TFEL器件SiO_2加速层载流子加速研究

通过对薄膜场致发光器件分层结构加速层电子加速过程的研究，提出了缺陷能级辅助电子加速机制．根据陷阱填充动力学模型，定性解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱随电场的变化．通过对加速层载流子输运的分析，探讨了加速层导电机构、陷阱能级对输运的影响以及发光亮度与加速层厚度的关系．

薄膜电致发光〔TFEL)用荧光粉的技术发展动态

荧光粉的技术进步在ＴＦＥＬ器件的发展中起着举足轻重的作用。本文分门别类地对各种ＴＦＥＬ用荧光粉作了介绍，并从它们的工艺、性能及结构等方面论述了ＴＦＥＬ用荧光粉的技术发展动态。

薄膜电致发光TFEL中的深能级

利用光电容法探测了薄膜电致发光(TFEL)器件的深能级并比较器件的多层结构(ITO/SiO_2/ZnS:Mn/SiO_2/SiO/Al)与单层结构的光电容谱,确定了深能级的空间位置。从而初步弄清了该结构的 TFEL 器件的初电子来源于 SiO_2层以及发光层(ZnS:Mn)与其的界面。

TFEL器件亮度波形的快速过程

研究了ＴＦＥＬ亮度波形的上升与衰减过程，发现除一般的直接碰撞激发外，在发光中心的离导带较近的能级跃迁的发光中还存在另一种非常快的发光过程．通过分析ＺｎＳ：Ｅｒ３＋、Ｔｉｎ３＋、Ｃｅ３＋＋Ｎｄ３＋等不同样品，我们认为这种快过程属于导带中的慢电子与离化了的发光中心的复合．

TFEL器件发光层的电场随外电压的变化

本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起绝缘作用的电介质时算得的电场强度,虽然数量级相同,但数值上有差别,特别当外加电压达到发光阈值电压时,差别更为明显。

TFEL系统中一种新的发光现象

在我们的实验中发现ＴＦＥＬ器件中有一种新的发光现象。在一定工艺条件下制成ＺｎＳ：ＥｒＦ３的样品中有两次亮度跃升。在第二次亮度跃升中器件的光谱发生明显的变化．Ｅｒ３＋的５２８５的绿光在第二次跃升中变化两个数量级，而兰光和红光却没有发生这种突变，我们认为这种第二次突变可能与在高场下ＥＬ中有较多电子达到较大能量有关。

ZnS：Ag^＋AC TFEL器件的制备及发光特性研究

通过对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件的光学性质的研究，探讨了能获得稳定兰色发光的ＴＦＥＬ器件的制备及有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的实验条件，同时讨论了光的干涉对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱的影响。在实验中得到的ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱是包含几个隆起的宽带，通过计算证明这些隆起的出现与光的干涉有关。Ａｇ￣＋的浓度对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ器件的发光亮度和稳定性有显著的影响，Ａｇ￣＋浓度约为０．０３ｍｏｌ％时，器件亮度较高，稳定性也较好。浓度再大时，亮度和稳定性较低。较高的电压有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的提高，激发频率也存在一个最佳值。

A Novel Structure of ZnS:Tm^(3+) TFEL Device

A novel ZnS:TmF 3 TFEL device with the structure of ITO/SiO 2/ ZnS:TmF 3/SiO 2/ZnS:TmF 3/SiO 2/Al was prepared by e beam evaporation method. The EL emission spectra show that the brightness of the novel structure devices greatly increases compared with that of devices with traditional double insulator structure, and the ratio of blue emission to red emission of the novel structure device is also improved. The improvement of the EL characteristics of this kind TFEL device is attributed to both of the electron acceleration and the ZnS/SiO 2 interface.

具有溅射SrS:Ce薄膜的蓝-绿色TFEL器件

用射频溅射法制备出以SrS:Ce荧光膜层为基础的发射蓝-绿光的薄膜器件。将器件的亮度和效率作为薄膜生长期间的气体压力,溅射靶中的杂质含量有源层厚度的函数,并对此进行了研究。生产出的器件在1kHz驱动下能产生超过300cd/m^2的亮度,它的CIE色坐标值为x=0.174,y=0.368。为了改进器件特性还讨论了实验结果。

640×400绿色发光TFEL显示器

目前,平板技术在取代阴极射线管用作计算机的显示器方面取得了明显的进展。目前在市场上已可获得能够显示整页尺寸信息的,具有640×400个点的薄膜EL器件。但是,发光的颜色只局限于黄橙色,只有在这种颜色下ZnS:Nn才能有高亮度的发光,对彩色EL磷光体材料研究工作使得亮度水平有了稳定的改善。但目前还没有非黄橙色发光的高信息容量显示器的报导。本文报导了新型640×400个点的绿色发光EL显示器的制备方法和特性。屏的制奋方法在230×160×2mm的玻璃衬底上镀上ITO电极。用光刻方法制成ITO列电极,

具有图形结构的9.3英寸多色TFEL显示屏

新研制的9.3英寸多色TFEL显示屏具有320(×2)×400个象素,可以显示包括橙、浅橙、绿及其混合色在内的6种颜色,在频率为100Hz时,亮度为20cd/m^2。荧光粉层是由刻有图形的ZnS∶Mn和ZnS∶Tb,F构成的。荧光粉层的蚀刻采用的是Ar气溅射蚀刻。

采用氧化物荧光粉发光层的高亮度多色TFEL器件

最近开发的高亮度多色薄膜电致发光（TFEL）器件采用了各种氧化物荧光粉,并用较厚的BaTiO3陶瓷作绝缘体。例如,在5kHz驱动下Zn2SiO4∶MnTFEL器件不同颜色的发光亮度如下:绿色一4020cd/m2,黄色一70cd/m2,红色一0.8cd/m2,这是通过控制薄膜发射层的制备条件而获得的。增高驱动电压,黄色和红色发光还可以被转变成绿色发光。

溅射制备的SrS:Ce蓝——绿发光TFEL器件

用射频溅射技术制备出 SrS∶Ce 荧光粉薄膜,并用这种溅射薄膜制备了蓝—绿发光TFEL 器件,经研究发现这种器件的亮度和效率与薄膜生长过程中的气体压力、溅射靶的杂质含量、衬底温度和有源层厚度有函数关系,实验结果证明用溅射技术取代常规的电子束蒸发技术可以在【

CaS:Eu有源层中的氧对TFEL器件发光特性的影响

作为多色薄膜电致发光器件的有源层,人们对稀土掺杂碱土硫化物进行了深入的研究.特别是 CaS:Eu 和 SrS:Ce,它们分别是红和蓝色 EL 器件的最佳材料。为了得到多色 TFEL 器件,人们对制备条件等问题,例如衬底温度、沉积速率和硫共蒸发等进行了研究。

采用铈激活硫化锶材料的蓝光发射TFEL器件

引言经过几年来的不断努力,薄膜电致发光显示器(TFEL)用的绿光和红光发射荧光粉在亮度和效率两方面都能满足实际应用的要求。

高对比度暗场TFEL显示器

开发了一种具有黑层的高对比度 TFEL显示器。黑层结构的制备工艺与标准的有介质层器件的工艺相同,采用了反应磁控溅射技术。这种结构具有良好的稳定性。

TFEL显示器的制作

引言图1a和1b所示为单色和彩色薄膜电致发光(TFEL)显示器的器件结构图。图2为TFEL平板显示器的制作工艺流程图。屏的制备工艺主要包括:两个光刻过程。

原子层外延生长的发绿光TFEL器件

引言自80年代中期,单色（黄色）薄膜电致发光（TFEL）显示屏已经在市场上出现。然而,人们对于研制多颜色TEEL显示器的要求有所增加。在过去的五年中,研制其它的TFEL彩色荧光粉比研制发黄色光的ZnS:Mn更有进展。虽然TFEL仍然需要改进,但对于生产具有极好外观,中等成本和低功耗的平板显示器来说,它仍然是一个有力的竞争者。自从首次发表TbF3分子发射中心方面的结果以来,作为一种有用的发绿色光EL荧光粉,ZnS:Tb是最有前途的选择材料。目前。

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu(TFEL)薄膜电致发光

本文报道了发射白光的SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光(TFEL)器件,在1kHz驱动下其亮度达500cd/m^2。在5kHz的加速老化条件下稳定性超过4000小时。用埋置滤光片得到全色器件。

a—Si TFTs驱动TFEL显示器的制备

众所周知,薄膜 EL 显示器具有许多优点,例如快速响应、宽视角、长寿命,利用光刻技术可获得高分辨率及功耗低等。但是,尽管人们付出了很大的努力,到目前为止仍未获得高亮度的红蓝发光材料。这是实现全色 EL 显示器的一大障碍。为了实现全色显示,日本 T.Suzuki 等人研究了 a—Si TFT 驱动有源矩阵 EL