采用Super-RENS的超高密度光存储器

光盘播放机中的光斑大小相当于唱机中的唱针粗细。光斑越小，光盘(光存储器)的容量可以越大。但是众所周知，用透镜会聚的光斑大小在瑞利衍射极限时为0．61λ／NA，在光盘中所采用的分辨率极限约为0．25／λ／NA。也就是用可见光读出的最小光斑约为100nm(纳米)。这时，波长(λ)=400nm，数值孔径(NA)=1．0。

Super-RENS超分辨光存储实验研究

实验在基于传统相变光盘(CD R/W)的测试系统上进行。在一定的写入功率和脉宽条件下对su per RENS样片进行静态记录,并和传统CD R/W作对比实验,用扫描电镜(SEM)观察两种盘结构上的记录点,从微观形貌、尺寸参数等方面进行深入研究比较。实验结果表明,使用相同的记录系统和在完全相同的写入条件下,super RENS上的记录符小于CD R/W上的记录符,尺寸减小可达40%。

超分辨率近场结构(Super-RENS)光存储技术研究进展

传统的光盘系统(如CD、DVD),以及当前的蓝 光系统(如Blu-Ray、HD-DVD)都是一种远场二维存 储技术,能分辨的最小记录符的大小受到光学衍射极限 的限制,存储密度已接近了物理极限。通过总结国内外 近10年的光存储技术的研究不难发现。

超分辨近场结构中Bubble微结构的远场光学特性分析

以菲涅尔-基尔霍夫衍射理论为基础,建立了超分辨近场结构中Bubble微结构对高斯光束的衍射模型.分析了PtOx型超分辨近场结构(PtOx-Type-Super-RENS)中Bubble微结构的远场光学特性.结果表明,设计的Bubble微结构形成过程的简化模型可基本反映超分辨近场结构中掩膜结构在激光作用下的结构变化过程,说明了高斯衍射模型是研究薄膜微结构变化的一种有效方法.

用于超分辨近场结构光盘存储的掩膜材料

超分辨近场结构(Super-RENS)光盘存储技术是近年研究的热点,而用作超分辨近场结构的掩膜材料是决定其性能的关键。本文总结了用于近场超分辨结构光盘存储的掩膜材料的最新研究成果,阐述了材料的工作原理和性能特点,展望了其发展趋势。

孔径型超分辨近场结构光盘的掩膜热效应分析

基于高斯聚焦激光束热效应的超分辨近场结构光盘存储(孔径型Super_RENS)中,应用光学特性导纳矩阵建立的盘片光传导模型,采用有限元分析软件FEMLAB对不同激光功率和脉宽下的Sb掩膜层的孔径形成情况进行数值仿真.结果表明,当一定脉宽的激光功率超过介质的阈值时,掩膜层将有超分辨孔径形成,且孔径大小随功率的增大而增大.理论分析与孔径型Super_RENS光盘样片在不同激光功率下进行写入的实验结果相符,说明光热效应可以较好地描述孔径型Super_RENS光盘掩膜层孔径形成的过程.

孔径型超分辨近场结构光盘的电磁场分析

采用三维时域有限差分(3D-FDTD)方法建立了孔径(TA)型超分辨近场结构(super-RENS)光盘的电磁场计算模型。计算中,用矢量基模高斯光束模型作为聚焦光束的近似,用Lorentz模型描述掩膜介质Sb和反射层介质A1在光频段的色散特性。对写入和读出过程中的电场分布进行了理论分析,并与普通CD-R/W光盘进行了比较。理论计算结果很好地说明了TA型super-RENS光盘写入和读出时的电场分布特性,从本质上解释了超分辨率读写的机制,得到了和实验一致的结果。

超分辨近场结构技术及其应用

超分辨近场结构(Super RENS)技术是在传统的超分辨光盘技术和近场光学的基础上发展起来的新技术。介绍了Super RENS技术的基本原理:利用掩膜层的非线性效应或表面等离子体增强效应,在近场区域可以记录、读出超过衍射极限的信号。综述了该技术在纳米光信息存储和光刻方面应用研究的最新进展,提出了存在的问题,展望了它的发展前景。