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可控硅的反向恢复触发保护探讨 被引量:4
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作者 汪道勇 胡宇洋 +1 位作者 何钢 刘熙 《华中电力》 2008年第5期26-28,32,共4页
可控硅是直流输电系统的核心元件,因此对可控硅保护的研究十分必要。可控硅在熄灭过程中,如果突然承受正向电压,可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况。为避免这种情况的发生,设置了反向恢复触发保护,该功能向可控硅... 可控硅是直流输电系统的核心元件,因此对可控硅保护的研究十分必要。可控硅在熄灭过程中,如果突然承受正向电压,可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况。为避免这种情况的发生,设置了反向恢复触发保护,该功能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通。对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍,分析了现有反向恢复触发保护电路的工作原理及存在的缺陷,并从如何改进保护动作的灵敏性和可靠性方面提出了建议。 展开更多
关键词 高压直流输电 可控硅 反向恢复触发保护 tcu单元
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