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The occurrence state of vanadium in the black shale-hosted vanadium deposits in Shangling of Guangxi Province, China 被引量:2
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作者 Yongbin Zhang Qian Zhang +2 位作者 Yi Cai Dapeng Wang Kaiwen Li 《Chinese Journal Of Geochemistry》 EI CAS CSCD 2015年第4期484-497,共14页
The Shangling vanadium deposit, which occurs in the Lower Devonian Tangding formation black rock series strata, has V2O5 reserves of more than 1.5 million tons and prospective reserves of more than 2 million tons. Pre... The Shangling vanadium deposit, which occurs in the Lower Devonian Tangding formation black rock series strata, has V2O5 reserves of more than 1.5 million tons and prospective reserves of more than 2 million tons. Preliminary studies on the occurrence state of vanadium(V) in this deposit have been conducted by artificial heavy minerals concentrates, leaching experiments, scanning and transmission electron microscopy and X-ray powder diffraction.These experiments have revealed no independent vanadium mineral occurrences in the Shangling vanadium deposit and the percentages of water-soluble vanadium, hydrochloric acid soluble vanadium and HF soluble vanadium were1.93 %, 21.42 % and 76.47 %, respectively. Based on our data and earlier research, we estimate that the valences state of V absorbed onto the surface of organic matter or clastic particles are +5 and +4, accounting for 10.00 % and13.35 % of the total amount of V, respectively and the valences state of V that exist in the octahedral crystal lattice of authigenic illite include +3 and +4, accounting for71.64 % and 4.83 % of the total amount of V, respectively.By calculating the correlation between the total organic carbon and V, we infer that after deposition and before entering the crystal lattice of illite, V occurs in the form of humate complex or is adsorbed by organic matter. About4.24 % of the Al is in the octahedral crystal lattice of illite,which was replaced by the vanadium under the metallogenic environments of Shanglin. 展开更多
关键词 钒矿床 赋存状态 黑色页岩 广西省 自生伊利石 X射线粉末衍射 主持 中国
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Derivation of Martin-Hou Equation of State from Hard-particle Perturbation Theory 被引量:2
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作者 ZHANG Bing-jian (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China) HOU Yu-chun (Department of Chemical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China) 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2000年第1期49-56,共8页
In this paper, the Martin-Hou equation of state is derived by using a power series representation of radial distribution function and an analytic representation of multi-section potential based on the Barker-Henderso... In this paper, the Martin-Hou equation of state is derived by using a power series representation of radial distribution function and an analytic representation of multi-section potential based on the Barker-Henderson hard-particle perturbation theory including high-order terms. In the derivation, a theoretical form of Martin-Hou equation was obtained. It had a similar form and the same capability to predict P-V-T properties as the Martin-Hou equation and no additional data were required for evaluating the constants. The characteristic constants of the theoretical expression have certain relationships with the molecular parameters. 展开更多
关键词 Perturbation theory Martin-Hou equation of state Theoretical expression P-v-T properties Molecular parameter
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Generation of entangled coherent states for two cavity modes via resonant interaction with a V-type three-level atom
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作者 郑仕标 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期2143-2146,共4页
This paper proposes a scheme for the generation of entangled coherent states for two cavity modes. In the scheme a V-type three-level atom is sent through a two-mode cavity filled with a coherent field. After the atom... This paper proposes a scheme for the generation of entangled coherent states for two cavity modes. In the scheme a V-type three-level atom is sent through a two-mode cavity filled with a coherent field. After the atom cavity interaction and detection of the atomic state the cavity modes may evolve to a superposition of two-mode coherent states. As the scheme is based on resonant atom-cavity interaction, the required interaction time is short, which is important in view of the decoherence. Moreover, additional classical pulses are unnecessary before and after the atom-cavlty interaction. 展开更多
关键词 entangled coherent state resonant interaction v-type three-level atom
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Bianchi Type-V Cosmological Model with Linear Equation of State in Brans-Dicke Theory of Gravitation
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作者 Sharad Kandalkar Seema Samdurkar 《International Journal of Astronomy and Astrophysics》 2014年第3期429-436,共8页
A Bianchi type-V space time is considered with linear equation of state in the scalar tensor theory of gravitation proposed by Brans and Dicke. We use the assumption of constant deceleration parameter and power law re... A Bianchi type-V space time is considered with linear equation of state in the scalar tensor theory of gravitation proposed by Brans and Dicke. We use the assumption of constant deceleration parameter and power law relation between scalar field &oslash;and scale factor R to find the solutions. Some physical and kinematical properties of the model are also discussed. 展开更多
关键词 Bianchi Type-v Model BRANS-DICKE Theory LINEAR Equation of state
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Preparation of W state in resonant bimodal cavity quantum electrodynamics
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作者 贾连军 杨贞标 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第10期2980-2983,共4页
A scheme is proposed for generating entangled W states with four cavity modes. In this scheme, we send a V-type three-level atom through two identical two-mode cavities in succession. After the atom exits from the sec... A scheme is proposed for generating entangled W states with four cavity modes. In this scheme, we send a V-type three-level atom through two identical two-mode cavities in succession. After the atom exits from the second cavity, the four cavity modes are prepared in the W state. On the other hand we can obtain three-atom W states by sending three V-type three-level atoms through a two-mode cavity in turn. The present scheme does not require conditional measurement, and it is easily generalized to preparing 2n-mode W states and n-atom W states. 展开更多
关键词 resonant interaction v-type three-level atom two-mode cavity W state
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Kerr介质中双模纠缠相干光场与V型三能级原子相互作用系统的原子偶极压缩 被引量:4
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作者 费振乐 郑小虎 曹卓良 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期71-76,共6页
研究了Kerr介质中双模纠缠相干光场与V型三能级原子相互作用系统的原子偶极压缩效应,结果表明:此压缩效应和双模纠缠相干光场的纠缠程度、Kerr介质与光场的耦合强度、失谐量及原子初态相关联。
关键词 量子光学 KERR介质 双模纠缠相干光场 v型三能级原子 原子偶极压缩
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利用V型三能级原子与相干态腔场的拉曼相互作用来传送三比特的未知原子态 被引量:1
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作者 党纪源 杨志勇 +1 位作者 王菊霞 林瑞娥 《苏州科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2006年第4期24-27,共4页
实现量子态的隐形传送,尤其是多比特的量子态的隐形传送在量子信息领域中具有非常重要的作用。本文提出了一种用一个三原子和相干态腔场的纠缠态作为量子信道,隐形传送三比特的未知原子态的方案。
关键词 隐形传送 纠缠态 v型三能级原子 拉曼相互作用
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两模光场与原子相互作用中光场周期性和频效应-理想Kerr介质腔中非关联双模相干态光场与V型三能级原子相互作用系统中光场的不等阶和压缩效应 被引量:3
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作者 赖振讲 侯洵 +2 位作者 杨志勇 白晋涛 孙中禹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1425-1429,共5页
利用多模压缩态理论 ,通过数值计算研究了高QKerr介质腔中非关联双模相干态光场与V型三能级原子相互作用系统中双模光场的不等幂次高次和压缩效应 ,分别绘出了两模光场第一模i次方第二模j次方不等幂次和压缩度的第一正交分量 (Sh1 ij) ... 利用多模压缩态理论 ,通过数值计算研究了高QKerr介质腔中非关联双模相干态光场与V型三能级原子相互作用系统中双模光场的不等幂次高次和压缩效应 ,分别绘出了两模光场第一模i次方第二模j次方不等幂次和压缩度的第一正交分量 (Sh1 ij) ,第二正交分量(Sh2 ij)的时间演化曲线 结果表明 :1 )Kerr介质的存在和嵌放在介质中的V型三能级原子是产生双模光场不等阶和压缩效应的物质条件 ,二者缺一不可 2 )腔中光场和原子发生光子交换是导致双模光场不等幂次和压缩效应的微观机制 3)在不考虑坐标度的情况下 ,不同条件下的时间演化曲线呈现非常相似的“崩坍 -复原 -凹谷”式结构 ,且复原区的波型振荡次数及凹谷区的振荡下降和振荡上升型式一样 4)在 χ以及〈n1 〉 ,〈n2 〉不变的条件下 ,不等幂次高次和压缩度时间演化曲线的崩坍 -复原 -凹谷式结构的持续时间随压缩阶次的升高而缩短 ,压缩度随压缩阶数的升高而迅速下降 5 )在平均光子不变 (即〈n1 〉 ,〈n2 〉恒定 ) ,但Kerr介质不同 (即 χ变化 )的条件下 ,不等幂次高次和压缩度曲线的周期随Kerr介质的三阶非线性极化系数 χ的增加而缩短 ,幅度则不受Kerr介质的三阶非线性极化系数变化的影响 6)不等幂次高次和压缩效应的持续时间等强烈地依赖于Kerr介质的? 展开更多
关键词 相互作用 光场周期性和频效应 高Q KERR介质腔 非关联双模相干态光场 Ⅴ型三能级原子 不等幂次高次和压缩效应 不等害虫次高次和压缩度 量子光学
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二项式光场与V-型量子拍频三能级原子作用系统中光场的压缩效应 被引量:1
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作者 宋军 曹卓良 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期393-399,共7页
研究了二项式光场与V 型量子拍频三能级原子作用系统中光场的压缩特性及系统参数对光场压缩的影响 .数值计算表明 :当光场与三能级原子作用失谐量增大时 ,光场涨落呈现出周期性 ,平均值下移 ,压缩时间延长 ;选择合适的系统参数可使光场... 研究了二项式光场与V 型量子拍频三能级原子作用系统中光场的压缩特性及系统参数对光场压缩的影响 .数值计算表明 :当光场与三能级原子作用失谐量增大时 ,光场涨落呈现出周期性 ,平均值下移 ,压缩时间延长 ;选择合适的系统参数可使光场完全被压缩 ,产生完全压缩光 . 展开更多
关键词 二项式态 v-型三能级原子 量子拍频 亚泊松分布 光场压缩
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V型槽开口角度对端面干气密封稳态特性的数值分析
10
作者 杨玺庆 王宇飞 马高峰 《汽车实用技术》 2023年第12期60-66,共7页
端面干气密封已广泛应用于化工旋转机械中,但对于其密封副的双向旋转槽型缺少系统的研究。针对V型槽端面干气密封运行原理和结构特点,在气膜润滑理论的基础上,建立了相应的数学模型。采用中心差分法对压力和气膜厚度控制方程进行了耦合... 端面干气密封已广泛应用于化工旋转机械中,但对于其密封副的双向旋转槽型缺少系统的研究。针对V型槽端面干气密封运行原理和结构特点,在气膜润滑理论的基础上,建立了相应的数学模型。采用中心差分法对压力和气膜厚度控制方程进行了耦合求解,并验证了编制程序的正确性。随后利用验证后的代码对端面干气密封的稳态特性参数展开了计算,并分析讨论了工况参数改变时V型槽不同的开口角度对端面干气密封稳态特性参数的影响。研究表明:本研究所数学模型具有一定的普适性,而且V型槽开口角度为α=15°的密封性能最好,四种开口角度所产生的密封效果优劣排序为α=15°>α=60°>α=30°>α=45°。V型槽端面干气密封在所讨论的工况参数范围内,气膜开启力和气膜摩擦力随转速和压力的增大而提高;泄漏量随转速的增大略微下降,随压力的增大而呈线性增大。此研究结果为端面干气密封的双向旋转槽型的设计与研究提供了参考依据。 展开更多
关键词 端面干气密封 有限差分法 v型槽型 干气密封 稳态特性
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利用V型三能级原子与光场Raman相互作用制备Schrdinger猫态 被引量:4
11
作者 林秀 李洪才 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期267-270,共4页
提出了一种制备光场具有可控制的权重因子和相位的相干态的叠加态的方案 .它是基于 V型三能级原子与初始处于相干态的光场 Raman相互作用中对通过腔中原子进行选态测量来制备 Schro   ¨ dinger猫态 .
关键词 选态测量 v型三能级原子 RAMAN相互作用 薛定谔猫态 光场
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用马丁-侯方程理论式计算流体P-V-T性质 被引量:3
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作者 张秉坚 侯虞钧 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期221-224,共4页
本文导出了马丁-侯状态方程理论式常数的计算公式,并用理论式计算了CO_2的等温曲线和十种非极性和极性物质的汽液饱和曲线,其计算精确度令人满意。
关键词 状态方程 特性常数 P-v-T性质 汽液饱和曲线
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V型三能级原子与双模奇偶纠缠相干光场相互作用的量子态保真度 被引量:2
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作者 邹艳 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期320-326,共7页
研究了Ⅴ型三能级原子与双模奇偶纠缠相干光场相互作用系统的量子态保真度,运用数值计算的方法讨论了失谐量、双模光场的强度和原子分布角对量子信息保真度的影响。结果表明:原子的量子态保真度优于系统的或光场的量子态保真度,原子初... 研究了Ⅴ型三能级原子与双模奇偶纠缠相干光场相互作用系统的量子态保真度,运用数值计算的方法讨论了失谐量、双模光场的强度和原子分布角对量子信息保真度的影响。结果表明:原子的量子态保真度优于系统的或光场的量子态保真度,原子初始处于基态时,原子的保真度好于激发态或叠加态的情况;原子的保真度随着失谐量或双模光场强度的增大而增大;系统的和光场的保真度时间演化特性是相似的。失谐量、双模光场的强度和原子的分布角都对量子态保真度的时间演化曲线的频率有影响。 展开更多
关键词 量子光学 量子态保真度 v型三能级原子 双模奇偶纠缠相干光场
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一种V型固体激光腔的热动力图解分析 被引量:3
14
作者 李锋 白杨 +1 位作者 白晋涛 侯洵 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期176-180,共5页
采用图解分析方法分析一种常用于内腔倍频V型折叠固体激光腔在热透镜作用下的工作特性;得到谐振腔两臂中的光模参数bt,b2及束腰尺寸wt,w2随激光介质的焦距ft的变化关系.结果表明:这种谐振腔具有较宽的热稳定范围,而且在ft=l0处未出现无... 采用图解分析方法分析一种常用于内腔倍频V型折叠固体激光腔在热透镜作用下的工作特性;得到谐振腔两臂中的光模参数bt,b2及束腰尺寸wt,w2随激光介质的焦距ft的变化关系.结果表明:这种谐振腔具有较宽的热稳定范围,而且在ft=l0处未出现无法运行的高损耗区;其热稳定范围及基模光斑尺寸可通过调整腔参数来改变,其关键参数为第一臂的长度l0+f,在选定腔镜的前提下,l0+f愈小,热稳定范围愈宽,同时wt愈小.在腔内插入一定厚度的布儒斯特片可以部分消除腔的像散. 展开更多
关键词 LD泵浦 固体激光器 v型折叠腔 热焦距 图解分析 像散
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矿化剂对合成V-ZrSiO_4蓝色料的影响 被引量:2
15
作者 任雪潭 曾令可 +1 位作者 陈亮 温建武 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期48-50,共3页
钒锆蓝色料因具有着色力强、呈色稳定的特点而受到广泛关注。这里采用固相反应法合成钒锆蓝色料,探讨矿化剂种类及组成、加热温度条件等因素对钒锆蓝合成的影响,通过X射线衍射(XRD)对合成色料中的物相进行分析表征。研究结果表明:钒锆... 钒锆蓝色料因具有着色力强、呈色稳定的特点而受到广泛关注。这里采用固相反应法合成钒锆蓝色料,探讨矿化剂种类及组成、加热温度条件等因素对钒锆蓝合成的影响,通过X射线衍射(XRD)对合成色料中的物相进行分析表征。研究结果表明:钒锆蓝色料中的主晶相为ZrSiO4,矿化剂对合成温度和最终颜色影响很大,氟化物和硫酸盐均为有效的矿化剂,都能制备出蓝色的V-ZrSiO4,其中硫酸盐作为矿化剂可以更显著降低合成温度。 展开更多
关键词 钒锆蓝 固相合成 矿化剂
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准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理 被引量:3
16
作者 钱敏 刘蓓 辛煜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期577-580,共4页
表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该... 表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态C-V测试;在给出表面态分析计算的原理基础上,用C语言编写数值积分程序对所采集数据进行了数据处理分析,计算得到了表面态密度分布情况,给出了分布曲线。结果表明,该样品p-Si材料的禁带中表面态存在比较广的连续分布,在靠近价带一侧呈现两个峰值。 展开更多
关键词 C-v测试 表面态分布 数据处理 数值积分
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6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究 被引量:1
17
作者 王巍 王玉青 +2 位作者 申君君 唐政维 秘俊杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期124-127,140,共5页
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度... 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。 展开更多
关键词 碳化硅 埋沟MOSFET C—v特性 界面态
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血栓及血栓前状态与凝血因子V基因多态性和APCR及HHcy的相关性研究 被引量:17
18
作者 高丽霞 丁秋兰 +9 位作者 吴克雄 胡军 王学锋 东传玲 戴菁 张斌 代静 贺萍 张学平 王云霞 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1850-1855,共6页
目的:探讨血栓患者与高同型半胱氨酸血症(HHcy)、活化蛋白C抗性(APCR)及凝血因子v基因多态性的关系。方法:300例健康查体者为正常对照;纳入研究的223例血栓患者中,经计算机断层显像(CT)的脑梗塞(CI)80例、心肌梗塞(MI)82例和静脉血栓栓... 目的:探讨血栓患者与高同型半胱氨酸血症(HHcy)、活化蛋白C抗性(APCR)及凝血因子v基因多态性的关系。方法:300例健康查体者为正常对照;纳入研究的223例血栓患者中,经计算机断层显像(CT)的脑梗塞(CI)80例、心肌梗塞(MI)82例和静脉血栓栓塞(VTE)61例;另纳入研究的270例血栓前状态患者中,妊高症(PTH)76例、慢性阻塞性肺疾病(COPD)62例、糖尿病(DM)60例和癌症(CA)72例。以循环酶法和APTT凝固法分别测定病例组和正常对照血浆中HHcy及APCR,并用限制性内切酶片段多态性(RFLP)测定FV G1691-A、G1091-C、A1090-G等3种基因多态性的发生情况。结果:静脉血栓患者APCR阳性率最高(62.29%),正常对照组APCR阳性很低(7.33%),而其HHcy阳性分别为68.42%及10.00%。发现3例FV基因杂合突变静脉血栓患者为APCR阳性。结论:静脉血栓患者HHcy阳性率明显高于正常对照,HHcy是引起静脉血栓患者血栓形成的重要原因之一,静脉血栓患者存在APCR,而APCR阳性可能与凝血因子V基因多态性有关。 展开更多
关键词 血栓 血栓前状态 高同型半胱氨酸血症 活化蛋白C抵抗 凝血因子v
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高Q Kerr介质腔中非关联双模相干态光场与V型三能级原子相互作用系统中光场的不等阶Y压缩效应 被引量:8
19
作者 赖振讲 刘自信 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期527-532,共6页
本文利用多模压缩态理论 ,研究了高 Q Kerr介质腔中非关联双模相干态光场与 V型三能级原子相互作用系统中双模光场的不等阶 Y压缩效应 ,绘出了第一模“i(i=1 ,2 )”次方第二模“j(j=2 ,3 )”次方 Y(i-j-Y)压缩度的第一正交分量 (Sy1ij) ... 本文利用多模压缩态理论 ,研究了高 Q Kerr介质腔中非关联双模相干态光场与 V型三能级原子相互作用系统中双模光场的不等阶 Y压缩效应 ,绘出了第一模“i(i=1 ,2 )”次方第二模“j(j=2 ,3 )”次方 Y(i-j-Y)压缩度的第一正交分量 (Sy1ij) ,第二正交分量 (Sy2ij)的时间演化曲线 .结果表明 :1 )不等阶 Y压缩特性强烈地依赖于 Kerr介质的三阶非线性极化系数 (x)和双模光场中各模的平均光子数 n1,n2 ;当 x<1 ,n1=n2 <1时 ,不存在不等阶 Y压缩效应 ;而当 x=2 .5 ,5 ,1 0以及 n1=n2 =5 ,1 0时 ,光场和系统开始作用后的很短一段时间内呈现不等阶 Y压缩效应 .2 )在 x以及 n1,n2 不变的条件下 ,不等阶 Y压缩度时间演化曲线的崩坍 -复原时间随压缩阶次的升高而缩短 ,压缩度随压缩阶数 ,特别是两模幂次差的升高而迅速下降 .3 )在平均光子不变 (即 n1=n2 恒定 ) ,但 Kerr介质不同 (即 x变化 )的条件下 ,不等阶 Y压缩度曲线崩坍时间随 Kerr介质的三阶非线性极化系数 x的增加而缩短 ,幅度则不受 Kerr介质的三阶非线性极化系数变化的影响 .4)不等阶 Y压缩效应的持续时间等强烈地依赖于 Kerr介质的非线性程度 ,x越大不等阶 Y压缩效应持续时间就越短 .不等阶 Y压缩度演化曲线正向幅度随平均光子数的增大而增大 ,负向幅度 (? 展开更多
关键词 高Q KERR介质腔 非关联双模相干态光场 v型三能级原子 不等阶Y压缩效应 不等阶Y压缩度 多模压缩态 相互作用 平均光子数 量子光学
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6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究 被引量:2
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作者 王玉青 王巍 申君君 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2009年第1期74-77,共4页
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态... 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异。 展开更多
关键词 SIC 埋沟MOSFET C—v特性 界面态
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