黄磷炉渣制SiO_(2):Tb^(3+)荧光材料及其发光性能研究

以工业废弃物黄磷炉渣为原料,用硝酸浸出得到具有三维网状结构的二氧化硅(SiO_(2))。采用化学沉淀法制备出荧光强度较高以及良好的光学稳定特性的SiO_(2):Tb^(3+)荧光材料。通过X射线衍射、热重-差热分析、红外吸收光谱、扫描电子显微镜和荧光光谱等现代分析手段对荧光材料表面形貌和内部结构特征以及发光性能进行表征测试。结果表明,SiO_(2):Tb^(3+)荧光材料为无定型结构。在激发光谱图中,377 nm(7F 6-5L 10)处有一较强的激发峰,其发射峰位于544 nm处,归属于Tb^(3+)的5D 4-7F 5特征跃迁发射,在紫外光照射下呈现明亮的绿色荧光。经过30天的材料稳定性测试,荧光强度下降速度仅为38 a.u/天,基本保持稳定,证实了该材料具有良好的光学稳定特性。

Tb^(3+)掺杂ZnO-3SiO_2发光材料的制备与发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+掺杂的ZnO-3SiO2发光材料,通过DTA-TG、IR、XRD、SEM、激发和发射光谱图对其结构和发光性能进行了分析。DTA-TG测试表明,20~400℃出现明显失重现象,说明在此过程中凝胶中的吸附水、乙醇等物质发生了脱附释放;XRD测试证明,材料属于非晶态;SEM显示形成了表面光滑的四面体和多面体颗粒;IR光谱显示,样品制备过程中Si—O—Si桥氧键和非桥氧键的转变对材料的发光有较大影响。激发和发射光谱图显示,材料制备的最佳退火温度为600℃,Tb3+在ZnO-3SiO2基质中的掺杂量为2.75%(摩尔分数)时发光最好。在544nm监测波长下,测得的最佳激发波长为紫外光377nm,即在377nm光激发下,材料发射的绿光单色性好。

Green long-after-glow luminescence of Tb^(3+)in Sr_2SiO_4

The green long-after-glow luminescence from Tb3＋-doped Sr2SiO4 phosphors, which are synthesized by the high temperature solid state reaction in a reductive atmosphere, is observed in this paper. The results show that under ultraviolet excitation, the obtained phosphors produce an intense green-lighting-emission from the Tb3＋, and the green-lighting long- after-glow luminescence related to Tb3＋ can last half an hour after the irradiation source has been removed. Moreover, the effects of co-doping Li＋, Dy3＋, Er3＋, Gd3＋, and Yb3＋ with Tb3＋ on the decay properties and thermoluminescence properties are investigated to confirm the long-after-glow mechanism.

AI_2O_3-SiO_2:Tb^(3+)发光材料的溶胶-凝胶合成及发光特性

采用溶胶 -凝胶 (sol-gel)法低温合成了AI2 O3-SiO2 :Tb3+绿色发光材料 ,研究了AI2 O3和SiO2 配比、Tb3+浓度、烧结温度、烧结时间对光强度的影响 。