高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体SrZrO_3(SZO)缓冲层

采用高分子辅助的化学溶液沉积法，通过720～800℃之间进行烧结成相，分别在氩气和空气中SrTiO3（STO）单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03（SZO）PbN薄膜，重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明：氩气中制得的SZO外延薄膜C轴取向较好，且表面更加平整致密；氩气中770℃制备的SZO薄膜厚度超过230nm。而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层。