用XPS和XAES分析电化学沉积的DLC膜

采用电化学沉积方法,以甲醇溶剂作碳源,直流电压作用下在单晶硅表面沉积得到碳薄膜。通过研究石墨、金刚石和样品薄膜的XPS和XAES谱图特征,证明了此方法沉积得到的是DLC薄膜;利用曲线拟合技术在C1s电子能谱图中拟合出sp3峰与sp2峰,并计算出样品薄膜中sp3碳的相对含量为55%;研究石墨、金刚石和样品薄膜的一阶微分XAES谱图,用线性插入法估算出样品薄膜中sp3碳的相对含量为60%。

Ni系非晶态合金膜的晶化过程与吸氢性能(Ⅱ)——Ni系非晶态膜的XPS和XAES表征

利用改进的化学镀镍技术,制备了对氢具有高选择性和透过性Ni基非晶态合金膜,并通过XPS和XAES手段对Ni-P非晶态合金膜表面进行了考察。结果表明,Ni-P合金表面物种,Ni以Ni_2O_3,而P以P^(5+)的形式存在,体相以元素态Ni^0和P^0存在为主。Ni-P合金膜经高温晶化后,P由体相向表面扩散。

X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。

全碳分子C_60/C_70的X射线电子谱

用Mg k_xΧ射线得到的全碳分子C_60/C_70和石墨的芯级C_18谱、价带(YB)谱和俄歇电子(CKLL)谱。结果表明,C_60/C_70中碳原子的杂化态主要是sP^2,但存在着一定的sP^3.使用XAES可以表征C_60/C_70和石墨,且是一种灵敏而有效的方法。

碳俄歇电子能谱数值分析在催化方面的应用

通过卷积法和最小二乘法,处理Ga-Mo／HZSM-5催化剂上形成碳的XAES数据。同时,建立了光滑XAES数据点的数学模型。由碳的KVV俄歇光谱数据一阶(dN／dE)和二阶(d2N／dE2)导数结果表明,二阶导数光谱的特征峰能与碳的理论态密度关联,获得相关碳的精细结构信息与催化剂的性能相符。