PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP 扫描驱动电路的高压功率 LDPMOS 和 VDNMOS 功率器件结构,此结构可用 BCD 工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达 200V。

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。