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双定子超环面电机磁路模型与气隙磁场研究 被引量:4
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作者 刘欣 许立忠 聂岭 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第9期26-32,共7页
双定子超环面电机是一种新型结构的空间电机,将动力和减速机构有机结合,在机器人和航空航天领域具有很好的应用前景。在对该电机的结构特点及运行原理进行分析的基础上,将其三维磁路分解为周向和环向磁路,并建立了简化的等效磁路模型。... 双定子超环面电机是一种新型结构的空间电机,将动力和减速机构有机结合,在机器人和航空航天领域具有很好的应用前景。在对该电机的结构特点及运行原理进行分析的基础上,将其三维磁路分解为周向和环向磁路,并建立了简化的等效磁路模型。根据该电机的结构特点对磁路模型中各磁阻进行推导,并对其静态磁场的气隙磁密进行了解析求解。为了验证该磁路模型的准确性,运用有限元方法对其三维磁场进行仿真分析,并对研制实验样机的反电动势进行了测试实验。通过与仿真结果和实验结果进行对比分析表明,该等效磁路模型和参数计算方法是可行的,为进一步定量分析该电机的电磁性能提供了理论依据。 展开更多
关键词 双定子 超环面电机 磁路模型 气隙磁密 有限元法
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磁芯气隙中串联层叠非晶带GMI效应电流传感器 被引量:5
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作者 鲍丙豪 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1861-1865,共5页
利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,... 利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式。给出了传感器信号处理电路框图。当磁芯中引入强负反馈磁场时,实验结果表明,新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS,线性量程±7A。 展开更多
关键词 电流传感器 GMI效应 串联层叠 退火非晶带 气隙磁芯
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高速轴向磁通永磁电机环形绕组电感计算
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作者 程文杰 朱宇明 +1 位作者 肖玲 李明 《微特电机》 2023年第4期26-31,共6页
高速轴向磁通永磁电机在小功率发电机组上有潜在应用前景。为消除齿谐波,高速轴向磁通电机一般采用无槽铁心和环形绕组结构。为了研究该绕组的电感,采用磁势法和绕组函数法给出了该绕组的电感解析表达式,能计入绕组基波和谐波对电感的... 高速轴向磁通永磁电机在小功率发电机组上有潜在应用前景。为消除齿谐波,高速轴向磁通电机一般采用无槽铁心和环形绕组结构。为了研究该绕组的电感,采用磁势法和绕组函数法给出了该绕组的电感解析表达式,能计入绕组基波和谐波对电感的影响。采用有限元方法验证了电感解析解的正确性。给出的结论对高速轴向磁通电机的后续稳态、瞬态分析提供了理论参考。 展开更多
关键词 轴向磁通永磁电机 环形绕组 电感计算 谐波 气隙长度
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静压止推轴承泄漏量测量的研究
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作者 江行舟 林君哲 +2 位作者 李向阳 吴淑芹 周恩涛 《机床与液压》 北大核心 2011年第16期51-52,共2页
静压止推轴承是某些设备中的重要部件,其泄漏量对其性能有重要影响。且其一般应用于重载场合,实际压力下测量设备投入较大,可以采用在低压下测量、用拟合回归的方法推算出高压下泄漏流量的方法。用理论分析加FLUENT软件计算的方法分析... 静压止推轴承是某些设备中的重要部件,其泄漏量对其性能有重要影响。且其一般应用于重载场合,实际压力下测量设备投入较大,可以采用在低压下测量、用拟合回归的方法推算出高压下泄漏流量的方法。用理论分析加FLUENT软件计算的方法分析转动因素对流量的影响。由于泄漏的实质是圆环平面缝隙的泄漏,因此用FLUENT软件分析缝隙的压力流量特性。结果表明:低速转动对泄漏量的影响可以忽略;当缝隙几何参数达到一定比例时,其压力流量不再呈线性关系,而呈指数关系;圆环平面缝隙有"薄壁"和"细长"通道的区别。 展开更多
关键词 静压止推轴承 环形平面缝隙 流量测量 拟合
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环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究 被引量:2
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作者 王昭 侯汝艳 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期561-567,共7页
利用石墨平面碳原子轨道作sp^2杂化时π电子的紧束缚模型,考虑波矢珗k周期性边界条件,构造了环状碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明环状碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性、结构参数及卷环周长,可将其调... 利用石墨平面碳原子轨道作sp^2杂化时π电子的紧束缚模型,考虑波矢珗k周期性边界条件,构造了环状碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明环状碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性、结构参数及卷环周长,可将其调制成金属或不同带隙的半导体. 展开更多
关键词 环状碳纳米卷 紧束缚模型 电子结构 能隙 态密度
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