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ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景 被引量:4
1
作者 阮刚 陈智涛 +2 位作者 肖夏 朱兆旻 段晓明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期349-354,共6页
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
关键词 ulsi 纳米多孔二氧化硅 干燥凝胶 低介电常数介质 特大规模集成电路互连
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ULSI制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究 被引量:5
2
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 李志 刘立威 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期415-418,共4页
对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究 ,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题 ,并实现了技术突破。
关键词 化学机械抛光 全局平面化 ulsi 二氧化硅
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ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究 被引量:8
3
作者 张楷亮 宋志棠 +2 位作者 张建新 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2004年第4期556-558,563,共4页
针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质 展开更多
关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米研磨料 硅溶胶 大粒径
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ULSI制备中SiO_2介质的化学机械抛光 被引量:3
4
作者 檀柏梅 刘玉岭 连军 《河北工业大学学报》 CAS 2001年第3期32-36,共5页
对超大规模集成电路(ULSI)制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了... 对超大规模集成电路(ULSI)制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了讨论. 展开更多
关键词 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 超大规模集成电路 二氧化硅
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ULSI多层布线中SiO_2介质CMP技术 被引量:7
5
作者 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2001年第2期101-106,共6页
对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提... 对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提出了改进方案。 展开更多
关键词 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 二氧化硅 CMP技术
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低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景 被引量:21
6
作者 阮刚 肖夏 朱兆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期84-87,95,共5页
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
关键词 极大规模集成电路 低介电常数材料 无机介质
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Preparation and properties of SiCN diffusion barrier layer for Cu interconnect in ULSI 被引量:1
7
作者 周继承 石之杰 郑旭强 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2009年第3期611-615,共5页
SiCN thin films and Cu/SiCN/Si structures were fabricated by magnetron sputtering. And some samples underwent the rapid thermal annealing(RTA) processing. The thin-film surface morphology, crystal structure and electr... SiCN thin films and Cu/SiCN/Si structures were fabricated by magnetron sputtering. And some samples underwent the rapid thermal annealing(RTA) processing. The thin-film surface morphology, crystal structure and electronic properties were characterized by atomic force microscopy(AFM), X-ray diffractometry(XRD), Fourier transform infrared transmission(FTIR) and four-point probe(FPP) analyses. The results reveal the formation of complex networks among the three elements, Si, C and N, and the existence of different chemical bonds in the SiCN films, such as Si—C, Si—N, C—N and C=N. The as-deposited SiCN thin films are amorphous in the Cu/SiCN/Si structures and have good thermal stability, and the SiCN thin films are still able to prevent the diffusion reaction between Cu and Si interface after RTA processing at 600 ℃ for 5 min. 展开更多
关键词 超大规模集成电路 扩散反应 铜互连 制备 SiCN薄膜 阻隔层 X射线衍射 性能
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Helium Plasma Damage of Low-k Carbon Doped Silica Film:the Effect of Si Dangling Bonds on the Dielectric Constant
8
作者 李海玲 王庆 巴德纯 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期1050-1053,共4页
The low-k carbon doped silica film has been modified by radio frequency helium plasma at 5 Pa pressure and 80 W power with subsequent XPS, FTIR and optical emission spec- troscopy analysis. XPS data indicate that heli... The low-k carbon doped silica film has been modified by radio frequency helium plasma at 5 Pa pressure and 80 W power with subsequent XPS, FTIR and optical emission spec- troscopy analysis. XPS data indicate that helium ions have broken Si-C bonds, leading to Si-C scission with C(1s) lost seriously. The Si(2p), O(ls), peak obviously shifted to higher binding en- ergies, indicating an increasingly oxidized Si(2p). FTIR data also show that the silanol formation increased with longer exposure time up to a week. Contrarily, the CHa stretch, Si-C stretching bond and the ratio of the Si-O-Si cage and Si-O-Si network peak sharply decreased upon exposure to helium plasma. The OES result indicates that monovalent helium ions in plasma play a key role in damaging carbon doped silica film. So it can be concluded that the monovalent helium ions besides VUV photons can break the weak Si-C bonds to create Si dangling bonds and free methyl radicals, and the latter easily reacts with O_2 from the atmosphere to generate CO_2 and H_2O. The bonds change is due to the Si dangling bonds combining with H_2O, thereby, increasing the dielectric constant k value. 展开更多
关键词 carbon doped silica film helium plasma BONDS damage dielectric constant
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无机填料复合比例对复合薄膜性能的影响
9
作者 王淼 《环境技术》 2024年第5期79-83,共5页
本工作基于导热复合薄膜性能的研究,提供了一种新型导热复合薄膜的制备方法。通过将不同添加量的氮化硼(BN)和二氧化硅(SiO_(2)_(2))加入到聚丁二烯树脂(PB)中,结合涂覆工艺制备了高导热BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料。系统研究了不同... 本工作基于导热复合薄膜性能的研究,提供了一种新型导热复合薄膜的制备方法。通过将不同添加量的氮化硼(BN)和二氧化硅(SiO_(2)_(2))加入到聚丁二烯树脂(PB)中,结合涂覆工艺制备了高导热BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料。系统研究了不同添加量BN对BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料的微观形貌、导热性能、介电性能、抗剥性能和热膨胀系数的影响。结果表明:随着BN含量的增大,复合薄膜表面缺陷逐渐增加,介电常数略有下降,介电损耗略有升高,抗剥强度也下降,X-Y-Z轴的热膨胀系数也都逐渐增大。最终,当BN/SiO_(2),添加质量比例为10:30时(BN添加量为10%),BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料的综合性能表现最佳,导热系数为0.75W^(-1)K^(-1),介电常数为3.20,介电损耗因子为3.12*10^(-3),抗剥强度为2.2Nm^(-1),和适宜的热膨胀系数。有望为新型高导热复合薄膜材料的开发提供一种新的实用型思路。 展开更多
关键词 聚丁二烯树脂 氮化硼 二氧化硅 介电性能 导热性能
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熔融石英陶瓷材料介电性能影响因素分析
10
作者 崔唐茵 王鹏 +3 位作者 刘瑞祥 王洪升 曹俊倡 陈东杰 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第2期666-672,共7页
采用凝胶注模成型工艺制备熔融石英陶瓷,通过XRD、SEM和电性能网络分析仪对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌、介电性能进行分析,研究了熔融石英陶瓷介电性能的影响因素,为筛选制备石英陶瓷材料最优工艺方案提供依据。研究结果表明:材料制... 采用凝胶注模成型工艺制备熔融石英陶瓷,通过XRD、SEM和电性能网络分析仪对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌、介电性能进行分析,研究了熔融石英陶瓷介电性能的影响因素,为筛选制备石英陶瓷材料最优工艺方案提供依据。研究结果表明:材料制备工艺一定时,制备不同厚度的石英陶瓷板,平铺烧结,同一块方板沿垂直方向自上而下,密度逐渐下降,密度与介电常数呈正相关,密度每上升0.01 g/cm^(3),介电常数对应上升0.01~0.02,密度对损耗角正切数值影响不大;同一块板同样厚度位置,边角与中间位置的密度几乎没有变化;同一块板,同样厚度方向,介电常数变化不大;石英陶瓷板中引入松香导致试样更致密,密度升高,介电常数随之增大;相同密度的试样,采用不同的介电测试方式计算所得的介电常数有约0.03的偏差。 展开更多
关键词 熔融石英陶瓷 凝胶注模成型 坯板厚度 坯板密度 松香 介电性能
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同轴电缆用超疏水二氧化硅@石英纤维复合材料的性能研究
11
作者 张港澳 秦宗益 +6 位作者 张亚闪 侯成义 张青红 李耀刚 靳志杰 王宏志 李克睿 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第4期63-67,共5页
具有低介电常数的SiO_(2)复合材料在低介电和隔热保温材料领域有着广阔的应用前景,但SiO_(2)复合材料在实际应用中存在吸水性强、保存条件苛刻等问题。使用疏水改性剂(六甲基二硅氮烷(HMDS)、硬脂酸、十二烷基硫酸钠)对SiO_(2)@石英纤... 具有低介电常数的SiO_(2)复合材料在低介电和隔热保温材料领域有着广阔的应用前景,但SiO_(2)复合材料在实际应用中存在吸水性强、保存条件苛刻等问题。使用疏水改性剂(六甲基二硅氮烷(HMDS)、硬脂酸、十二烷基硫酸钠)对SiO_(2)@石英纤维复合材料进行改性,研究疏水改性剂类型及质量分数对复合材料疏水性能和介电性能的影响。结果表明,3%的HMDS改性复合材料的疏水改性效果最好(接触角为151.6°),保存240d后接触角最低为132.6°,200℃煅烧后复合材料的介电常数低至1.87。将疏水改性SiO_(2)@石英纤维复合材料制成同轴通信电缆,所得电缆的电压驻波比为1.48,衰减值为1.56dB,特性阻抗为48Ω。疏水改性复合材料具有优异的电缆性能,在通信电缆等领域展示出潜在的应用价值。 展开更多
关键词 SiO_(2)@石英纤维复合材料 低介电常数 疏水改性 同轴电缆
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交联/复合改性聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究
12
作者 刘明阳 《安徽化工》 CAS 2024年第4期77-81,共5页
基于含氟单体合成制备一种具有低介电特性的聚酰亚胺薄膜,并使用介孔二氧化硅进一步改性聚酰亚胺薄膜,探究介孔二氧化硅的加入对于聚酰亚胺薄膜的力学、热稳定性以及介电特性的影响。为了同时保持薄膜材料的可加工性,采用交联结构增强... 基于含氟单体合成制备一种具有低介电特性的聚酰亚胺薄膜,并使用介孔二氧化硅进一步改性聚酰亚胺薄膜,探究介孔二氧化硅的加入对于聚酰亚胺薄膜的力学、热稳定性以及介电特性的影响。为了同时保持薄膜材料的可加工性,采用交联结构增强薄膜的机械性能与热稳定性能。结果表明:加入介孔氧化硅可以显著降低薄膜材料的介电常数与介质损耗,但是可能会对薄膜材料的机械性能产生不良影响;引入交联结构可以进一步增强薄膜材料的机械性能与热稳定性能;通过同时引入介孔氧化硅和交联结构可以同步提升薄膜材料的介电特性、机械性能以及热稳定性能。 展开更多
关键词 改性聚酰亚胺 低介电常数 含氟单体 介孔二氧化硅 交联结构
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A zirconium modified Co/SiO_2 Fischer-Tropsch catalyst prepared by dielectric-barrier discharge plasma 被引量:4
13
作者 Yunhui Jiang Tingjun Fu +1 位作者 Jing Lü Zhenhua Li 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期506-511,共6页
Co/SiO2 and zirconium promoted Co/Zr/SiO2 catalysts were prepared using dielectric-barrier discharge (DBD) plasma instead of the conventional thermal calcination method. Fischer-Tropseh Synthesis (FTS) performance... Co/SiO2 and zirconium promoted Co/Zr/SiO2 catalysts were prepared using dielectric-barrier discharge (DBD) plasma instead of the conventional thermal calcination method. Fischer-Tropseh Synthesis (FTS) performances of the catalyst were evaluated in a fixed bed reactor. The results indicated that the catalyst treated by DBD plasma shows the higher FTS activity and yield of heavy hydrocarbons as compared with that treated by the conventional thermal calcination method. Increase in CO conversion was unnoticeable on the Co/SiO2 catalyst, but significant on the Co/Zr/SiO2 catalyst, both prepared by DBD plasma. On the other hand, heavy hydrocarbon selectivity and chain growth probability (a value) were enhanced on all the catalysts prepared by the DBD plasma. In order to study the effect of the DBD plasma treatment on the FTS performance, the catalysts were characterized by N2-physisorption, H2-temperature programed reduction (H2-TPR), H2-temperature- programmed desorption (H2-TPD) and oxygen titration, transmission electron microscope (TEM) and X-ray diffraction (XRD). It was proved that, compared with the traditional calcination method, DBD plasma not only could shorten the precursor decomposition time, but also could achieve better cobalt dispersion, smaller Co304 cluster size and more uniform cobalt distribution. However, cobalt reducibility was hindered to some extent in the Co/SiO2 catalyst prepared by DBD plasma, while the zirconium additive prevented significantly the decrease in cobalt reducibility and increased cobalt dispersion as well as the FTS performance. 展开更多
关键词 Fischer-Tropsch synthesis COBALT silica ZIRCONIUM dielectric-barrier discharge plasma
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Fischer-Tropsch Performance of an SiO2-Supported Co-Based Catalyst Prepared by Hydrogen Dielectric-Barrier Discharge Plasma 被引量:3
14
作者 付廷俊 黄承都 +1 位作者 吕静 李振花 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期232-238,共7页
A silica-supported cobalt catalyst was prepared by hydrogen dielectric-barrier dis- charge (H2-DBD) plasma. Compared to thermal hydrogen reduction, H2-DBD plasma treatment can not only fully decompose the cobalt pre... A silica-supported cobalt catalyst was prepared by hydrogen dielectric-barrier dis- charge (H2-DBD) plasma. Compared to thermal hydrogen reduction, H2-DBD plasma treatment can not only fully decompose the cobalt precursor but also partially reduce the cobalt oxides at lower temperature and with less time. The effect of the discharge atmosphere on the property of the plasma-prepared catalyst and the Fischer-Tropsch synthesis activity was studied. The re- sults indicate that H2-DBD plasma treatment is a promising alternative for preparing Co/SiO2 catalysts from the viewpoint of energy savings and efficiency. 展开更多
关键词 Fischer-Tropsch synthesis COBALT silica H2 dielectric-barrier discharge plasma
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Processing and performance of 2D fused-silica fiber reinforced porous Si_3N_4 matrix composites 被引量:1
15
作者 Guifang Han Litong Zhang Laifei Cheng 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2008年第1期58-61,共4页
Two-dimension (2D) fused-silica fiber reinforced porous silicon nitride matrix composites were fabricated using slurry impregnation and cyclic infiltration with colloidal silica sol. The microstructure and fracture ... Two-dimension (2D) fused-silica fiber reinforced porous silicon nitride matrix composites were fabricated using slurry impregnation and cyclic infiltration with colloidal silica sol. The microstructure and fracture surface were characterized by SEM, the mechanical behavior was investigated by three-point bending test, and the dielectric constant was also measured by impedance analysis. The microstructure showed that the fiber and the matrix had a physical bonding, forming a clearance interface. The mechanical behavior suggested that the porous matrix acted as crack deflection, and the fracture surface had a lot of fiber pull-out. However, the interlaminar shear strength was not so good. The dielectric constant of the composites at room temperature was about 2.8-3.1. The relatively low dielectric constant and non-catastrophic failure indicated the potential application in the radome materials field. 2008 University of Science and Technology Beijing. All rights reserved. 展开更多
关键词 porous matrix composites fused-silica fiber SI3N4 mechanical behavior dielectric constant
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气相二氧化硅溶胶的介电弛豫行为研究
16
作者 卢玉强 吴信洁 陈震 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期174-183,共10页
制备了不同浓度的亲水气相二氧化硅/水溶胶和憎水气相二氧化硅/乙醇溶胶,利用阻抗分析仪在102~107 Hz频率范围内测量了这些溶胶的介电谱.观察到分别位于104和105 Hz附近的2个介电弛豫行为,利用Cole-Cole公式对其进行了拟合并准确获得了... 制备了不同浓度的亲水气相二氧化硅/水溶胶和憎水气相二氧化硅/乙醇溶胶,利用阻抗分析仪在102~107 Hz频率范围内测量了这些溶胶的介电谱.观察到分别位于104和105 Hz附近的2个介电弛豫行为,利用Cole-Cole公式对其进行了拟合并准确获得了这些弛豫的特征参数.结果发现,两种溶胶的介电弛豫行为均随气相二氧化硅浓度呈规律性变化.根据这些弛豫的特征及其随气相二氧化硅浓度的变化规律,确定了低频和高频弛豫分别来自于聚集体的对离子极化和界面极化,并进一步讨论了亲水和憎水气相二氧化硅分别在水和乙醇中的表面行为、分散状态及其随气相二氧化硅浓度的变化. 展开更多
关键词 气相二氧化硅 介电弛豫谱 对离子极化 界面极化 溶胶
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纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展 被引量:5
17
作者 高庆福 冯坚 +3 位作者 成慧梅 周仲承 王娟 张长瑞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期39-42,共4页
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
关键词 纳米多孔 SIO2薄膜 疏水处理 接触角 低介电常数 疏水性能 超大规模集成电路 超低介电常数 ulsi 表征方法
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超大规模集成电路多孔电介质介电常数与分形维数 被引量:1
18
作者 唐燕妮 《电子测试》 2016年第11期54-55,共2页
技术的发展要求超大规模集成电路的特征尺寸进一步降低以提高元件密度,这就需要低介电常数(k)的多孔电介质的应用。而多孔介质的输运物理性质通常与其微结构有密切关系。本文在综述多孔电介质利用分形模型分析方法的基础上,利用分形几... 技术的发展要求超大规模集成电路的特征尺寸进一步降低以提高元件密度,这就需要低介电常数(k)的多孔电介质的应用。而多孔介质的输运物理性质通常与其微结构有密切关系。本文在综述多孔电介质利用分形模型分析方法的基础上,利用分形几何理论,进一步把多孔电介质介电常数(k)与反映孔微结构的分形维数联系起来,更好地适应于实际中不均一不规则的多孔电介质介电常数的分析计算。 展开更多
关键词 超大规模集成电路(ultra large scaled integration ulsi) 多孔电介质(porous dielectrics) 分形维数(fractal dimension) 介电常数(dielectric constant)
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高温透波材料研究进展 被引量:43
19
作者 韩桂芳 陈照峰 +2 位作者 张立同 成来飞 徐永东 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2003年第1期57-62,共6页
对高马赫数飞行器用高温透波材料的性能要求进行了评述,分析了不同体系高温透波材料的增强模式、力学性能以及电气性能。在此基础上,提出了高温透波材料的发展方向。
关键词 高温诱波材料 二氧化硅 天线罩 介电常数 介电损耗角正切 飞行器
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低k层间介质研究进展 被引量:7
20
作者 苏祥林 吴振宇 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期463-468,共6页
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
关键词 低K介质 互连 超大规模集成电路
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