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萘酞菁配位化合物Ⅲ.作为制备萘酞菁化合物的原料——富马腈的合成 被引量:2
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作者 段武彪 生云会 +3 位作者 吴谊群 左霞 杨素苓 陈耐生 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1997年第3期105-109,共5页
研究由顺丁烯二酸酐经甲酯化、酰胺化和脱水三步反应合成富马腈的较佳工艺条件,并利用元素分析和红外光谱对各步产物进行了表征。
关键词 富马腈 合成 萘酞菁化合物 萘酞菁配合物
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含石墨烯胞室结构的铜复合材料及其耐腐蚀性能 被引量:3
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作者 戴丹 林正得 +9 位作者 韩钰 祝志祥 陈保安 丁一 张强 王强 吴明亮 舒圣程 耿启 李傲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期224-230,共7页
目的开发一种石墨烯在铜基复合材料中的均匀分散结构,制备出兼具高导电和强抗刻蚀性能的石墨烯/铜复合材料。方法采用化学气相沉积原位生长法结合分散剂工艺,制备分散均匀石墨烯/铜基粉体复合材料。利用制备的石墨烯/铜粉体材料,采用真... 目的开发一种石墨烯在铜基复合材料中的均匀分散结构,制备出兼具高导电和强抗刻蚀性能的石墨烯/铜复合材料。方法采用化学气相沉积原位生长法结合分散剂工艺,制备分散均匀石墨烯/铜基粉体复合材料。利用制备的石墨烯/铜粉体材料,采用真空热压工艺,制备了石墨烯/铜块体材料,然后用拉曼光谱、X射线粉末衍射仪和金相显微镜,考察石墨烯/铜试样的质量和形貌,最后用数字便携式涡流电导仪测量其电导率。利用自主设计的石墨烯/铜在过硫酸铵中刻蚀的实验装置,测试石墨烯/铜的抗刻蚀性能。结果利用石墨烯/铜粉体制备的石墨烯/铜块体和铜具有相同的(111)、(200)和(220)晶面,多层石墨烯以立体胞室结构均匀分布在铜晶粒的晶界处。石墨烯/铜块体的导电率为96%IACS,明显优于文献报道的以其他方法制备的石墨烯/铜块体,并且在过硫酸铵溶液中浸泡90 min后,石墨烯/铜块的质量损失为126.6 mg,石墨烯/铜比纯铜的抗刻蚀能力提高了37.6%,具有比铜更强的抗刻蚀性能。结论以CVD原位生长法和真空热压法制备的石墨烯/铜复合材料,石墨烯以立体胞室结构均匀分散在铜界面处,并且兼具高的导电性和强的抗刻蚀性能。 展开更多
关键词 化学气相沉积 立体胞室结构 石墨烯/铜 导电性 抗刻蚀性能 原位生长
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