-
题名液晶组分以及V-T曲线漂移与线残像关系研究
被引量:2
- 1
-
-
作者
李锐
丰景义
温刚
乔云霞
徐凯
崔青
-
机构
石家庄诚志永华显示材料有限公司
-
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期581-589,共9页
-
文摘
线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究。本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验。组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生。V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5%时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10%时,线残像严重。这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义。
-
关键词
TFT-LCD
线残像
直流电压
v-t漂移
-
Keywords
TFT-LCD
line image sticking
DC voltage
v-t drift
-
分类号
TN104.3
[电子电信—物理电子学]
TN27
[电子电信—物理电子学]
-