熔盐法合成SrBi_2Ta_2O_9粉体

采用熔盐法合成了纯的 系层状结构的ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９粉体．采用ＸＲＤ和ＳＥＭ等手段对粉体的结构和形态进行了分析，并与固相法进行了比较，结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状，无团聚现象．对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行了考查，并对熔盐法合成ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９粉体的机理进行了讨论．

溶胶-凝胶法制备纳米SrBi_2Ta_2O_9的晶化过程和晶粒长大研究

以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不 同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4-70nm.用XRD、 TG-DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热处 理时间,研究了温度与时间参数对SBT晶粒长大的影响规律.研究表明,碳的燃烧和二氧化 碳的蒸发对纳米团簇的长大具有一定的阻碍作用. SBT相的晶化行为分为金属-氧团簇向玻 璃态转变和玻璃态到晶态的转变过程,玻璃态到晶态的转变温度区间为500-550℃.两个过程 的长大激活能分别为:Eal=0.709eV,Ea2=0.093eV.温度是晶粒长大的主要因素,热处理时间 对晶粒长大影响不明显.

PDF法在SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜结构分析中的应用

采用Sol Gel法及spin coating法制备出了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜 .通过对“对密度分布函数”(pairdistributionfunction ,PDF)中结构因子的修正 ,利用X射线衍射的PDF数据对铁电材料SrBi2 Ta2 O9的结构尺寸进行了分析 ,得出分布几率随陈化温度的变化呈现出不同的变化规律的结果 .将 2种陈化温度下的PDF数据和SrBi2 Ta2 O9扫描电镜的结果进行了对比分析 。

SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的结构与性能研究进展

综述了 Sr Bi2 Ta2 O9的结构和性能研究进展 ,着重阐明化学组成、结晶取向、热处理条件、使用温度对 Sr Bi2 Ta2 O9铁电性能的影响。结果表明 ,以 Bi4Ti3O1 2 作为过渡层 ,采用快速热处理法 ,Sr∶Bi∶ Ta=0 .8∶ 2 .2∶ 2时 ,有助于提高 SBT薄膜的剩余极化值 。

水热法制备SrBi_2Ta_2O_9陶瓷及其介电性能研究

采用水热法合成SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉体,成型后采用常规烧结法制备SBT陶瓷。利用XRD和SEM研究陶瓷的物相和微观形貌;利用介电温谱研究陶瓷的介电性能。结果表明:采用水热法能够制备出颗粒细小均匀、结构致密且物相纯净的SBT陶瓷;其居里温度为375℃,对应的介电常数为114.54。

MOD法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜及其性能研究

在Pt/TiO_2/SiO_2/Si衬底上,用金属有机物分解法(MOD)制备了SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜.研究了SBT薄膜的晶体结构,表面形貌以及它的电学性能,结果表明SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜具有良好的抗疲劳特性,在经过10~9次极化反转后其剩余极化强度P_r变化不大,约为3％,并且漏电流较低,在测量电压为1V时,漏电流密度为5.73×10^-8A/cm^2.

无机盐溶液源溶胶-凝胶法制备锶铋钽铁电陶瓷薄膜过程研究

采用可溶性无机盐 Sr( NO3) 2 ,Bi( NO3) 3及 HTa F6 为原料 ,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸( EDTA)为络合剂 ,利用溶胶 -凝胶旋转涂覆工艺 ,分别在 Al2 O3和 Pt/Ti/Si O2 /Si的衬底上制备了Sr Bi2 Ta2 O9( SBT)铁电陶瓷薄膜 .采用 SEM,XRD及 FTIR等微观分析手段 ,对制备的 SBT溶胶与薄膜过程机理进行了实验研究 .结果表明 ,由无机盐溶液原料络合合成 SBT溶胶是此方法制膜的关键 ,其中络合剂的种类、用量和 p H值的控制等是重要的影响因素 .制备了相组成均一、薄膜表面致密、均匀、无开裂、晶粒尺寸为 1 5 0 nm的多晶膜 ,获得了剩余极化 ( 2 Pr)与矫顽电场强度 ( 2 Ec)分别为 9.6μC/cm2 与 76k V/cm铁电性能较好的薄膜材料 .

溶胶-凝胶法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电陶瓷薄膜

以可溶性无机盐为原料 ,通过溶胶 -凝胶法在 Al2 O3基片上制备了 Sr Bi2 Ta2 O9(SBT)铁电陶瓷薄膜 .实验结果表明 ,在前驱体溶胶制备中 ,络合剂的种类对溶胶的稳定性和 SBT相薄膜的形成有重要影响 .在以EDTA和乙二醇为络合剂时 ,易形成均匀稳定的溶胶和单一相的 SBT薄膜 .在薄膜制备工艺中 ,Bi2 O3的高温挥发性和薄膜的退火温度是控制制备过程的关键因素 .当 Bi过量 40 % ,且在 70 0℃的温度下退火热处理 ,可以制备出符合化学计量比、结晶性较好、具有均匀晶粒尺度的 Sr Bi2 Ta2 O9铁电陶瓷薄膜 .

SBT材料微结构的TEM研究(英文)

本文利用透射电子显微术 (TEM)对SrBi2 Ta2 O9(SBT)材料 (单晶、陶瓷及薄膜 )的微结构进行了研究。在 (0 0 1 )取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到 90°铁电畴结构。在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相畴界结构 ,利用TaO6 氧八面体的扭转和四态自旋结构模型 ,对反相畴界结构的实验观测结果进行了解释。在 (0 0 1 )取向的SBT铁电薄膜中 ,观察到小角晶界 (倾角为 8 2°)的位错分解现象 ,导致不全位错和层错的出现。利用平衡状态下两个不全位错之间的排斥力等于层错的吸引力 ,估算了小角晶界处的层错能量 ,大小为 0 2 7～ 0 2 9J m2 。小角晶界位错的分解对 (0 0 1 )

CSD法制备SrBi_2Ta_2O_9粉体

为了解决乙醇钽、醋酸锶、硝酸铋在乙二醇中的溶解问题,分别以醋酸、乙醇胺、吡啶、甘露醇作为络合剂,对比研究了4种络合剂对溶液稳定性和粉体物相的影响,利用X射线衍射、透射电镜和热重-差热仪分析了粉体的相组成、微观形态和热分解历程.结果表明,以乙醇胺作为络合剂,通过化学溶液分解(CSD)法可以获得稳定的SBT溶液;稳定的SBT溶液经干燥,300℃焙烧30min和800℃煅烧1h,可获得粒径约为100nm的钙钛矿相SBT粉体.

SrBi_2Ta_2O_9纳米颗粒的Raman光谱研究

采用Raman光谱的方法研究了化学计量和非化学计量SrBi2Ta2O9(SBT)纳米颗粒晶格振动行为。通过常温、变温Raman光谱分析,得到了SBT尺寸效应和结构对称性方面的信息。软模振子频率的平方随温度的变化不符合单一的ωs2=A(Tc-T)关系揭示了尺寸效应可以导致新的相变。非化学计量SBT的Raman振动峰强度改变和峰形变化的主要因素为总电荷数以及Sr与Bi原子之间的相互取代关系。单个分子式总电荷数低于化学计量SBT总电荷数的样品,总电荷数的因素起主要作用;总电荷数高于化学计量SBT的样品,Bi原子部分取代Sr原子位置为主要因素。

SrBi_2Ta_2O_9铁电陶瓷的制备及其Ca掺杂研究

采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体,研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响。结果表明,随着烧成温度的升高,晶粒沿c轴择优取向趋势增强;不同烧成温度下陶瓷介电常数和损耗均随频率升高而降低,1000℃时陶瓷有最大介电常数和较小的损耗,且陶瓷有较大的剩余极化值和较小的矫顽电场,分别为3.884μC/cm2和25.37kV/cm。不同Ca掺杂量掺杂后,SrBi2Ta2O9陶瓷的介电常数、损耗和剩余极化值均显著降低。

退火温度对Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结微观结构与性能的影响

采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时,SrBi_2Ta_2O_9、Bi_4Ti_3O_(12)均为多晶薄膜,但随退火温度升高,Bi_4Ti_3O_(12)薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi-4Ti_3O_(12)/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700℃范围内,Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/ p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大,经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10_(-7)A/cm^2的最低值.

溶胶—凝胶法制备 SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜的研究

以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料，乙二醇单甲醚为溶剂，可以获得稳定的ＳＢＴ溶胶和凝胶。采用Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片，通过溶胶—凝胶法在８００℃经快速热处理制备出钙钛矿相ＳＢＴ薄膜。ＸＲＤ结果分析表明，薄膜的择优取向为（１１５）和（００８），其饱和极化强度和剩余极化强度分别为Ｐｓ＝８．８μＣ／ｃｍ２，Ｐｒ＝５．２μＣ／ｃｍ２。

SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究

用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。

红色荧光粉Sr_(1-x)Bi_2Ta_2O_9:xRE^(3+)(RE=Pr,Eu)的发光性能研究

采用固相反应法制备了Sr1-xBi2Ta2O9:xPr3+(SBT:xPr3+)和Sr1-xBi2Ta2O9:xEu3+(SBT:xEu3+)红色荧光粉材料。通过X射线衍射和扫描式电子显微镜图谱,分析和研究了在低掺杂浓度时,掺杂离子对SrBi2Ta2O9的晶体结构和形貌的影响。利用荧光光谱仪测试了SBT:xPr3+和SBT:xEu3+荧光粉的激发和发射光谱。当样品SBT:xPr3+采用449 nm激发时,其主发射峰位于616 nm和653 nm;样品SBT:xEu3+采用464 nm激发时,其主发射峰位于590 nm和616 nm。作为一种潜在的LED用红色荧光粉,其温度稳定性也是十分重要的性质之一。本文对样品SBT:0.02Pr3+和SBT:0.2Eu3+在50~300℃之间的温度稳定性进行了分析。

掺Cu的SrBi_2Ta_2O_9薄膜的非线性光学特性的研究

以SrBi2Ta2O9陶瓷和高纯Cu片作为靶材,利用射频磁控溅射方法在双面抛光的石英基片上制备了掺Cu金属颗粒的SrBi2Ta2O9复合薄膜.用XRD和AFM表征了薄膜的结晶性能和表面形貌;利用单光束Z扫描技术在波长532 nm处测量了薄膜的非线性光学特性,其三阶非线性光学极化率的实部Reχ(3)=2.26×10-9esu,虚部Imχ(3)=0.62×10-9esu.

SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电陶瓷的制备及性能

用固相反应法合成了SrBi_2Ta_2O_9(简称SBT)粉体,通过冷等静压成型、无压烧结的方法,制备出SBT铁电陶瓷。采用XRD、SEM、EPMA研究了材料的物相和微观组织结构,用阻抗分析仪测试了材料的介电和铁电性能。

凝胶-固相反应法制备SrBi_2Ta_2O_9

以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料,采用凝胶-固相反应法制备了SrBi_2Ta_2O_9。利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过程和烧结特性进行了研究。结果表明,球磨时间、烧结时间以及烧结温度对烧结密度和SrBi_2Ta_2O_9的分解都有明显的影响。介电性能显示,该方法合成的SrBi_2Ta_2O_9和传统的固相法合成的SrBi_2Ta_2O_9性能差别不大。