电子集成器件研发的首要步骤.自旋光电子学太赫兹辐射源,通常是由纳米厚度的铁磁/非磁性金属多层膜结构组成,在飞秒激光辐照下能产生高质量、宽带太赫兹脉冲辐射.本文利用飞秒激光脉冲在生长于硅衬底上的Ta... 将光电子器件集成到硅片上是光电子集成器件研发的首要步骤.自旋光电子学太赫兹辐射源,通常是由纳米厚度的铁磁/非磁性金属多层膜结构组成,在飞秒激光辐照下能产生高质量、宽带太赫兹脉冲辐射.本文利用飞秒激光脉冲在生长于硅衬底上的Ta/CoFeB/Ir铁磁/非磁性金属异质结中实现了高效、宽带的太赫兹相干脉冲辐射.首先,Ta/CoFeB/Ir异质结的太赫兹脉冲的极性随外加磁场的反转而反转,太赫兹辐射的物理机制可以归结为超快自旋流-电荷流转换.其次,通过改变抽运激光的激发能量密度,研究了Ta/CoFeB/Ir异质结的太赫兹辐射饱和现象.此外,通过研究Ta/CoFeB/Ir异质结的太赫兹发射特性随Ir层厚度的依赖关系,不仅优化了器件的辐射强度,而且获得了Ir层在太赫兹频率下的自旋扩散长度(~(0.59±0.12)nm).该值小于通过自旋抽运技术获得的GHz频率下的自旋扩散长度(1.34 nm),表明不同频率范围对应于不同的电子输运机理. 展开更多
关键词 宽带太赫兹辐射 铁磁异质结 逆自旋霍尔效应 自旋扩散长度
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Co/Cu多层纳米线阵列的制备与磁性能 被引量:5
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作者 姚素薇 宋振兴 王宏智 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1306-1310,共5页
利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50和200nm的Co/C多层纳米线,多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌,Co/Cu多层纳米线的长度约20&... 利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50和200nm的Co/C多层纳米线,多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌,Co/Cu多层纳米线的长度约20"m,直径约80nm;用X射线衍射(XRD)研究多层线的结构;用振动样品磁强计(VSM)测试纳米线阵列的磁性能;利用可变磁场结合高灵敏度恒流装置研究巨磁电阻(GMR)特性结果表明,Co/Cu多层纳米线具有磁各向异性.当磁场与纳米线平行和垂直时,调制波长为50nm的多层线的矫顽力分别为87500和34200A·m-1,而调制波长为200nm的多层线阵列的矫顽力分别为28600和8000A·m调制波长为50nm的多层纳米线的磁电阻变化率高达-75%,而调制波长为200nm的多层线未产生明显的GMR效应. 展开更多
关键词 CO/CU 多层纳米线 GMR 自旋扩散长度 XRD
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电场对OLED中自旋极化载流子输运的影响
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作者 乔士柱 赵俊卿 +1 位作者 贾振锋 庞智勇 《山东建筑大学学报》 2009年第5期402-406,共5页
为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响。... 为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响。计算结果表明:电场通过改变自旋扩散长度来影响自旋极化载流子的运动。对电子来说,电场方向和扩散方向相同时,电场增大会导致自旋扩散长度减小,扩散变快,电子深入样品的平均距离小,不利于在有限厚度薄膜中获得高自旋极化率;电场方向和扩散方向相反时,电场越大,自旋扩散长度越大,有利于获得高自旋极化率。对空穴来说,情况正好相反。还讨论了电场对双极自旋极化注入的影响。 展开更多
关键词 OLED 自旋注入 电场 自旋扩散长度
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导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应
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作者 王孟怡 邱志勇 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期756-761,共6页
自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生、探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点。对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题。以导... 自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生、探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点。对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题。以导电氧化铋薄膜为对象,研究其中的逆自旋霍尔效应。采用交流磁控溅射系统,使用氧化铋陶瓷靶制备了不同厚度的导电氧化铋薄膜,并与坡莫合金薄膜构成铁磁/非磁双层自旋泵浦器件,在该器件中首次观测并确认了导电氧化铋薄膜中逆自旋霍尔效应所对应的电压信号。通过逆自旋霍尔电压对氧化铋薄膜厚度的依存关系,定量地估算了氧化铋薄膜的自旋霍尔角及自旋扩散长度。通过提出一种新的具备可观测逆自旋霍尔效应的材料体系,不仅拓展了自旋电子材料的选择空间,也为新型自旋电子器件的设计和应用提供了思路。 展开更多
关键词 氧化铋 导电氧化物 逆自旋霍尔效应 自旋霍尔角 自旋扩散长度 自旋泵浦
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退火对Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Ag/Al_2O_3/Ni_(80)Fe_(20)平面自旋阀中自旋积累的影响
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作者 王乐 于广华 +2 位作者 姜勇 冯春 滕蛟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期849-854,共6页
使用电子束蒸发镀膜方法在覆有掩膜板的SiO2/Si基片上制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20结构平面自旋阀,研究了不同退火温度对Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响。使用非局域测量方法分别测量制备态以... 使用电子束蒸发镀膜方法在覆有掩膜板的SiO2/Si基片上制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20结构平面自旋阀,研究了不同退火温度对Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响。使用非局域测量方法分别测量制备态以及300,400和500℃不同退火温度下Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中Ag层中自旋积累信号的大小。实验结果表明:自旋积累信号在制备态下为1.3 mΩ;随着退火温度的升高,自旋积累信号也随着增大,并在500℃退火30 min后达到极大值(~14.5 mΩ),比制备态提高了一个数量级;进一步提高退火温度到600℃时,由于Ag层会凝聚成岛状结构而破坏Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中Ag层的连续性,使Ag层断裂,从而使测量到的自旋积累信号为0 mΩ。研究认为,Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中自旋积累信号的增强主要是高的界面自旋极化率以及长的自旋扩散长度共同作用的结果。Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中的铁磁/非磁金属界面处Al2 O3插层的平整度在退火后得到改善,有效地提高了界面自旋极化率;同时,样品表面的Al2 O3保护层退火后对Ag层中自旋电子的散射作用的增强,提高了Ag中自旋电子的扩散长度。 展开更多
关键词 平面自旋阀 自旋积累信号 界面自旋极化率 自旋扩散长度
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