支持QoS的VTN管理系统设计与实现

支持Qo S的VTN管理系统设计与实现,首先需要了解系统的主要内容,掌握VTN管理系统的内容,然后有针对的进行支持Qo S的VTN管理系统设计,其主要内容有:设计系统总体架构、基于Dijkstra的Qo S路由改进算法。最后进行支持Qo S的VTN管理系统的实现,如通过Java语言构建核心模块,接入控制、检测Qo S路由等模块等,要求租户和服务商签订相应协议,由此让租户对虚拟网络的服务质量进行更好的评价。

基于SDN的虚拟网络映射技术的研究与实现

基于SDN技术的虚拟租户网络(VTN)能够使得数据中心网络向多个租户提供互相隔离的虚拟网络。VTN提供了VLAN映射、端口映射用于将虚拟网络节点与物理网络节点进行映射。其中VLAN映射需要对每个主机配置VLAN id,增加了映射的复杂性;端口映射时一旦出现交换机端口故障便不能成功映射。为解决上述问题,本文提出了基于MAC地址映射方法 ,即通过主机的MAC地址直接与虚拟节点进行映射。通过搭建Open Daylight实验平台验证了该方法的可行性。结果表明,该方法能够解决以上映射中的不足,简化了VTN网络与底层网络映射配置,提高了VTN的性能。

栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响

基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5 nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔV_(tn)受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26 nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔVtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著。在500 krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移ΔV_(tn)比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右。

基于OpenFlow的虚拟网络架构的设计与实现

现有应用中的网络架构种类繁多,造成网络结构复杂难以维护,而OpenFlow网络能有效地解决现有网络维护困难和设备臃肿的问题。本文在深入研究OpenFlow技术的基础上,设计并实现基于OpenFlow的虚拟网络架构,其分为4个层次:应用层、VTN(Virtual Terminal Network)虚拟平台、控制层和物理层,并重点介绍其核心部分VTN虚拟平台的实现。通过对吞吐量和丢包率的监控,验证了它可以整合不同的网络结构,实现网络资源的统一管理,提高网络兼容性,并具有较好的性能。

基于软件定义可信的网络切片技术

为了解决传统网络无法适应未来网络发展需要的问题,引入网络切片(network slice,NS)技术.基于软件定义网络(software defined network,SDN)和可信计算技术提出软件定义可信(software defined trust,SDT)的思想.针对Openv Switch(OVS)和Open Daylight中的虚拟租赁网络(virtual tenant network,VTN)技术,设计一种基于SDT的网络切片模型:在用户请求资源时,对转发层的交换机进行可信性的采集,并针对不同的用户需求构造相应的可信切片;在切片运行过程中,对切片进行可信监控,提出OVS回退与流表恢复的方法对不可信的切片进行恢复.经实验验证,该方法在保障切片可信性的同时,提高了资源利用率与切片恢复的效率.