球型量子点电子填充性质的研究

利用基于高斯基函数的非限制Hartree Fock Roothaan (UHFR)方法 ,研究球型量子点的剩余电子填充效应 ,量子点的三维限制势采用了有限深势阱 .我们主要考虑量子点内电子相互作用 ,对于试探波函数中高斯基函数 ,采用了简化计算的两参数法 ,在此球型量子点中 ,可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构 .

对称量子点花样体系壳层结构的研究

利用从头计算的非限制Hartee Fock Roothaan (UHFR)方法 ,计算三量子点花样体系的基态能 ,进而研究它的化学势、附加能谱和电子电容谱 ,对于量子点花样中的每一个量子点 ,采用球型有限深势阱 .计算结果表明 ,计算方法和理论模型可以很好地给出类单量子点电子的壳层填充结构 .

对称量子点花样体系电容谱

利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰,并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构。它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法。

Study of the electric capacitance spectra on symmetric quantum-dot pattern

We have calculated the ground-state energy of the symmetric quantum-dot pattern by the ab initio calculation method, i.e. unrestricted Hartree-Fock-Roothaan (UHFR) method based on the Gaussian basis, and studied their electric capacitance spectra, assuming each quantum dot of quantum-dot pattern to be confined in a three-dimensional spherical potential well of finite depth. For the systems in question, our results show that our method and theoretical model not only give the electric capacitance peaks similar to s-shell and p-shell atom-like quantum dot, but also show some new fine-structure of electric capacitance in the symmetric quantum-dot pattern system. This method might be a feasible tool to study few-electron problems on the symmetric quantum-dot pattern system.

西门子推出新一代UHF RFID读写器拥有多个天线接口

西门子推出新一代超高频（UHF）RFID读写器，SimaticRF650R、Simatic RF685R和SimaticRF680R。这三款功能和性能各异的设备，可以让用户更快速地实施RFID项目，缩短工厂停机时间。由于防护等级高（IP65）并且集成了Profinet接口，SimaticRF680R和RF685R读写器适用于生产环境，例如多款型号产品的混线生产。物流行业的用户可以用SimaticRF650R实施具备高性价比的UHF项目。