一种采用高阶曲率补偿的带隙基准源

基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温度系数更低。根据仿真结果,该带隙基准电压在-55℃~125℃温度范围内,输出电压的最大压差为0.3766 mV,温度系数为1.762 ppm/℃,低频时电源抑制比(PSRR)为-73.9 dB。该带隙基准源已应用于某一高精度的低压差线性稳压器(LDO)中。

双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响

研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔＶＢＥ法测量结温的影响，提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法。

用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量

考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当结温分布不均匀时 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大 .这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性 .

750MW换流站高压晶闸管换流阀低压加压试验分析

在高压晶闸管换流阀低压加压试验方面,国内虽然做过一些工作,但未在理论上给出明确的试验依据,例如触发电压和触发角的取值等,本文对此进行研究,并以灵宝换流站扩建工程换流阀低压加压试验为例分析试验效果。详细阐述了高压晶闸管换流阀的技术特点,简单介绍了直流控制保护系统、阀基电子设备(VBE)的功能,着重分析了晶闸管电子板(TE)取能方式的特点。针对以上技术特点和功能特性,制定了高压晶闸管换流阀低压加压试验方案,通过试验检查了主系统回路逻辑与接线的正确性。本文给出的高压晶闸管换流阀低压加压试验理论依据,可为同类试验提供参考。

灵宝换流站控制/直流保护系统与阀的接口设计

为便于同仁更多地了解直流工程国产化的工作,介绍了灵宝背靠背直流工程的换流站控制/直流保护系 统与阀VBE/TM的接口分类、接口原则和接口设计方案,该方案已落实到本工程中,解决了其接口难点问题。

VBE系统保护性触发导致安顺换流站极Ⅱ闭锁分析及反措

针对安顺换流站VBE系统保护性触发导致极Ⅱ闭锁事故,基于高肇直流系统控制原理,分析了故障过程,指出UdL分压器传感器故障是导致换流阀保护性触发的主要原因,换流变压器分接头采用Udio控制模式是间接原因。根据RTDS仿真结果提出了如下反措:将整流侧换流变压器分接头控制设为角度控制模式,以避免类似的故障。

一种新型血管源性脑水肿模型的建立

目的 建立简便易行、重复性好、无创伤、符合人类发病条件的ＶＢＥ 新模型。方法 Ｗｉｓｔａｒ鼠腹腔注射苯肾上腺素，测定微血管通透性，测量脑灰、白质水分含量，组织病理证实脑水肿。结果 血脑屏障通透性增高，脑水分增加（Ｐ＜ ０．０１），灰质水分增加１１．６１％ ，白质水分增加１４．６４％ ，白质比灰质水分增加明显（Ｐ＜ ０．０５）。结论 注射苯肾上腺素制成ＶＢＥ动物模型，操作简便、无创伤、重复性好。

基于VBE配合的晶闸管阀功能测试系统的研制及实现

晶闸管阀广泛应用在常规直流输电、SVC、直流融冰等工程中,其性能的好坏是工程正常运行的关键。晶闸管阀安装完成后、系统调试前,以及更换晶闸管级元部件后,必须进行功能试验,对晶闸管级在各种工况下的电压、电流及回报光信号进行采集检测,判断各项功能和性能是否正常。在以往工程现场进行测试时,为实现晶闸管级的触发,需将已经插好的正常运行触发/回报光纤拔掉,换上和测试仪相连的测试光纤,测试完成后再插回原来的光纤,反复的插拔操作可能造成光路耦合度的改变和光纤及光器件的污染和损伤,且重新插入后无法确定其功能是否正常,影响设备可靠性。因此有必要设计研制一种用于工程现场的晶闸管阀功能测试系统,在不移动任何工程光纤的前提下,对晶闸管级的阻抗、触发、保护、耐压等进行全面测试,确保在投入运行前排除故障。文中基于测试仪及VBE的功能和时序配合,将测试仪、晶闸管阀、VBE组成一整套功能测试系统,该测试系统测试时仅需将测试仪的电气连接线连接到晶闸管级两端,便可实现对电气量和光信号的全面检测,简单高效可靠。

贵广Ⅱ回直流VBE系统光发射板卡故障分析及对策

贵广Ⅱ回直流深圳换流站、兴仁换流站VBE系统近年来多次发生光发射板卡故障,致使直流停运。对事故进行分析,得出故障原因为:VBE屏柜内顶部温度过高,导致板卡工作环境恶劣。西门子公司认同并采纳了上述观点,并根据所建议的措施对屏柜散热设施提出了改造方案。该方案实施后,至今未再发生此类故障。

贵广Ⅰ回直流输电系统VBE故障分析

为解决贵广Ⅰ回直流输电系统因阀基电子设备(VBE)故障在线处理时导致直流故障重启的问题,进行了相关的实验验证。结果显示:贵广Ⅰ回直流系统的VBE系统在线断开单组光发射模块电源开关引起换流失败是由于VBE设计上的缺陷引起,并非如生产厂家所说的"一种偶然现象"。基于研究结果,对改进VBE设计及其检修提出了建议。

虚拟培植环境下虚拟企业伙伴选择模型与方法

面对稍纵即逝的市场机遇,伙伴选择是快速有效构建虚拟企业的关键环节,而研究表明基于虚拟培植环境(VBE)下的伙伴选择更具敏捷性与可靠性。文章提出了虚拟培植环境下伙伴选择的准备、初选与精选的三阶段模型,并给出每阶段的主要内容及选择方法。以实例验证了该模型与方法的可行性及合理性。

虚拟企业伙伴选择分层指标体系与过程研究

伙伴选择是虚拟企业构建的关键问题,指标体系的建立关乎虚拟企业的成败。本文以虚拟企业培植环境为虚拟企业构建的基础环境,提出将众多伙伴选择指标分为满足基本组建需要的必要性指标和基础运作指标,以及满足成长发展需要的完善性指标三个层次,以此为基准建立虚拟企业伙伴选择分层指标体系,并对指标体系的各层次与选择过程的各阶段进行对应性分析,旨在为虚拟企业伙伴选择及成功组建虚拟企业提供参考。

高压直流输电换流阀阀基电子设备薄弱环节分析及改进措施研究

分析2006～2014年南方电网6回直流输电工程逆变侧换流站40起换流阀VBE系统故障,归类统计VBE系统故障元件及VBE系统故障影响严重性等,总结出VBE系统运行过程中的薄弱环节,提出VBE系统板卡电路、VBE系统故障检测回路改进等措施,并指出VBE系统进一步改进方向.

高压直流输电换流阀组低压加压现场试验方法

换流阀是直流输电系统中实现交、直流转换的核心设备,而阀控系统是换流阀点火控制系统的快速远程终端,换流阀组低压加压试验是对换流器控制保护系统进行的整组模拟试验。本文结合金中直流输电工程±500 kV金官换流站,针对换流阀的技术特点以及控制保护系统、阀基电子设备的功能,就换流阀组低压加压试验的内容方法进行阐述。试验结果表明,该方法对于新建高压直流工程具有重要的适用价值。

MMPs,TIMPs与缺血后血管源性脑水肿

血管源性脑水肿 (VBE)是脑缺血病例急性期死亡的主要原因 ,研究其分子生物学机制对有效地预防与治疗VBE具有重要意义。基质金属蛋白酶 (MMP ,主要是MMP 9)与脑缺血后ECM降解和血脑屏障 (BBB)通透性增加密切相关。正常时MMPs内源性抑制剂 (TIMPs)与MMPs保持相对平衡。脑缺血后早期应用MMP抑制剂可阻断或减轻VBE。

优化高浓度BBr_3工艺

文章主要讨论如何通过优化高浓度BBr3扩散工艺,解决P型芯片的VBES参数偏大的问题,从而提高VBES测试成品率。P型芯片发射极杂质扩散的扩散源是液态BBr3,通过O2携带,进入扩散炉内。在炉内高温作用下发生化学反应,释放出B杂质,完成发射区的B掺杂。在化学反应过程中,同时也会生成B2O3,当B2O3含量过高,就会堆积在发射区表面形成"斑污",阻止B杂质的再扩散,导致芯片VBES偏大不合格。通过控制BBr3和O2在扩散炉内的比例,降低B2O3的含量,保证B杂质的正常扩散,提高VBES的合格率。

单胺氧化酶单克隆抗体对大鼠脑单胺氧化酶活性变化的研究

近年来,脑水肿尤其是血管源性脑水肿(VBE)的发病机制研究以及探讨其药物治疗已愈来愈被重视,因为VBE的解决将大大降低脑卒中、脑外伤等疾病的病死率和致残率,提高人类生存和生活质量.对VBE发病机制有血脑屏障开放、脑微循环障碍、自由基损伤、钙超载、酶屏障受损等学说,本研究从酶屏障的角度探讨VBE的发病机制及单胺氧化酶单克隆抗体对VBE的作用.

芦潮港换流站换流阀紧急停机事故分析

2008年芦潮港换流站发生了一起阀本体部件故障造成直流紧急停运的事故。通过对事故的全面分析,指出了事故的主要原因在于晶闸管电子触发板(TE板)取能回路接触不良,引起均压电容器故障,烧损TE板,失去工作电源,击穿晶闸管。为此提出了相应的反事故措施和改进方案。经过近一年的运行,证明了改进方案是可行的,从技术上杜绝了此类事故的再次发生。

VBA在EXCEL中的信息提取研究

在处理Excel表格信息时,需要经常输入员工的身份证号、所属省份地区、性别等信息的,利用Excel加载宏自动提取来自身份证中的信息,将使工作更加方便。

±500kV天广直流极1换流阀误导通事件分析

通过对天广直流极1换流阀的误导通情况对极控系统、VBE系统、TE板、换流阀及其运行环境等各方面进行分析,找出将极1操作至闭锁时导致出现换流阀出现误导通的原因,为今后高压直流输电系统运行维护提供经验。