基于观察指标的国际工程政治风险TBS-RBS评价

针对国际工程政治环境复杂、影响因素多的特点,利用周期分解结构(TBS)-风险分解结构(RBS)进行政治风险识别分析,确定了工程建设周期各阶段需要关注的主要风险因素,在此基础上构建了政治风险观察指标体系。苏丹风险评价实际应用表明,通过观察指标可以直接锁定各项风险因素,对风险发生的可能性实现快速评价。

基于多孔隙触发的三电极场畸变开关设计与实验研究

场畸变开关是脉冲功率系统的关键器件,其低时延和低抖动性能参数是输出高幅值、快前沿脉冲的重要保障。在Marx发生器前级所用的场畸变开关,其要求时延和抖动尽可能小,才能保证Marx发生器装置输出特性具有快前沿、低抖动的稳定性。单孔触发电极的场畸变开关由于初始有效电子产生和扩散较慢导致时延较长,多孔触发电极结构的提出在一定程度上可以降低时延,但是抖动会增大,对于多孔触发电极场畸变开关如何同时保证低时延和低抖动需要进一步研究。因此,该文通过对传统单孔触发电极结构进行优化改进,提出了改变孔径大小和孔的个数的优化组合设计用于实现低时延,同时还显著地改善了抖动。实验结果表明:5 mm十六孔触发电极结构的场畸变开关在工作系数为71.1%~85.3%时,即工作电压在20~24 kV时,时延在45.2~41.1 ns之间,抖动在6.87~5.87 ns之间,相较于传统的单孔触发电极结构,其时延和抖动分别下降了14.8%和16.1%,性能提升明显。该文所设计的场畸变开关满足工程应用需求,为研究多孔型场畸变开关的性能提供了新思路。

基于BIM和网络计划技术的建设工程施工进度—成本研究

为了提高建设工程的施工水平,应当寻求在缩短施工进度的同时降低施工成本的方法。建立了基于BIM与网络计划技术的施工进度—成本架构体系和优化模型。运用BIM能够快速准确地提取与处理庞大工程量的优势,并结合传统的网络计划技术、工作分解结构(WBS)方法协同处理进度—成本优化问题,给企业提供了一种新的优化施工进度—成本的方法。该方法有助于充分发挥现代信息技术与传统经典方法理论的优势,进一步提高工程建设的信息化水平,更好地实现项目的管理目标。

基质结构对土壤冲击特性的影响

研究基质结构差异对土壤冲击特性的影响,在细化土壤介质冲击理论、完善防雷接地研究方面有着十分重要的意义。因而分析了不同基质结构土壤的导电机理;搭建了土壤冲击实验平台,通过实验方法研究了受不同基质结构影响的土壤冲击特性。实验结果表明:对于基质为非团聚性结构的土壤,在相同含水量条件下,土壤的冲击电阻率、临界击穿场强和击穿时延均随着土壤粒径的增大而增大,且3者均受到土壤孔隙率和粒径均匀度的影响;对于基质为团聚性结构的土壤,土壤的冲击特性不符合以上规律,且在相同含水量时,红黏土的导电性要弱于均匀粒径的砂质土;用细砂替代土壤开展土壤冲击特性研究是片面的。

Multi-Defect Generation Behavior in Ultra Thin Oxide Under DT Stresses

The saturation behavior of stress current is studied.The three types of precursor sites for trap generation are also introduced by fitting method based on first order rate equation.A further investigation by statistics experiments shows that there are definite relationships among time constant of trap generation,the time to breakdown,and stress voltage.It also means that the time constant of trap generation can be used to predict oxide lifetime.This method is faster for TDDB study compared with usual breakdown experiments.

基于Microsoft Office软件的科研项目时间管理

阐述了当前科研项目时间管理存在的问题和难题,提出科研项目申请书的时间进度安排具有模糊性,与后期实际研究需要有出入;科研项目计划研究与实际研究内容不容易精确,因此申请书的研究内容影响实际研究的任务分解;科研人员往往缺乏项目管理知识和方法,不熟悉使用专业工具进行科研项目时间管理。作者从实际科研管理出发,研究基于Microsoft Office系统中的word和Project软件来分别制作科研项目工作分解结构图与研究进度的甘特图,并以实例进行运用说明。

栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响

基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影响。结果表明,较小的栅介质面积有利于更长的器件寿命,而ESD保护结构有利于提升器件栅介质在高电压应力下的可靠性和稳定性,主要原因为SBD的寄生电容可有效吸收电脉冲感应在介质薄膜中产生的电荷。最后,通过线性E模型预测具有35 nm厚LPCVD-SiNx栅介质的AlGaN/GaN MIS-HEMTs在栅极电压为13 V条件下的击穿寿命可达20年(0.01%,T=25℃)。