采用单双激发运动方程耦合簇(EOM-CCSD)以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体(EOM-CCSDT-i,i=1a,1b,2,3和EOM-CC3)计算了HOF价层垂直电离势(VIP).在EOM-CCSD水平上优化出各价层电离态结构,得到绝热电离势(AIP),进一步计算出...采用单双激发运动方程耦合簇(EOM-CCSD)以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体(EOM-CCSDT-i,i=1a,1b,2,3和EOM-CC3)计算了HOF价层垂直电离势(VIP).在EOM-CCSD水平上优化出各价层电离态结构,得到绝热电离势(AIP),进一步计算出谐振频率.同时对称匹配簇组态相互作用(SAC/SAC-CI)也被应用到部分计算.结果显示:EOM-CC3、EOM-CCSDT-3计算的VIP接近于全三激发运动方程耦合簇EOM-CCSDT结果;EOM-CC与SAC-CI值基本一致;同时发现HOF光电子能谱实验在2A'态指认上有误并重新进行归属.HOF的第三VIP应为16.9 e V,而非光电子能谱实验测得的16.0 e V.展开更多
文摘采用单双激发运动方程耦合簇(EOM-CCSD)以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体(EOM-CCSDT-i,i=1a,1b,2,3和EOM-CC3)计算了HOF价层垂直电离势(VIP).在EOM-CCSD水平上优化出各价层电离态结构,得到绝热电离势(AIP),进一步计算出谐振频率.同时对称匹配簇组态相互作用(SAC/SAC-CI)也被应用到部分计算.结果显示:EOM-CC3、EOM-CCSDT-3计算的VIP接近于全三激发运动方程耦合簇EOM-CCSDT结果;EOM-CC与SAC-CI值基本一致;同时发现HOF光电子能谱实验在2A'态指认上有误并重新进行归属.HOF的第三VIP应为16.9 e V,而非光电子能谱实验测得的16.0 e V.
