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Improvement of adhesion properties of TiB_2 films on 316L stainless steel by Ti interlayer films 被引量:4
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作者 夏木建 丁红燕 +1 位作者 周广宏 章跃 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第10期2957-2961,共5页
The periodic [Ti/TiB2]n (n=l, 2, 3) multilayered films were prepared on the substrate of AISI 316L stainless steel by magnetron sputtering to enhance the adhesion of TiB2 films based on the remarkable mechanical per... The periodic [Ti/TiB2]n (n=l, 2, 3) multilayered films were prepared on the substrate of AISI 316L stainless steel by magnetron sputtering to enhance the adhesion of TiB2 films based on the remarkable mechanical performance of layered films. The influence of periods on microstructure, adhesion and hardness of [Ti/TiB2]n multilayered films was studied. X-ray diffraction (XRD) analysis shows that the monolayer TiB2 films exhibit (001) preferred orientation, and the preferred orientation of [Ti/TiB2], multilayered films transfers from (001) to (100) with the increase of periods. The cross-sectional morphology of each film displays homogeneity by field emission scanning electron microscopy (FESEM). The hardness of the films measured via nanoindention changes from 20 to 26 GPa with the increase of periods. These values of hardness are a bit lower than that of the monolayer TiB2 films which is up to 33 GPa. However, the [Ti/TiB2]n multilayered films present a considerably good adhesion, which reaches a maximum of 24 N, in comparison with the monolayer TiB2 films according to the experimental results. 展开更多
关键词 multilayered films ADHESION tib2 films magnetron sputtering nano-hardness
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射频磁控溅射超硬TiB2薄膜的T区结构特征 被引量:4
2
作者 戴伟 张同俊 +2 位作者 杨君友 孙荣幸 许聚良 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期697-699,683,共4页
用磁控溅射技术在钢基片上沉积出具有T区结构的TiB2薄膜,研究基片偏压对薄膜的影响。使用X射线衍射技术和扫描电镜分析薄膜的特性。发现在本研究工艺条件下,所有的薄膜均呈(001)晶面择优生长。当基片偏压在-50 V时,薄膜的硬度为50 GPa,... 用磁控溅射技术在钢基片上沉积出具有T区结构的TiB2薄膜,研究基片偏压对薄膜的影响。使用X射线衍射技术和扫描电镜分析薄膜的特性。发现在本研究工艺条件下,所有的薄膜均呈(001)晶面择优生长。当基片偏压在-50 V时,薄膜的硬度为50 GPa,抗塑性变形的能力为0.65 GPa。加大基片偏压,导致薄膜晶粒尺寸减小,同时薄膜的硬度和抗塑性变形的能力也下降。扫描电镜分析显示,基片温度对T区结构的影响是明显的,提高基片温度,当Ts/Tm=0.18时,薄膜中出现"等轴"结构。 展开更多
关键词 tib2薄膜 超硬涂层 磁控溅射 薄膜区域结构模式 等轴结构
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SYNTHESIS AND THERMAL STABILITY OF NANOCOMPOSITE nc-TiN/a-TiB_2 THIN FILMS 被引量:1
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作者 Y.H.Lu Z.F.Zhou +3 位作者 P.Sit Y.G.Shen K.Y.Li H.Chen 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第3期307-312,共6页
Several nc-TiN/a-TiB2 thin films comprised of nanocrystalline (nc-) TiN and amor phous (a-) TiB2 phases were deposited on Si(100) at room temperature by reactive unbalanced dc magnetron sputtering, followed by vacuum ... Several nc-TiN/a-TiB2 thin films comprised of nanocrystalline (nc-) TiN and amor phous (a-) TiB2 phases were deposited on Si(100) at room temperature by reactive unbalanced dc magnetron sputtering, followed by vacuum annealed at 400, 600, 80 0 and 1000℃ for 1h, respectively. Effects of B content on microstructure, mecha nical behaviors and thermal microstructure stability have been investigated by X -ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and nanoindentation measurements. The results indicated that B addition greatly affected both microstructure and mechanical behavior of nc-Ti N/a-TiB2 thin films. With increasing B content the grain size decreased. A maxim um hardness value of about 33GPa was obtained at B content of about 19at.%. The improved mechanical properties of nc-TiN/a-TiB2 films with the addition of B int o TiN were attributed to their densified microstructure with development of fine grain size. Only addition of sufficient B could restrain grain growth during an nealing. High B content resulted in high microstructure stability. The crystalli zation of amorphous matrix occurred at about 800℃, forming TiB or TiB2 crystall ite, depending on B content. Before that no change in bonding configuration was found. 展开更多
关键词 annealing boron reactive unbalanced dc magnetron sputtering ther mal stability nc-TiN/a-tib2 thin film
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Structure and Properties of TiB_2 Thin Films Deposited at Low Temperatures Using RF Magnetron Sputtering
4
作者 戴伟 张同俊 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第5期666-669,共4页
The TiB2 thin films were deposited on steel substrates using RF magnetron sputtering technique with the low normalized substrate temperature (0.1〈Ts/Tm〈0.2). Microstructure of these films was obtained by field emi... The TiB2 thin films were deposited on steel substrates using RF magnetron sputtering technique with the low normalized substrate temperature (0.1〈Ts/Tm〈0.2). Microstructure of these films was obtained by field emission scanning electron microscope (FESEM) and the grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD) characterization, while the composition of films was obtained using Auger emission spectroscopy (AES) analysis. It was found that the TiB2 thin films were overstoichiometric with the B/Ti ratio at 2.33 and the diffusion of Ti and B atoms on the substrate surface was greatly improved at 350 ℃. Moreover, a new dense structure, named "equiaxed" grain structure was observed by FESEM at this substrate temperature, Combined with FESEM and AES analysis, it was suggested that the "equiaxed" grain structure was located in Zone 2 at the normalized substrate temperature as low as 0.18. 展开更多
关键词 tib2 thin films structure zones 1 2 T equiaxed structure superhard coating auger electron spectroscopy
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磁控溅射掺碳TiB_2薄膜的Raman光谱与摩擦行为 被引量:2
5
作者 许晓静 盛新兰 +2 位作者 张体峰 刘敏 辛喜玲 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期30-32,38,共4页
采用磁控溅射技术,使用SiC薄膜和Ti膜作为中间层在Cr12MoV钢表面制备掺碳TiB2(TiB2-C)薄膜,研究掺碳TiB2薄膜的Raman光谱、纳米压痕和摩擦行为。结果表明:溅射功率过高或过低都不利于掺入的C元素在薄膜中以DLC形式存在;C元素掺杂降低了T... 采用磁控溅射技术,使用SiC薄膜和Ti膜作为中间层在Cr12MoV钢表面制备掺碳TiB2(TiB2-C)薄膜,研究掺碳TiB2薄膜的Raman光谱、纳米压痕和摩擦行为。结果表明:溅射功率过高或过低都不利于掺入的C元素在薄膜中以DLC形式存在;C元素掺杂降低了TiB2薄膜的纳米硬度和弹性模量;以DLC形式存在的掺入的C能有效降低室温干摩擦(Si3N4球对摩件)条件下TiB2薄膜的摩擦因数。 展开更多
关键词 掺碳 tib2薄膜 中间层 摩擦因数 磁控溅射
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Cr12MoV钢表面磁控溅射TiB_2-TiN薄膜的摩擦磨损性能 被引量:3
6
作者 田琨 许晓静 +4 位作者 范真 辛喜玲 陈丹 于春杭 盛新兰 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期35-38,共4页
采用磁控溅射技术在淬火态Cr12MoV表面制备SiC/TiN、SiC/TiB2-TiN薄膜(SiC为中间层),研究TiN、TiB2-TiN薄膜的组织结构和摩擦磨损性能。结果表明,SiC薄膜与基材和TiN、TiB2-TiN薄膜间都具有明显的且呈梯度的元素扩散,界面结合良好。在... 采用磁控溅射技术在淬火态Cr12MoV表面制备SiC/TiN、SiC/TiB2-TiN薄膜(SiC为中间层),研究TiN、TiB2-TiN薄膜的组织结构和摩擦磨损性能。结果表明,SiC薄膜与基材和TiN、TiB2-TiN薄膜间都具有明显的且呈梯度的元素扩散,界面结合良好。在水润滑条件下与钢球对摩时(载荷0.5 N,时间0.5 h),TiN薄膜、TiB2-TiN薄膜具有良好摩擦磨损性能,其平均摩擦因数分别为0.33、0.31,低于淬火态Cr12MoV的0.45,磨损速率分别为2.0×10-8和1.5×10-8mm3/(N.m),低于淬火态Cr12MoV的8.66×10-7mm3/(N.m),其中在水润滑条件下TiB2-TiN薄膜比TiN薄膜具有更好的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 水润滑 TIN薄膜 tib2-TiN薄膜 摩擦磨损性能
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掺碳TiB_2薄膜/钢摩擦副的干摩擦磨损性能 被引量:1
7
作者 辛喜玲 许晓静 +4 位作者 范真 田琨 陈丹 于春杭 盛新兰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期15-18,共4页
采用室温磁控溅射技术成功地在钢(Cr12MoV)基材表面制备出TiB2/SiC双层薄膜及掺碳TiB2(TiB2-C)/SiC双层薄膜,SiC薄膜为中间层。研究了掺碳对TiB2薄膜组织结构和摩擦磨损性能的影响。结果表明:SiC薄膜与基材和TiB2,TiB2-C薄膜间都具有明... 采用室温磁控溅射技术成功地在钢(Cr12MoV)基材表面制备出TiB2/SiC双层薄膜及掺碳TiB2(TiB2-C)/SiC双层薄膜,SiC薄膜为中间层。研究了掺碳对TiB2薄膜组织结构和摩擦磨损性能的影响。结果表明:SiC薄膜与基材和TiB2,TiB2-C薄膜间都具有明显且呈梯度的元素扩散;掺入的C以sp3C-C和sp2C-C形式存在,即以类金刚石形式存在;与钢球(直径为4 mm)对摩、干摩擦条件下,TiB2薄膜和TiB2-C薄膜的磨损速率在105mm3/(m.N)级,掺C明显降低了薄膜的摩擦系数(从0.82降低到0.45,5 min)和对对摩件(钢)的元素转移。分析表明,摩擦磨损性能的提高主要是TiB2-C薄膜中的C起到了固体润滑作用所致。 展开更多
关键词 掺碳 tib2薄膜 中间层 摩擦磨损 磁控溅射
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钛合金表面磁控溅射TiB_2-TiN复合薄膜的摩擦磨损性能 被引量:3
8
作者 陈丹 许晓静 +3 位作者 田琨 辛喜玲 于春杭 盛新兰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A03期480-482,486,共4页
采用室温磁控溅射技术在钛合金(Ti6Al4V)表面制备SiC/TiB2-TiN双层薄膜,SiC为中间层,研究了TiB2-TiN复合薄膜的组织结构和摩擦磨损性能。结果表明,TiB2-TiN复合薄膜具有纳米尺度颗粒(畴)的微结构特征,SiC薄膜与基材和TiB2-TiN复合薄膜... 采用室温磁控溅射技术在钛合金(Ti6Al4V)表面制备SiC/TiB2-TiN双层薄膜,SiC为中间层,研究了TiB2-TiN复合薄膜的组织结构和摩擦磨损性能。结果表明,TiB2-TiN复合薄膜具有纳米尺度颗粒(畴)的微结构特征,SiC薄膜与基材和TiB2-TiN复合薄膜间都具有明显且呈梯度的元素扩散;在载荷200g、室温Kokubo人体模拟体液条件下,与氮化硅(Si3N4)球(直径4mm)对摩,其平均摩擦系数约为0.22,磨损速率在10-6 mm3/(m.N)级;并且TiB2-TiN复合薄膜对Kokubo人体模拟体液中的Ca、P元素具有很强的黏附能力。 展开更多
关键词 钛合金 tib2-TiN复合薄膜 摩擦磨损性能 中间层 磁控溅射
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真空阴极电弧沉积TiB_2薄膜的组织结构及其摩擦学性能的研究 被引量:3
9
作者 朱霞高 王成彪 《广东有色金属学报》 2002年第2期112-115,共4页
用TiB2作阴极靶,采用优化的真空阴极电弧沉积工艺制备的TiB2薄膜是由TiB2, Ti2B5,TiB和Ti组成的多相结构.薄膜的摩擦磨损试验表明:TiB2薄膜的摩擦系数为 0.139,膜层寿命超过60 min,是TiN和(Ti,A1)N 膜层的2倍.
关键词 真空 阴极电弧沉积 tib2薄膜 组织结构 摩擦学性能
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TiB_2掺杂对316L不锈钢厚膜电阻抗氧化性能的影响 被引量:1
10
作者 周宏明 简帅 李荐 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期157-164,共8页
目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析... 目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB_2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织。结果两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(Δw)n=kt。在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB_2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高。高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB_2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻。这是由于TiB_2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO_2、B_2O_3、Fe_2O_3以及(Fe_(0.6)Cr_(0.4))_2O_3),厚膜电阻抗氧化性能降低。结论不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB_2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能。 展开更多
关键词 tib2 316L不锈钢 多孔陶瓷 厚膜电阻 抗氧化性能
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磁控溅射沉积TiB_2/DLC纳米多层膜的结构及其机械性能研究 被引量:3
11
作者 任宁 何东青 张广安 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期56-63,共8页
采用非平衡磁控溅射系统在P(100)硅片和304不锈钢基底上制备TiB_2/DLC纳米多层膜。利用FESEM、TEM、XRD和AFM观察多层膜的微观结构和表面形貌;利用纳米压痕仪、维氏硬度计和CSM球-盘摩擦磨损试验机考察TiB_2靶电流对多层膜的机械性能和... 采用非平衡磁控溅射系统在P(100)硅片和304不锈钢基底上制备TiB_2/DLC纳米多层膜。利用FESEM、TEM、XRD和AFM观察多层膜的微观结构和表面形貌;利用纳米压痕仪、维氏硬度计和CSM球-盘摩擦磨损试验机考察TiB_2靶电流对多层膜的机械性能和摩擦学性能的影响。结果表明:TiB_2/DLC多层膜具有良好的多层调制结构,多层膜沿TiB_2(101)晶向择优生长;多层膜的表面粗糙度随着TiB_2靶电流增加而增加;多层膜中的大量异质界面能显著提高薄膜的硬度及韧性,而且当TiB_2靶电流为2.0 A时,多层膜的硬度约为单层DLC薄膜的两倍;多层膜中具有硬质TiB_2层和软质DLC层的交替结构,在摩擦过程中,硬层TiB_2起到良好的承载作用,软层DLC起到良好的润滑作用,使多层膜具有比单层DLC薄膜更低的摩擦因数。 展开更多
关键词 Ti B2/DLC 纳米多层膜 机械性能 摩擦学性能
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热压合成C-B_4C(TiB_2)-SiC复合材料的氧化行为
12
作者 喻亮 茹红强 +1 位作者 薛向欣 左良 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期742-746,共5页
以1950℃下原位合成热压烧结生成的C-B4C(TiB2)-SiC复合材料在600℃,800℃,1000℃,1200℃,1400℃空气中的恒温氧化行为,TG/DTA实验为基础,结合材料的显微结构,研究了不同温度区间复合材料在静态空气中的氧化机理,计算出氧化反应激活能,... 以1950℃下原位合成热压烧结生成的C-B4C(TiB2)-SiC复合材料在600℃,800℃,1000℃,1200℃,1400℃空气中的恒温氧化行为,TG/DTA实验为基础,结合材料的显微结构,研究了不同温度区间复合材料在静态空气中的氧化机理,计算出氧化反应激活能,并对氧化层表面的相组成形貌以及氧化层剖面的显微组织进行了分析。结果表明该复合材料的氧化动力学曲线主要为抛物线形。扫描电镜照片显示氧化剖面层分成3层,不同的氧化温度,其表面氧化膜有不同的缺陷。 展开更多
关键词 C—B4C(tib2)-SiC复合材料 原位合成 显微结构 氧化机理 氧化膜
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Micro-Friction and Adhesion Measurements for Si Wafer and TiB_2 Thin Film 被引量:1
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作者 卿涛 邵天敏 温诗铸 《Tsinghua Science and Technology》 SCIE EI CAS 2007年第3期261-268,共8页
An apparatus was specifically developed for micro-friction and adhesion measurements. The force measurement range is 10-2000 μN with a horizontal speed of 10-400 μm/s. The apparatus was tested using a 0.7-mm diamete... An apparatus was specifically developed for micro-friction and adhesion measurements. The force measurement range is 10-2000 μN with a horizontal speed of 10-400 μm/s. The apparatus was tested using a 0.7-mm diameter steel ball as the upper specimen to measure the micro friction and adhesion behaviour of a Si (100) wafer and a TiB2 film. The effects of rest time, speed, and load were studied. The results show that the maximum static and sliding friction forces of both the Si (100) wafer and the TiB2 film increase with the load. At low speeds, the influence of speed on the friction force is significant. The adhesion forces of the Si (100) wafer and the TiB2 film increase with rest time, reaching stable values after about 3000 s. The TiB2 film has significantly less adhesion and micro friction forces than the Si (100) wafer. 展开更多
关键词 micro friction ADHESION apparatus Si wafer tib2 film
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双靶共溅射TiB_2/Al复合薄膜的结构特征与力学性能 被引量:1
14
作者 尚海龙 李涛 +3 位作者 李荣斌 郭西振 张新馨 李戈扬 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期370-374,共5页
为研究高分散陶瓷对金属薄膜的强化作用,通过Al和Ti B2靶磁控共溅射方法制备了不同Ti B2含量的铝基复合薄膜,采用X射线能量分散谱仪、X射线衍射仪、透射电子显微镜、扫描透射电子显微镜和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能。结果... 为研究高分散陶瓷对金属薄膜的强化作用,通过Al和Ti B2靶磁控共溅射方法制备了不同Ti B2含量的铝基复合薄膜,采用X射线能量分散谱仪、X射线衍射仪、透射电子显微镜、扫描透射电子显微镜和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能。结果表明:在溅射粒子的高分散性和薄膜生长的非平衡性共同作用下,Ti B2靶的溅射粒子被超过饱和地固溶于Al的晶格中,复合薄膜形成的固溶体兼具了置换和间隙2种固溶类型特征。在这种置换和间隙"双超过饱和固溶"的作用下,铝固溶体的晶格产生剧烈畸变,复合薄膜的晶粒在很低的溶质含量下就迅速纳米化,并在晶界区域形成溶质的富集区。随溶质含量的增加,晶界的宽化使复合薄膜逐步形成了极细纳米晶分布于非晶基体中的结构。与此相应,薄膜的硬度迅速提高并在含5.8%Ti B2时达到6.9 GPa的最高值,进一步提高Ti B2的含量,复合薄膜因逐渐非晶态而呈现硬度的降低。研究结果显示了高分散Ti B2的超过饱和固溶对铝基薄膜显著的晶粒纳米化作用和强化效果。 展开更多
关键词 Ti B2/Al复合薄膜 过饱和固溶 力学性能 磁控溅射
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Al-TiB_2纳米晶薄膜中的反Hall-Petch效应 被引量:1
15
作者 尚海龙 马冰洋 +1 位作者 李荣斌 李戈扬 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期835-840,共6页
多种微结构因素作用的相互交织使纳米晶合金中是否存在与纯金属类似的反Hall-Petch现象难以得到实验证实。选用Al-TiB_2体系,采用二维结构纳米多层膜的方法,实现了对晶粒尺寸因素的孤立和使其独立地改变,研究了晶粒尺寸对薄膜力学性能... 多种微结构因素作用的相互交织使纳米晶合金中是否存在与纯金属类似的反Hall-Petch现象难以得到实验证实。选用Al-TiB_2体系,采用二维结构纳米多层膜的方法,实现了对晶粒尺寸因素的孤立和使其独立地改变,研究了晶粒尺寸对薄膜力学性能的作用规律。结果表明:Al-TiB_2过饱和固溶纳米晶薄膜也与纳米晶纯金属Al一样,存在硬度随晶粒尺寸减小从遵从Hall-Petch关系提高转变为偏离Hall-Petch关系,并进一步出现反Hall-Petch效应的3个阶段,实验得到了偏离Hall-Petch关系为32 nm,产生反Hall-Petch现象的临界晶粒尺寸为8 nm,这2个临界晶粒尺寸与分子动力学方法对纳米晶纯金属A1计算的结果相当。 展开更多
关键词 Al-tib2纳米晶 反Hall-Petch效应 多层膜 硬度
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